一种声表面波谐振器及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种声表面波谐振器及制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波谐振器及制备方法、滤波器


[0001]本专利技术涉及射频
，更具体地说，涉及一种声表面波谐振器及制备方法
、
滤波器
。

技术介绍

[0002]声表面波
(Surface Acoustics Wave
，
SAW)
谐振器及滤波器是一种广泛应用于射频领域的声学器件，集较低的插损和良好的抑制性能于一体，并且体积也较小，主要利用压电效应将电能和机械能互相转换，但同时，
SAW
谐振器及滤波器也有相应的局限性，其中之一在于易受温度变化的影响，即温度升高时，基片材料的刚度趋于变小
、
声速也会降低
。
[0003]基于此，近年一种新的器件设计逐步开始在射频滤波器件中得到了越来越多的应用，即带有温度补偿功能的
SAW(Temperature compensated SAW
，
TC
‑
SAW)
谐振器及滤波器；
TC
‑
SAW
谐振器及滤波器通过在叉指本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：衬底；所述衬底包括第一区域以及第二区域；位于所述第一区域一侧的叉指电极；所述叉指电极包括：第一汇流条，以及与所述第一汇流条相对设置的第二汇流条；在第一方向上，位于所述第一汇流条一侧且依次间隔设置的多个第一电极指；位于所述第二汇流条一侧且依次间隔设置的多个第二电极指；所述第一电极指以及所述第二电极指位于所述第一汇流条与所述第二汇流条之间；且在所述第一方向上，所述第一电极指与所述第二电极指依次交替排布；所述第一方向平行于所述衬底所在平面，且由所述第一汇流条的端部指向所述第一汇流条的中间位置；在第二方向上；所述第一电极指与所述第二汇流条之间具有第一间隔；所述第二电极指与所述第一汇流条之间具有第二间隔；所述第二方向平行于所述衬底所在平面，且垂直于所述第一方向；在所述第一方向上，所述第一间隔在所述第二方向上的宽度等差递减，且所述第二间隔在所述第二方向上的宽度等差递减
。2.
根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：位于所述衬底设置有所述叉指电极一侧的第一介质层以及声速提高层；所述叉指电极包括第三区域以及位于所述第三区域外侧的第四区域；所述第三区域为多个所述第一电极指与多个所述第二电极指在所述第一方向上的交叠区域；所述第一介质层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三区域在所述衬底上的正投影以及所述衬底的第二区域；所述声速提高层在所述衬底上的正投影覆盖所述第四区域在所述衬底上的正投影
。3.
根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：位于所述衬底设置有所述叉指电极一侧的第一介质层以及声速提高层；所述叉指电极包括第三区域以及位于所述第三区域外侧的第四区域；所述第三区域为多个所述第一电极指与多个所述第二电极指在所述第一方向上的交叠区域；所述第一介质层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三区域在所述衬底上的正投影；所述声速提高层在所述衬底上的正投影覆盖所述第四区域在所述衬底上的正投影以及所述衬底的第二区域
。4.
根据权利要求2或3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：位于所述第一介质层背离所述衬底一侧的声速降低层；所述第三区域在所述衬底上的正投影至少覆盖所述声速降低层在所述衬底上的正投影
。5.
根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：位于所述第一介质层设置有所述声速降低层一侧的第二介质层
。6.
根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一介质层为温度补偿层；所述第二介质层为温度补偿层
。7.
根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，在所述第二方向上，第一间隔的距离范围为
0.25
λ
‑2λ
，
λ
为所述声表面波谐振器中的声波波长；
在所述第二方向上，所述第二间隔的距离范围为
0.25
λ
‑2λ
。8.
根据权利要求2或3所述的声表面波谐振器，其特征在于，在第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘贤栋，高安明，路晓明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：