一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法技术

技术编号:39654469 阅读:18 留言:0更新日期:2023-12-09 11:23
本发明专利技术公开了一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法,为

【技术实现步骤摘要】
一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法



[0001]本专利技术涉及发光材料
,具体涉及一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法


技术介绍


[0002]高质量近红外光源的研制亦成为当下科研人员竞逐的热点

结合当下的
LED
芯片技术,若要获得高质量的近红外光源器件,最便捷的方式便是在
LED
芯片上涂敷一层近红外光荧光粉

考虑到市场上蓝光
LED
芯片技术最为成熟,造价成本相对低廉,近红外光技术的关键等价于研制可被蓝光芯片激发的近红外光转换材料

三价铬离子激活的近红外光荧光粉便是不错的选择
。Cr
3+
在占据石榴石结构化合物中的六配位格位时,其激发光谱在紫外区,蓝光区,红光区均表现出不错的激发强度


Cr
3+
对晶体场的敏感性赋予使其发射光谱具备灵活可变的重要特性

在适宜的晶体场环境中,仅凭
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...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉,其特征在于,为
Cr
3+
、Ga
3+
共掺杂
NaY2In3Ge2O
12
近红外光荧光材料,其化学组成表示式为:
NaY2In
3(1

x

y)
Ge2O
12
:xCr,yGa

x
为掺杂的
Cr
3+
浓度,
y
为掺杂的
Ga
3+
浓度,其中:
0<x≤0.05

0.5≤y≤0.85。2.
如权利要求1所述的钠铟石榴石基近红外光荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:按化学组成分别称取含有钠







铬和镓金属元素的原料,其中,金属元素物质的量之比为
Na:Y:In:Ge:Cr:Ga

1:2:3

3x

3y:2:3x:3y
,其中:
0<x≤0.05

0.5≤y≤0.85
,额外加入
10

15wt
%的
Ga2O3用于补偿高温固相反应...

【专利技术属性】
技术研发人员:李俊豪谢飞燕霍见生周建邦张秋红倪海勇
申请(专利权)人:广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
类型:发明
国别省市:

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