【技术实现步骤摘要】
一种电子级三氟化氯合成用微通道反应器
[0001]本专利技术涉及一种电子级三氟化氯合成用微通道反应器,其主要用于三氟化氯的合成反应加工
。
技术介绍
[0002]三氟化氯是新一代绿色环保型半导体新品干法原位蚀刻清洗剂,具有极高的蚀刻速率和清洗效率,主要运用于芯片制造;同时,三氟化氯还具有极强的氧化性,因此其还可运用于特殊先进材料及特种重大装备制造领域
。
[0003]由于微通道反应器具有很大的比表面积,能够使物料得到充分反应,因此可显著缩短传质路径及反应时间,并能够实现对反应过程的精确控制,从而获得更高的反应收率和选择性
。
使用微通道形式的新型反应器以进行三氟化氯合成反应加工,可有效提升三氟化氯合成效率
。
现有的微通道反应器在对三氟化氯进行合成反应加工时存在以下缺陷:1)合成效率的提升量较为有限,难以得到进一步的突破;2)由于三氟化氯是已知最活泼的化合物之一,其有毒
、
且具有强腐蚀性,现有的微通道反应器缺乏充分的防泄漏设计
、
以及泄漏监测,导致现有的微通道反应器在对三氟化氯进行合成反应加工时,存在安全隐患
。
[0004]因此,设计一款能够有效进一步提升三氟化氯合成效率,且能够在三氟化氯的合成反应过程中,充分实现防泄漏
、
并有效实时对泄漏进行监测的电子级三氟化氯合成用微通道反应器是本专利技术的研究目的
。
技术实现思路
[0005]针对上述现有技术存在的技术问题,本 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种电子级三氟化氯合成用微通道反应器,其特征在于:包括下固定压板(1),所述下固定压板(1)的底部左侧固定焊接有一相应的进料阀块(2),所述进料阀块(2)上并排设置有氯气进气孔(
201
)
、
氟气进气孔(
202
),所述下固定压板(1)上贯穿设置有与所述进料阀块(2)的氯气进气孔(
201
)
、
氟气进气孔(
202
)相连通的第一导通孔(
101
)和第二导通孔(
102
);上固定压板(3),所述上固定压板(3)的顶部左侧固定焊接有一相应的出料阀块(4),所述出料阀块(4)上设置有三氟化氯出料孔(
401
),所述上固定压板(3)上贯穿设置有与所述三氟化氯出料孔(
401
)相连通的第三导通孔(
301
);混合反应装置(5),包含闭合安装到所述下固定压板(1)上侧的下混合反应板(
501
)
、
以及闭合安装到所述下混合反应板(
501
)上侧的上混合反应板(
502
),所述下混合反应板(
501
)的左侧上表面设置有一连接到所述第一导通孔(
101
)的第一进气槽(6),下混合反应板(
501
)的上表面并排设置有多排进气端连接到所述第一进气槽(6)的第一反应通道(7),所述下混合反应板(
501
)的左侧底面设置有一连接到所述第二导通孔(
102
)的第二进气槽(8),所述第一反应通道(7)的进气端分别并联连接到所述第二进气槽(8)上,所述下混合反应板(
501
)的右侧上表面设置有连接到所述第一反应通道(7)的出料端的第一集气槽(9);所述上混合反应板(
502
)的右侧上表面设置有连接到所述第一集气槽(9)的第二集气槽(
10
),上混合反应板(
502
)的上表面并排设置有多排进气端连接到所述第二集气槽(
10
)的第二反应通道(
11
),上混合反应板(
502
)的左侧上表面设置有连接到所述第二反应通道(
11
)的出料端的第三集气槽(
12
);混合加强机构(
13
),包含多个按间隔连通设置于所述第一反应通道(7)
、
第二反应通道(
11
)上的混合加强区(
1301
),所述混合加强区(
1301
)的进气端部分别设置有挡位块(
1302
),所述挡位块(
1302
)呈三角形状设置;催化反应装置(
14
),包含闭合安装到所述上混合反应板(
502
)上侧的下催化反应板(
1401
)
、
以及闭合安装到所述下催化反应板(
1401
)上侧的上催化反应板(
1402
),所述下催化反应板(
1401
)的左侧上表面设置有连接到所述第三集气槽(
12
)的第四集气槽(
15
),下催化反应板(
1401
)的上表面并排设置有多排进气端连接到所述第四集气槽(
15
)的第三反应通道(
16
),下催化反应板(
1401
)的右侧上表面设置有连接到所述第三反应通道(
16
)的出料端的第五集气槽(
17
);所述上催化反应板(
1402
)的右侧上表面设置有连接到所述第五集气槽(
17
)的第六集气槽(
18
),上催化反应板(
1402
)的上表面并排设置有多排进气端连接到所述第六集气槽(
18
)的第四反应通道(
19
),上催化反应板(
1402
)的左侧上表面设置有连接到所述第四反应通道(
19
)的出料端的第七集气槽(
20
),所述第七集气槽(
20
)连接到所述第三导通孔(
301
)上;镍基金属催化剂层,固定设置于所述第三反应通道(
16
)
、
以及第四反应通道(
19
)的内表面上;所述下固定压板(1)
、
下混合反应板(
501
)
、
上混合反应板(
502
)
、
下催化反应板(
1401
)
【专利技术属性】
技术研发人员:王凤侠,赖金香,王熙,
申请(专利权)人:福建德尔科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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