形成制造技术

本发明专利技术提供一种形成

【技术实现步骤摘要】
形成Nord Flash位线的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种形成
Nord Flash
位线的方法
。

技术介绍

[0002]Nord Flash
结构非自对准工艺中，位线和字线区域同步刻蚀填上多晶硅
。
位线区域多晶硅去除和控制栅接触形成是分开刻蚀，需要使用两层光罩，成本较高
。
[0003]为解决上述问题，需要提出一种新型的形成
Nord Flash
位线的方法
。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种形成
Nord Flash
位线的方法，用于解决现有技术中
Nord Flash
结构非自对准工艺中，位线和字线区域同步刻蚀填上多晶硅
。
位线区域多晶硅去除和控制栅接触形成是分开刻蚀，需要使用两层光罩，成本较高的问题
。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种形成
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种形成
Nord Flash
位线的方法，其特征在于，至少包括：步骤一
、
提供衬底，所述衬底上形成叠层，所述叠层由自下而上依次堆叠的第一氧化层
、
浮栅多晶硅层
、
极间介质层
、
控制栅多晶硅层和硬掩膜层组成，在所述叠层上形成有存储单元结构和与所述存储单元结构连接的的耦合带结构，其中，所述存储单元结构包括形成于所述浮栅多晶硅层
、
极间介质层
、
控制栅多晶硅层和硬掩膜层上的第一
、
二凹槽；所述第一凹槽中形成有字线侧墙，所述第一凹槽中形成有字线氧化层，在所述字线氧化层上形成有填充所述第一凹槽的字线多晶硅，所述第二凹槽中形成有位线侧墙，所述第二凹槽中形成有位线氧化层，在所述位线氧化层上形成有填充所述第二凹槽的位线多晶硅；所述耦合带结构包括形成于所述浮栅多晶硅层
、
极间介质层
、
控制栅多晶硅层和硬掩膜层上的第三凹槽；所述第三凹槽中形成有耦合带侧墙，所述第三凹槽中形成有耦合带氧化层，在所述耦合带氧化层上形成有填充所述第三凹槽的耦合带多晶硅；步骤二
、
形成覆盖所述存储单元结构和所述耦合带结构的光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层，使得所述位线多晶硅和所述耦合带结构裸露；步骤三
、
利用多晶硅和所述硬掩膜层无选择比的刻蚀工艺刻蚀裸露的所述位线多晶硅和所述耦合带结构，使得刻蚀区域中的部分所述硬掩膜层保留在所述控制栅多晶硅层上；步骤四
、
利用多晶硅相对于所述硬掩膜层
、
所述位线氧化层
、
所述耦合带氧化层
、
所述第一氧化层高选择比的刻蚀工艺刻蚀去除所述位线多晶硅和所述耦合带多...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁轩铭，李志国，徐杰，周洋，李先宏，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：