一种单层制造技术

本发明专利技术公开一种单层

【技术实现步骤摘要】
一种单层MoS2/C3N4催化剂的制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及一种催化降解含硫
VOCs
气体的单层
MoS2/C3N4催化剂的制备方法，属于恶臭有机硫污染物处理

。

技术介绍

[0002]煤气化过程中不可避免的会产生硫化氢以及含硫挥发性有机物（
S
‑
VOCs
）如硫醇和硫醚等
。S
‑
VOCs
对环境和人类健康的影响主要表现为三个方面：一是具有较强的光化学活性，加剧光化学烟雾与雾霾的形成；二是严重腐蚀设备且易导致催化剂中毒；三是恶臭和毒害作用，严重影响人们生活质量
。
鉴于
S
‑
VOCs
的危害不容小觑，上世纪九十年代，国家
《
恶臭污染物排放标准
》
（
GB
‑
14554
‑
93
）就对它们的排放有非常严格的规定
。
甲硫醇（
CH3SH<br/>）的一...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种单层
MoS2/C3N4催化剂的制备方法，其特征在于：将表面活性剂和氮化碳溶于去离子水中，在
38~42℃
下恒温搅拌
20~24h
后；加入四硫代钼酸铵和水合肼，混匀后，在
90~100℃
下搅拌回流
7~9h
；固液分离，固体洗涤干燥，高温焙烧，即得单层
MoS2/C3N4催化剂
。2.
根据权利要求1所述的单层
MoS2/C3N4催化剂的制备方法，其特征在于：表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，表面活性剂和四硫代钼酸铵的摩尔比为
0:15~0.2:1
，表面活性剂与氮化碳的质量比为
0.3~0.5:1。3.
根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆继长，杨翼嘉，罗永明，张艺霖，方健，杨雪滢，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：