一种像素电路制造技术

本申请公开了一种像素电路，涉及微流控领域，特别是一种像素电路，包括：像素电极、升压模块、数据写入模块、和信号输入端；信号输入端包括：第一信号端、第二信号端和数据端；第一信号端、第二信号端和数据端用于分别输入高电平或低电平；升压模块的一端与第二信号端连接，另一端与像素电极的输入端以及数据写入模块连接；像素电极并联有第一电容，第一电容用于存储并维持像素电极电压；数据写入模块分别单独与第一信号端、数据端以及像素电极的输入端连接；数据写入模块用于根据数据端的输入电平来控制升压模块的工作状态；升压模块用于提高像素电极的充电电压；可有效提升像素电极电压，有效提高其对应的分辨率或刷新率，减少像素电极充放电的反应时间。素电极充放电的反应时间。素电极充放电的反应时间。

【技术实现步骤摘要】
一种像素电路


[0001]本申请涉及微流控领域，特别是一种像素电路。

技术介绍

[0002]数字微流控(Digital microfluidics,DMF)是一种强大的新兴技术，其利用微升至纳升范围内的液滴精准操作来实现复杂的实验室分析。通过在一系列步骤中以一系列层次组合并重复多次操作，得以实现复杂的实验程序。数字微流控的基本机制类似于更传统的方法，但是所涉及的液体体积要小得多，其流程也高度自动化；且便携性方面的高潜力，以及(稀有或昂贵)试剂或样品消耗量的显著减少。
[0003]图1为现有技术的像素电路之一，Vgate为高电平时，T1晶体管导通，Vdata电压给存储电容Cst充电。通过给像素电极电压施加电压，来改变液滴与固体表面的其润湿性，即改变接触角，使液滴发生形变、位移，驱动微液滴运动。
[0004]在现有技术中，在充电时间足够长的情况下，Cst的电压最终理论上可无限接近Vdata。但由于实际的充电时间是有限的，且分辨率越高或者刷新率越高，充电时间越短，实际像素电极上的电压通常处于较低的水平，不利于驱动微液滴运动。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种可有效提高像素电极电压的像素电路。
[0006]本专利技术的目的通过以下技术方案实现：
[0007]一种像素电路，包括：像素电极、升压模块、数据写入模块、和信号输入端；信号输入端包括：第一信号端、第二信号端和数据端；第一信号端、第二信号端和数据端用于分别输入高电平或低电平；升压模块的一端与第二信号端连接，另一端与像素电极的输入端以及数据写入模块连接；像素电极并联有第一电容，第一电容用于存储并维持像素电极电压；数据写入模块分别单独与第一信号端、数据端以及像素电极的输入端连接；数据写入模块用于根据数据端的输入电平来控制升压模块的工作状态；升压模块用于提高像素电极的充电电压。
[0008]具体的，数据写入模块包括第一晶体管；第一晶体管的栅极与第一信号端连接。
[0009]更具体的，升压模块包括第二晶体管和第二电容；第二电容的一端与第二晶体管的栅极连接，第二电容用于提升像素电极电压。
[0010]更具体的，第一晶体管为双栅结构的晶体管。
[0011]进一步的，第一晶体管的第一极与数据端连接；第一晶体管的第二极与像素电极的输入端连接；第二晶体管的栅极与第一晶体管的第二极连接。
[0012]更进一步的，第二晶体管的第一极与第二信号端连接，第二极与第二电容连接。
[0013]以上的，当数据端输入高电平时，像素电极电压为高电平。
[0014]额外的，当数据端输入低电平时，像素电极电压为低电平。
[0015]一种微流控芯片，包括一种像素电路。
[0016]具体的，包括若干组上述的一种像素电路。
[0017]本专利技术的有益效果：一种像素电路，包括：像素电极、升压模块、数据写入模块、和信号输入端；信号输入端包括：第一信号端、第二信号端和数据端；第一信号端、第二信号端和数据端用于分别输入高电平或低电平；升压模块的一端与第二信号端连接，另一端与像素电极的输入端以及数据写入模块连接；像素电极并联有第一电容，第一电容用于存储并维持像素电极电压；数据写入模块分别单独与第一信号端、数据端以及像素电极的输入端连接；数据写入模块用于根据数据端的输入电平来控制升压模块的工作状态；升压模块用于提高像素电极的充电电压；可有效提升像素电极电压，有效提高其对应的分辨率或刷新率，减少像素电极充放电的反应时间。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是现有技术中的一种像素电路；
[0020]图2是本申请实施例的一种像素电路的功能原理方框图；
[0021]图3是本申请实施例的一种像素电路的第一电路原理示意图；
[0022]图4是本申请实施例的一种像素电路的第二电路原理示意图；
[0023]图5是本申请实施例的一种像素电路的驱动时序的节点波型示意图。
具体实施方式
[0024]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本申请实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本申请的技术方案，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0026]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。
[0027]本专利技术的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0028]实施例1
[0029]本申请的一种像素电路实施方法之一，如图2和图3所示，包括：像素电极、升压模块、数据写入模块、第一电容Cst和信号输入端；信号输入端包括：第一信号端SN1、第二信号端SN2和数据端Vdata；第一信号端SN1、第二信号端SN2和数据端Vdata用于分别输入高电平或低电平；第一电容Cst与像素电极并联，用于存储并维持像素电极电压。
[0030]升压模块的一端与第二信号端SN2连接，另一端与像素电极的输入端以及数据写入模块连接。
[0031]数据写入模块分别单独与第一信号端SN1、数据端Vdata和像素电极的输入端连接；数据写入模块用于根据数据端Vdata的输入电平来控制升压模块的工作状态；升压模块用于提高像素电极的充电电压。
[0032]具体的，数据写入模块包括第一晶体管T1；第一晶体管T1的栅极与第一信号端SN1连接；第一晶体管T1的第一极(源极或漏极)与数据端Vdata连接；第一晶体管T1的的第二极(漏极或源极)与像素电极的输入端连接，其与第一电容Cst的输入端构成Vnode网络。
[0033]升压模块包括第二晶体管T2和第二电容Cbst；第二电容Cbst的一端与第二晶体管T2的栅极连接；第二电容Cbst的另一端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：像素电极、升压模块、数据写入模块、和信号输入端；所述信号输入端包括：第一信号端、第二信号端和数据端；所述第一信号端、第二信号端和数据端用于分别输入高电平或低电平；所述升压模块的一端与所述第二信号端连接，另一端与所述像素电极的输入端以及数据写入模块连接；所述像素电极并联有第一电容，所述第一电容用于存储并维持像素电极电压；所述数据写入模块分别单独与所述第一信号端、数据端以及所述像素电极的输入端连接；所述数据写入模块用于根据所述数据端的输入电平来控制所述升压模块的工作状态；所述升压模块用于提高所述像素电极的充电电压。2.根据权利要求1所述的一种像素电路，其特征在于：所述数据写入模块包括第一晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述第一信号端连接。3.根据权利要求2所述的一种像素电路，其特征在于：所述升压模块包括第二晶体管和第二电容；所述第二电容的一端与所述第二晶体管的栅极连接，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：佛山奥素博新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：