供电保护系统技术方案

一种供电保护系统，包含一热插拔控制器

【技术实现步骤摘要】
供电保护系统
[0001]【


】
本专利技术是有关于一种保护系统，特别是指一种供电保护系统
。
[0002]【

技术介绍

】
服务器常需使用高效率的处理芯片单元，以执行高速运行能力与提升整体运作性能，例如：使用绘图处理器
(Graphic Processing Unit, GPU)
，进行高效能的绘图运算处理
。
随着高处理速度与增加性能的要求，而需要提供更多的功率
(Power)
而使处理芯片单元运作于最大效能模式
(
峰值模式
)。
一般来说，电源输出有其一定的额定功率，且配合过电流保护机制
(Over Current Protection, OCP)
而在电源输出电流过大时，切断输出电流以确保系统安全且避免造成处理芯片单元或其他元件损坏的风险
。
但是常发生绘图处理器
(GPU)
在执行最大效能模式
(
峰值模式
)
，由于瞬时功率过大而使过电流保护电路侦测到突波电流时，立刻触发过电流保护机制
(OCP)
，导致断电或重启的问题，造成使用者的困扰与麻烦，使用上存在不便性
。
再者，在一开始上电的过程中，也常会产生涌浪电流
(Inrush Current)
或其他因素瞬间产生超大突波电流的情况，进而导致误触发过电流保护机制
(OCP)
的问题或者甚至造成内部电子元件损坏的风险，设计上确实存在需要克服的问题，极需从业人员仔细探讨与研究改善方案
。
[0003]【

技术实现思路

】
本专利技术要解决的技术问题是提供一种效能佳的供电保护系统
。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术供电保护系统，用以接收一电源供应单元的一输入电压
。
该供电保护系统包含一可接收该输入电压的热插拔控制器
、
一处理芯片单元
、
一感测电阻
、
一热敏电阻单元
、
一受控制地启闭的晶体管开关单元，及一可接收该输入电压的延迟电路单元
。
[0005]该热插拔控制器包括一侦测端，及一控制端
。
该处理芯片单元可运作于一峰值功率模式
。
该感测电阻包括一可接收该输入电压的第一端，及一第二端
。
[0006]该热敏电阻单元包括一连接该感测电阻的第一端的第一分流端，及一连接该处理芯片单元的第二分流端，该热敏电阻单元的第二分流端可传送一分电流讯号至该处理芯片单元
。
[0007]该晶体管开关单元，包括一连接该处理芯片单元的第一端
、
一第二端，及一受该热插拔控制器的控制端控制的第三端
。
该感测电阻的第二端连接该晶体管开关单元的第二端且该感测电阻的第二端可传送一供电流讯号输入该晶体管开关单元的第二端
。
该热插拔控制器经该控制端控制该晶体管开关单元的第三端，而控制该晶体管开关单元的启闭
。
于该晶体管开关单元根据该第三端接收到该控制端传送的一第一控制讯号时，该晶体管开关单元为导通状态且该晶体管开关单元的第二端接收的该供电流讯号经该第一端输出至该处理芯片单元，而该处理芯片单元接收该热敏电阻单元的第二分流端传送的该分电流讯号与该晶体管开关单元的第一端输出的该供电流讯号
。
当该处理芯片单元运作于该峰值功率模式时，输入该处理芯片单元为一极限电流讯号，此时，该晶体管开关单元的第一端输出的该供电流讯号为一临界电流讯号
。
[0008]该延迟电路单元包括一连接该热插拔控制器的侦测端的延时端，及一连接该晶体管开关单元的第二端的传输端，于该处理芯片单元运作于该峰值功率模式时，该延迟电路单元透过该传输端而侦测到达到该临界电流讯号以上且达一默认时间后，该延迟电路单元的延时端传送该临界电流讯号至该热插拔控制器的侦测端，并当该热插拔控制器判断该侦测端侦测到该临界电流讯号时，该热插拔控制器的控制端传送一第二控制讯号至该晶体管开关单元的第三端且使该晶体管开关单元为不导通状态；当该供电保护系统一开始被上电且产生一涌浪电流
(Inrush Current)
时，该涌浪电流会分成一经该热敏电阻单元的第二分流端流出的分电流讯号，及一经该感测电阻的第二端流出的供电流讯号
。
[0009]相较于现有技术，本专利技术借由该延迟电路单元可将该传输端所接收的讯号延迟该默认时间后才从该延时端传送至该热插拔控制器的侦测端的设计，当该处理芯片单元运作于该峰值功率模式时，该晶体管开关单元的第二端输入该临界电流讯号，而该延迟电路单元的传输端会侦测到该临界电流讯号且经该默认时间后该延时端才会传送该临界电流讯号至该热插拔控制器的侦测端，而使该热插拔控制器的控制端控制使该晶体管开关单元为不导通状态，有效确保该晶体管开关单元的第一端输出的该临界电流讯号维持该默认时间输出至该处理芯片单元
。
再者，透过该热敏电阻单元可传送该分电流讯号的巧思，当该供电保护系统一开始被上电且产生该涌浪电流时，该涌浪电流会分成从该热敏电阻单元的第二分流端流出的该分电流讯号以及从该感测电阻的第二端流出的该供电流讯号的分流应用，而可避免该涌浪电流直接全部从该感测电阻的第二端流出至该晶体管开关单元而造成损坏的问题
。
[0010]【
附图说明
】
本专利技术之其他的特征及功效，将于参照图式的实施方式中清楚地呈现，其中：图1是一方块图，说明本专利技术供电保护系统的实施例；及图2是一方块图，说明该实施例中，一热插拔控制器
、
一晶体管开关单元与一保护电路单元的连接关系
。
[0011]【
具体实施方式
】
在本专利技术被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示
。
[0012]参阅图1与图2，本专利技术供电保护系统1，用以接收一电源供应单元
90
的一输入电压
。
该供电保护系统1包含一可接收该输入电压的热插拔控制器
2、
一处理芯片单元
3、
一感测电阻
4、
一热敏电阻单元
5、
一受控制地启闭的晶体管开关单元6，及一可接收该输入电压的延迟电路单元
7。
[0013]该热插拔控制器2包括一侦测端
21
，及一控制端
22。
该处理芯片单元3可运作于一峰值功率模式
。
该感测电阻4包括一可接收该输入电压的第一端
41
，及一第二端
42。
[0014]该热敏电阻单元5包括一连接该感测电阻4的第一端
41
的第一分流端
51
，及一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种供电保护系统，用以接收一电源供应单元的一输入电压，其特征在于，该供电保护系统包含：一可接收该输入电压的热插入控制器，包括一侦测端，及一控制端；一处理芯片单元，该处理芯片单元可运作于一峰值功率模式；一感测电阻，包括一可接收该输入电压的第一端，及一第二端；一热敏电阻单元，包括一连接该感测电阻的第一端的第一分流端，及一连接该处理芯片单元的第二分流端，该热敏电阻单元的第二分流端可传送一分电流讯号至该处理芯片单元；一受控制地启闭的晶体管开关单元，包括一连接该处理芯片单元的第一端
、
一第二端，及一受该热插入控制器的控制端控制的第三端，该感测电阻的第二端连接该晶体管开关单元的第二端且该感测电阻的第二端可传送一供电流讯号输入该晶体管开关单元的第二端，该热插入控制器经该控制端控制该晶体管开关单元的第三端，而控制该晶体管开关单元的启闭，于该晶体管开关单元根据该第三端接收到该控制端传送的一第一控制讯号时，该晶体管开关单元为导通状态且该晶体管开关单元的第二端接收的该供电流讯号经该第一端输出至该处理芯片单元，而该处理芯片单元接收该热敏电阻单元的第二分流端传送的该分电流讯号与该晶体管开关单元的第一端输出的该供电流讯号，当该处理芯片单元运作于该峰值功率模式时，输入该处理芯片单元为一极限电流讯号，此时，该晶体管开关单元的第一端输出的该供电流讯号为一临界电流讯号；及一可接收该输入电压的延迟电路单元，包括一连接该热插入控制器的侦测端的延时端，及一连接该晶体管开关单元的第二端的传输端，于该处理芯片单元运作于该峰值功率模式时，该延迟电路单元透过该传输端而侦测到该临界电流讯号且达一默认时间后，该延迟电路单元的延时端传送该临界电流讯号至该热插入控制器的侦测端，且当该热插入控制器判断该侦测端侦测到该临界电流讯号时，该热插入控制器的控制端传送一第二控制讯号至该晶体管开关单元的第三端且使该晶体管开关单元为不导通状态；当该供电保护系统一开始被上电且产生一涌浪电流时，该涌浪电流会分成一经该热敏电阻单元的第二分流端流出的分电流讯号，及一经该感测电阻的第二端流出的供电流讯号
。2.
如权利要求1所述的供电保护系统，其特征在于，该延迟电路单元还包括一第一电阻，及一第一电容，该第一电阻具有一连接该传输端的第一端，及一第二端，该第一电容具有一连接该感测电阻的第一端的第一端，及一连接该第一电阻的第二端的第二端，该延时端连接该第一电阻的第二端与该第一电容的第二端
。3.
如权利要求1所述的供电保护系统，其特征在于，该晶体管开关单元为一
N
型金氧半场效晶体管，该晶体管开关单元的第一端为源极
、
该第二端为汲极，及该第三端为闸极
。4.
如权利要求3所述的供电保护系统，其特征在于，还包含一保护电路单元，该保护电路单元具有一连接该热插入控制器的侦测端的讯号端
、
一连接该感测电阻的第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：许君竹，
申请(专利权)人：神云科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：