一种高亮度制造技术

本发明专利技术涉及显示芯片技术领域，公开了一种高亮度

【技术实现步骤摘要】
一种高亮度MicroLED及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示芯片
，具体涉及一种高亮度
MicroLED
及其制备方法
。

技术介绍

[0002]Micro LED
的英文全名是
Micro Light Emitting Diode
，中文称作微发光二极体，也可以写作
μ
LED
，一般指使用尺寸为
1~60um
的
LED
发光单元组成显示阵列的技术，其大小相当于人头发丝的
1/10
，具有无需背光，光电转换效率高，响应时间在
ns
级等特点，是将
LED
进行薄膜化
、
微小化和阵列化，使其体积达到大小只有主流
LED
的
1%
，像素点距离达到由毫米达到微米的一项技术
。
[0003]Micro LED 底层用正常的
CMOS
集成电路制造工艺制成
LED
显示驱动电路，然后再用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高亮度
MicroLED
，其特征在于，包括驱动基板，所述驱动基板上设有若干呈矩形阵列设置的发光单元，所述发光单元包括键合金属层，所述键合金属层底部与驱动基板相连，所述键合金属层上方设有第一发光层，所述第一发光层外壁沉积第一钝化层，所述第一发光层顶部设有透明键合层，所述透明键合层上方设有第二发光层，所述第二发光层外壁沉积第二钝化层，所述发光单元之间填充流平层，所述流平层顶部设有
N
电极层；所述第一发光层一侧设有
P
电极连接层，所述第一发光层底部的面积小于键合金属层顶部，所述第一钝化层一侧将键合金属层覆盖，另一侧键合金属层部分裸露，所述
P
电极连接层下端与键合金属层部分裸露处相连，所述
P
电极连接层上端与第二发光层的底部相连，所述第二发光层一侧设有
N
电极连接层，所述
N
电极连接层顶端与
N
电极层连接，所述透明键合层底部的面积小于第一发光层顶部，使第一发光层顶部一侧裸露，所述
N
电极连接层下端与第一发光层顶部裸露处相连
。2.
根据权利要求1所述的高亮度
MicroLED
，其特征在于，所述驱动基板是硅基
CMOS
背板或
TFT
场效应管显示基板，所述驱动基板有连接内部电路的金属触点
。3.
根据权利要求1所述的高亮度
MicroLED
，其特征在于，所述键合金属层是由金属膜或非金属膜复合而成的多层结构，所述金属膜和非金属膜均为导体，所述金属膜包括
Cr、Ni、Au、Ag、Sn、Ti、Pt
和
Pb
，所述非金属膜包括
ITO
膜
。4.
根据权利要求1所述的高亮度
MicroLED
，其特征在于，所述第一发光层和第二发光层均由外延片的外延层蚀刻成型，第一发光层和第二发光层的剖面为梯形
。5.
根据权利要求1所述的高亮度
MicroLED
，其特征在于，所述第一钝化层与第一发光层具有不同的折射率，通过调节倾斜角度使第一发光层形成的光部分全反射到第一发光层内部，所述第一钝化层材料包括
SiO2、Al2O3、SiN
或聚酰亚胺
、SU
‑8光刻胶及其他可光图案化的聚合物，所述第二钝化层结构和材料与第一钝化层相同
。6.
根据权利要求1所述的高亮度
MicroLED
，其特征在于，所述流平层为有机黑矩阵光刻胶
、
彩色滤光光刻胶
、
聚酰亚胺
、
挡墙胶
、OC
胶
、SU8
光刻胶
、
苯并环丁烯
、Al、Cu、Ag、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、Si3N4或
HfO2中的一种
。7.
根据权利要求1所述的高亮度
MicroLED
，其特征在于，所述透明键合层为透明树脂
、SiO2、SOG
旋涂玻璃中的一种
...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡溢，南海，高德寅，
申请(专利权)人：盐城鸿石智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：