具有盖体的保护元件制造技术

本发明专利技术为一种具有盖体的保护元件，包含有基座及盖体，基座上设有低熔点合金层，盖体上设有容置槽及引道，引道对应于低熔点合金层的熔断区，助熔剂点设于该盖体的容置槽上，则当助熔剂熔融时，沿容置槽流入引道，而使得助熔剂能维持于低熔点合金层的熔断区上，故制造时仅须点设助熔剂于容置槽即可，可有效减少制造步骤进而降低生产成本

【技术实现步骤摘要】
具有盖体的保护元件


[0001]本专利技术是有关于一种保护元件，指用于电路中与其余电子元件连接，来对瞬间过电流提供保护效果的保护元件
。

技术介绍

[0002]充电电路通常会设置有一保护元件，使该充电电路于电池发生过电流或过电压等异常状况时，该保护元件能够切断该充电电路的充电回路，保护该充电电路
。
现有技术的保护元件包含有设置于本体上的低熔点合金层，低熔点合金层连接电极层，当电路通路时，电流通过电极层来通过低熔点合金层，当过电流或过电压时，低熔点合金层将因过热而熔断，来使得电路断路以保护电路
。
[0003]在现有技术中，低熔点合金层上多半会涂覆助熔剂，助熔剂除了能够协助低熔点合金层熔化，并且能在一般时候保护低熔点合金层，使其不易氧化
。
然而，均匀涂覆助熔剂于低熔点合金层上，往往费时费工，故现有技术确有其须改进之处
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术针对保护元件的结构加以改良，以期能够省时省力的将助熔剂均匀涂覆在低熔点合金层上
。
[0005]为达到上述专利技术目的，本专利技术提供一种保护元件，其包括：
[0006]一本体，该本体包含有：
[0007]一基座，其为电绝缘材质并具有一第一表面及一第二表面；
[0008]一内连接层，其形成于该基座的第一表面；
[0009]一外连接层，其形成于该基座的第二表面且与该内连接层形成电连接；
[0010]一低熔点合金层，其设置于该基座的第一表面，且与该内连接层形成电连接，该低熔点合金层上具有至少一熔断区；
[0011]一盖体，其盖设于该本体上，该盖体的内侧面设有一容置槽及至少一引道，该容置槽与所述引道相连通，各所述引道对应于该低熔点合金层的其中一熔断区；
[0012]一助熔剂，其点设于该盖体的容置槽中，当该保护元件温度开始上升时，该助熔剂进入熔融状态而由该容置槽流入所述引道中，而使得助熔剂能对应设置于该低熔点合金层的熔断区上
。
[0013]本专利技术的优点在于，借由盖体上容置槽与引道的设计，来使得助熔剂在熔融状态下能维持在低熔点合金层的熔断区上，而生产时也仅需要将助熔剂点设于该容置槽上，可有效减少生产步骤，则可节省生产步骤及成本
。
[0014]为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下，但不作为对本专利技术的限定
。
附图说明
[0015]图1为本专利技术的立体图；
[0016]图2为本专利技术的元件分解图；
[0017]图3为图2中的基座沿
A
‑
A
割面线的剖面图；
[0018]图4为图2中的基座沿
B
‑
B
割面线的剖面图；
[0019]图5为本专利技术另一视角的元件分解图；
[0020]图6为本专利技术在助熔剂未熔融之前的侧视剖面图；
[0021]图7为本专利技术在助熔剂未熔融之前的端视剖面图；
[0022]图8为本专利技术在助熔剂熔融之后的侧视剖面图；
[0023]图9为本专利技术在助熔剂熔融之后的端视剖面图；
[0024]图
10
为本专利技术在助熔剂熔融之后的立体透视图，其中盖体为透明显示
。
[0025]其中，附图标记：
[0026]10:
本体
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11:
基座
[0027]111:
第一表面
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112:
第二表面
[0028]12:
内连接层
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121:
内回路电极
[0029]13:
外连接层
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131:
外回路电极
[0030]14:
发热层
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15:
低熔点合金层
[0031]151:
熔断区
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16:
发热电极单元
[0032]161:
内发热电极
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162:
外发热电极
[0033]20:
盖体
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21:
内侧面
[0034]22:
容置槽
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221:
侧挡墙
[0035]222:
容置空间
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23:
引道
[0036]231:
凸肋
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232:
阶级部
[0037]233:
矮壁
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234:
长侧壁
[0038]30:
助熔剂
具体实施方式
[0039]以下配合附图及本专利技术的实施例，进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段，其中附图仅为了说明目的而已被简化，并通过描述本专利技术的元件和组件之间的关系来说明本专利技术的结构或方法专利技术，因此，图中所示的元件不以实际数量
、
实际形状
、
实际尺寸以及实际比例呈现，尺寸或尺寸比例已被放大或简化，借此提供更好的说明，已选择性地设计和配置实际数量
、
实际形状或实际尺寸比例，而详细的元件布局可能更复杂
。
[0040]请参阅图1所示，本专利技术包含有一本体
10
及一盖体
20。
[0041]请参阅图1至图4所示，前述的本体
10
包含有一基座
11、
一内连接层
12、
一外连接层
13、
一发热层
14、
一低熔点合金层
15。
该基座
11
为单一电绝缘材质，并包含一第一表面
111
及一第二表面
112。
该内连接层
12
形成于该基座
11
的第一表面
111。
该外连接层
13
形成于该基座
11
的第二表面
112
，并与该内连接层
12
形成电连接，该外连接层
13
用以和外部充电回路形成电连接
。
该发热层
14
埋设于该基座
11
内且被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种保护元件，其特征在于，其包括：一本体，该本体包含有：一基座，其为电绝缘材质并具有一第一表面及一第二表面；一内连接层，其形成于该基座的第一表面；一外连接层，其形成于该基座的第二表面且与该内连接层形成电连接；一低熔点合金层，其设置于该基座的第一表面，且与该内连接层形成电连接，该低熔点合金层上具有至少一熔断区，各所述熔断区相邻于该低熔点合金层与该内连接层相连接之处；一盖体，其盖设于该本体上，该盖体的内侧面设有一容置槽及至少一引道，该容置槽与所述引道相连通，各所述引道对应于该低熔点合金层的其中一熔断区；一助熔剂，其点设于该盖体的容置槽中，当该保护元件温度开始上升时，该助熔剂进入熔融状态而由该容置槽流入所述引道中，而使得助熔剂能对应设置于该低熔点合金层的熔断区上
。2.
如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，其中该盖体的引道的数量为二，所述两个引道分别设于该容置槽的两侧
。3.
如权利要求2所述的保护元件，其特征在于，其中所述引道呈平行设置，且所述引道与该容置槽成垂直设置
。4.
如权利要求3所述的保护元件，其特征在于，其中该容置槽由两侧挡墙及一容置空间所构成，所述两侧挡墙分别设置于该容置空间的两侧，各所述引道包含有一凸肋，该凸肋垂直设置于所述侧挡墙的其中一端部，该凸肋具有一阶级部，该阶级部相邻于该容置槽的容置空间并与其相连通，该阶级部远离于该容置空间之侧为一长侧壁
。5.
如权利要求4所述的保护元件，其特征在于，其中所述凸肋相邻于所述侧挡墙的矮壁的厚度小于该侧挡墙的厚度
。6.
如权利要求1至5中任一项所述的保护元件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱鸿智，邱柏硕，
申请(专利权)人：功得电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：