一种低功耗检测电路及其检测方法技术

本发明专利技术公开了一种低功耗检测电路及其检测方法，包含处理模块

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗检测电路及其检测方法


[0001]本专利技术涉及一种检测电路及其检测方法，特别是一种低功耗检测电路及其检测方法，属于半导体集成电路

。

技术介绍

[0002]Redriver
应用于高速接口，需要对接口是否端接下游设备进行检测，判断端接状态从而进行信号传输
。Redriver
不断发送端接检测脉冲至端接
PIN
脚，检测电路对端接
PIN
脚的信号进行检测
。
如果端接下游设备，端接
PIN
处于低阻抗状态，
PIN
脚处信号电压较低，检测电路输出低电平，说明已端接下游设备；如果未端接下游设备，端接
PIN
处于高阻抗状态，
PIN
脚处信号电压很高，检测电路输出高电平，说明未端接下游设备
。
[0003]对于端接检测，传统电路方案如图
9、
图
10
所示，采用两个比较器
CMP1、CMP2
，分别将输入信号
V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种低功耗检测电路，其特征在于：包含处理模块
、
比较器模块和输出缓冲器模块，处理模块的输出端与比较器模块的同向输入端连接，比较器模块的反向输入端连接参考电压
V
ref
，比较器模块的输出端与输出缓冲器模块的输入端连接，输出缓冲器模块的输出端连接输出信号
DET。2.
根据权利要求1所述的一种低功耗检测电路，其特征在于：所述处理模块包含
MOS
管
M
p1
、MOS
管
M
p2
、MOS
管
M
n1
、MOS
管
M
n2
、
电阻
R
p1
、
电阻
R
p2
和电阻
R
n1
，
MOS
管
M
p1
的
S
极连接电源
VDD
，
MOS
管
M
p1
的
D
极连接电阻
R
p1
的一端，
MOS
管
M
n1
的
S
极接地，
MOS
管
M
n1
的
D
极连接电阻
R
n1
的一端，
MOS
管
M
p2
的
S
极连接电源
VDD
，
MOS
管
M
p2
的
D
极连接电阻
R
p2
的一端，
MOS
管
M
n2
的
S
极接地，
MOS
管
M
n2
的
D
极与电阻
R
n1
的另一端
、
电阻
R
p1
的另一端和电阻
R
p2
的另一端连接并输出处理模块的输出信号
V
in,post
，
MOS
管
M
p1
的
G
极连接第一控制信号
ctl
p1
，
MOS
管
M
n1
的
G
极连接第二控制信号
ctl
n1
，
MOS
管
M
p2
的
G
极连接第三控制信号
ctl
p2
，
MOS
管
M
n2
的
G
极连接第四控制信号
ctl
n2
。3.
根据权利要求1所述的一种低功耗检测电路，其特征在于：所述比较器模块包含
MOS
管
M1、MOS
管
M2、MOS
管
M3、MOS
管
M4、MOS
管
M5、MOS
管
M6、MOS
管
M7、MOS
管
M8、MOS
管
M9、MOS
管
M
10
和
MOS
管
M
11
，
MOS
管
M1的
S
极连接电源
VDD
，
MOS
管
M1的
D
极与
MOS
管
M2的
S
极和
MOS
管
M3的
S
极连接，
MOS
管
M1的
G
极连接偏置电压
V
bias
，
MOS
管
M2的
D
极与
MOS
管
M4的
D
极
、MOS
管
M4的
G
极
、MOS
管
M6的
G
极
、MOS
管
M7的
D
极和
MOS
管
M8的
G
极连接，
MOS
管
M2的
G
极连接参考电压
V
ref
， MOS
管
M3的
D
极与
MOS
管
M5的
D
极
、MOS
管
M5的
G
极
、MOS
管
M7的
G
极
、MOS
管
M6的
D
极和
MOS
管
M9的
G
极连接，
MOS
管
M3的
G
极作为比较器模块的输入端，
MOS
管
M4的
S
极
、MOS
管
M6的
S
极
、MOS
管
M8的
S
极
、MOS
管
M5的
S
极
、MOS
管
M7的
S
极和
MOS
管
M9的
S
极接地，
MOS
管
M8的
D
极与
MOS
管
M
10
的
D
极
、MOS
管
M
10
的
G
极和
MOS
管
M
11
的
G
极连接，
MOS
管
M9的
D
极与
MOS
管
M
11
的
D
极连接并作为输出比较器模块的输出端，
MOS
管
M
10
的
S
极和
MOS
管
M
11
的
S
极连接电源
VDD。4.
根据权利要求1所述的一种低功耗检测电路，其特征在于：所述输出缓冲器模块包含反相器
INV1
和反相器
INV2
，反相器
INV1
的输入端作为输出缓冲器模块的输入端，反相器
INV1
的输出端连接反相器
INV2
的输入端，反相器
INV2
的输出端作为输出缓冲器模块的输出端并连接输出信号
DET。5.
一种权利要求1‑4任一项所述的低功耗检测电路的检测方法，其特征在于包含以下步骤：
S1、
通过控制
MOS
管
M
P1
的
G
极的第一控制信号
ctl
p1
和
MOS
管

【专利技术属性】
技术研发人员：曹香凝，庄华龙，周小添，
申请(专利权)人：江苏帝奥微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：