一种相转变策略调控四氧化三锰晶面的方法技术

本发明专利技术公开了一种相转变策略调控四氧化三锰暴露晶面的方法；该方法通过相转变剂尿素与二氧化锰反应，将其相变为高暴露晶面的四氧化三锰；通过选择不同的二氧化锰单晶纳米线作为前驱体，并与相转变剂尿素在惰性气氛下煅烧，可将二氧化锰相变为

【技术实现步骤摘要】
一种相转变策略调控四氧化三锰晶面的方法


[0001]本专利技术涉及一种调控四氧化三锰晶面的方法，属于晶面调控

。

技术介绍

[0002]大量的研究表明无机纳米材料的性能不仅与纳米粒子的晶型
、
尺寸
、
形貌等因素等相关，而且与纳米材料的暴露晶面有着密切的关系
。
通过控制纳米材料的定向生长，控制合成暴露特定高反应活性晶面的纳米材料，并最终实现纳米材料高催化活性具有重要科学意义和应用价值
。
根据
Wuff
晶体生长规律，表面能低的晶面生长缓慢，表面能高的晶面生长快速
。
在晶体的生长过程中，高表面能晶面通常会在晶体生长过程中迅速减少甚至消失
。
而在实践应用中发现，高表面能晶面往往具有高反应活性
。
因此，如何在晶体表面暴露特定的高活性晶面仍然是纳米材料领域的一个具有挑战性的技术难题
。
目前，有两种路径可以有效暴露特定晶面：（1）“自下而上”的路径，即选择合适的封端剂使其优先吸附在某本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种调控四氧化三锰晶面的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）合成高暴露晶面的
α
‑
MnO2单晶；（2）将步骤（1）所得二氧化锰单晶与相转变控制剂尿素按一定比例混合后研磨，得到混合粉末；（3）将步骤（2）所得混合粉末在无氧氛围下煅烧
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，以硫酸铵
、
硫酸锰或草酸铵为前体，采用水热法依次制备
{110}、{100}
或
{310}
高暴露晶面
α
‑
MnO2单晶
。3.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，
α
‑
MnO2单晶的形貌为纳米线
。4.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，相转变控制剂与二氧化锰的质量比为
0.3 ~ 3
，优选...

【专利技术属性】
技术研发人员：荣少鹏，何陶宏，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：