【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种显示面板及显示装置
。
技术介绍
[0002]现有的微型有机发光显示装置，如硅基微型有机发光显示装置，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的
1/10
，精细度远远高于传统器件
。
[0003]微型硅基
OLED
显示装置，因其像素尺寸特别小，会造成相邻像素单元串扰的问题，如何减小相邻像素单元之间的的串扰问题成为研究热点
。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种显示面板及其制备方法
、
显示装置，通过对分离结构进行调整，进而保证显示面板的显示效果
。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多个子像素；
[0006]所述子像素包括第一电极，所述第一电极包括叠层设置的底部电极和透明电极，所述透明电极位于所述底部电极远离所述衬底的一侧；
[0007]相邻所述子像素之间设置有像素限定结构，在所述像素限定结构上设置有分离结构，所述分离结构包括多层绝缘层；
[0008]所述分离结构包括第一分离部和第二分离部，所述第一分离部和所述第二分离部的形状不同；
[0009]所述第一分离部和所述第二分离部分别包括远离所述像素限定结构一侧的第一端部以及靠近所述像素限定结构一侧的第二端部；所述第一端部与所述透明电极存在交叠，所述第一分离部的所述第二端部和所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底一侧的多个子像素；所述子像素包括第一电极，所述第一电极包括叠层设置的底部电极和透明电极，所述透明电极位于所述底部电极远离所述衬底的一侧；相邻所述子像素之间设置有像素限定结构，在所述像素限定结构上设置有分离结构，所述分离结构包括多层绝缘层；所述分离结构包括第一分离部和第二分离部，所述第一分离部和所述第二分离部的形状不同；所述第一分离部和所述第二分离部分别包括远离所述像素限定结构一侧的第一端部以及靠近所述像素限定结构一侧的第二端部；所述第一端部与所述透明电极存在交叠，所述第一分离部的所述第二端部和所述第二分离部的所述第二端部之间存在间隙，所述间隙暴露部分所述像素限定结构；沿所述显示面板的厚度方向，多层所述绝缘层在所述第二端部形成至少一个位于靠近所述衬底一侧的内缩部和至少一个位于所述内缩部上方的延伸部；相邻设置的所述延伸部和所述内缩部中，所述延伸部的长度大于所述内缩部的长度；所述显示面板还包括多层有机膜层以及设置于多层所述有机膜层上层的第二电极，所述第二电极为公共电极，所述有机膜层包括多层公共有机膜层
。2.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述延伸部包括上表面和下表面，所述上表面的长度小于所述下表面的长度，所述上表面和所述下表面之间的侧面与所述下表面形成的夹角小于
60
度
。3.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多层所述绝缘层包括依次叠层设置的至少四层绝缘层，任意相邻三层所述绝缘层包括依次叠层设置的第
i
绝缘层，第
i+1
绝缘层和第
i+2
绝缘层，其中，所述第
i
绝缘层和所述第
i+2
绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部均为所述延伸部，所述第
i+1
绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述内缩部；或者，所述第
i
绝缘层和所述第
i+2
绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部均为所述内缩部，所述第
i+1
绝缘层朝向所述像素限定结构的端部为所述延伸部；所述
i
为正整数
。4.
根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，多层所述绝缘层包括依次叠层设置的第一绝缘层
、
第二绝缘层
、
第三绝缘层和第四绝缘层，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述内缩部，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述延伸部
。5.
根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的所述内缩部的长度大于所述第三绝缘层的所述内缩部的长度；所述第二绝缘层的所述延伸部的长度大于所述第四绝缘层的所述延伸部的长度
。6.
根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层为第一种材料，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层为第二种材料，并且所述第一种材料和所述第二种材料不同
。7.
根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层的厚度为
10
～
100nm
，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层的厚度为
20
～
100nm。8.
根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，多层所述绝缘层包括依次叠层设置的
第一绝缘层
、
第二绝缘层
、
第三绝缘层
、
第四绝缘层和第五绝缘层，所述第一绝缘层
、
所述第三绝缘层和所述第五绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述延伸部，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层朝向所述像素限定结构的所述第二端部为所述内缩部
。9.
根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层的所述内缩部的长度大于所述第四绝缘层的所述内缩部的长度；所述第一绝缘层的所述延伸部的长度大于所述第三绝缘层的所述延伸部的长度，所述第三绝缘层的所述延伸部的长度大于所述第五绝缘层的所述延伸部的长度
。10.
根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层
、
所述第三绝缘层和所述第五绝缘层为第一种材料，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层为第二种材料，并且所述第一种材料和所述第二种材料不同
。11.
根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层的厚度为
10
～
100nm
，所述第一绝缘层
、
所述第三绝缘层和所述第五绝缘层的厚度为
20
～
100nm。12.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定结构的材料为氧化硅或氮化硅
。13.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述子像素包括显示不同颜色的第一子像素
、
第二子像素和第三子像素；所述透明电极包括设置于所述第一子像素的底部电极上的第一透明电极，设置于所述第二子像素的底部电极上的第二透明电极，设置于所述第三子像素的底部电极上的第三透明电极；所述第一透明电极
、
第二透明电极和第三透明电极的厚度不同
。14.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述第一分离部的第二端部与所述像素限定结构交叠且具备第一交叠面积，所述第二分离部的第二端部与所述像素限定结构交叠且具备第二交叠面积；所述第一交叠面积与所述第二交叠面积相同
。15.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述第一分离部的第二端部与所述透明电极交叠且具备第三交叠面积，所述第二分离部的第二端部与所述透明电极交叠且具备第四交叠面积；存在所述第三交叠面积和所述第四交叠面积不同
。16.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，所述透明电极包括远离所述衬底一侧顶面，沿所述显示面板的厚度方向，所述第一分离部的第一端部与所述顶面交叠且具备第五交叠面积，所述第二分离部的所述的第一端部与顶面交叠且具备第六交叠面积；所述第五交叠面积与所述第六交叠面积相同
。17.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，多个所述第一电极中，厚度最小的所述第一电极的厚度为
D1
；任意两个所述像素限定结构的厚度相同，且所述像素限定结构的厚度为
d1
；其中，
0≤D1
－
d1≤50nm。18.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一电极中，厚度较小的所述第一电极的厚度为
D2
；该相邻两个所述第一电极之间的所述像素限定结构的厚度为
d2
；
其中，
0≤D2
－
d2≤50nm。19.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一电极中，厚度较大的所述第一电极的厚度为
D3
；该相邻两个所述第一电极之间的所述像素限定结构的厚度为
d3
；其中，
0≤D3
－
d3≤50nm。20.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极的厚度小于所述第二透明电极的厚度，所述第二透明电极的厚度小于所述第三透明电极的厚度；在所述第一子像素
、
所述第二子像素
、
所述第三子像素中，所述像素限定结构的厚度和所述第一子像素的第一电极的厚度差最小
。21.
根据权利要求
20
所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素和所述第二子像素之间的分离结构为第一分离结构，所述第二子像素和所述第三子像素之间的分离结构为第二分离结构，所述第一子像素和所述第三子像素之间的分离结构为第三分离结构；所述第一分离结构
、
所述第二分离结构和所述第三分离结构的形状不同
。22.
根据权利要求
21
所述的显示面板，其特征在于，所述第二透明电极包括高于所述第一透明电极的上部，所述第三透明电极包括和高于所述第一透明电极的上部；在所述第一分离结构中，所述第一分离部与所述像素限定结构的顶面平行；所述第二分离部为与所述像素限定结构的顶面平行的第一部分
、
倾斜设置的第二部分
、
与所述第二透明电极顶面平行的第三部分，所述第一部分
、
所述第二部分
、
所述第三部分依次连接，所述第二部分覆盖所述第二透明电极上部的一个侧面；在所述第二分离结构中，所述第一分离部为与所述第二透明电极顶面平行的第四部分
、
倾斜设置的第五部分
、
与所述像素限定结构的顶面平行的第六部分，所述第四部分
、
所述第五部分
、
所述第六部分依次连接，所述第六部分覆盖所述第二透明电极上部的另一个侧面；所述第二分离部为与所述像素限定结构的顶面平行的第七部分
、
倾斜设置的第八部分
、
与所述第三透明电极顶面平行的第九部分，所述第七部分
、
所述第八部分
、
所述第九部分依次连接，所述第八部分覆盖所述第三透明电极上部的一个侧面；在所述第三分离结构中，所述第一分离部为与所述第三透明电极顶面平行的第十部分
、
倾斜设置的第十一部分
、
与所述像素限定结构的顶面平行的第十二部分，所述第十部分
、
所述第十一部分
、
所述第十二部分依次连接，倾斜设置的所述第十一部分覆盖所述第三透明电极上部的另一个侧面；所述第二分离部与所述像素限定结构的顶面平行
。23.
根据权利要求
22
所述的显示面板，其特征在于，所述第二部分和所述第五部分分别向所述第二透明电极一侧倾斜并且和所述衬底之间具有小于等于
60
度的倾斜度；所述第八部分和所述第十一部分分别向所述第三透明电极一侧倾斜并且和所述衬底之间具有小于等于
60
度的倾斜度
。24.
根据权利要求
20
所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素的第一电极的厚度为
D1
，所述像素限定结构的厚度为
d1
，并且
0≤D1
－
d1≤50nm。25.
根据权利要求
20
所述的显示面板，其特征在于，所述像素限定结构的厚度等于所述底部电极与所述第一透明电极的厚度和
。26.
根据权利要求
13
所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极的厚度小于所述第二透明电极的厚度，所述第二透明电极的厚度小于所述第三透明电极的厚度；在所述第
一子像素
、
所述第二子像素
、
所述第三子像素中，所述像素限定结构的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：高志扬，曾章和，王超，
申请(专利权)人：视涯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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