加速制造技术

本申请提供了加速

【技术实现步骤摘要】
加速SiC MOSFET双极退化的测试方法及装置


[0001]本申请涉及电子设备测试领域，特别是加速
SiC MOSFET
双极退化的测试方法及装置
。

技术介绍

[0002]与
Si
材料相比，
SiC
材料因其禁带宽度宽
、
临界击穿电场强度大
、
高电子饱和漂移速度和高热导率等更加优异的特性，在高温
、
高频
、
大功率领域得到广泛研究和应用，
SiC
半导体器件能够实现更快的开关频率
、
更高的功率密度和更卓越的性能
。
由于
SiC
工艺的发展受限，
SiC
衬底和外延材料中存在着基底面位错（
BPD
）
。
在
SiC
双极型器件运行过程中，电子和空穴因复合所释放能量将导致堆垛层错在
BPD
处发生蔓延，直至蔓延到器件表面
。
堆垛层错蔓延的区域将导致载流子寿命降低且无法传导电流，这种现象称之为双极退化
。
[0003]SiC MOSFET
器件虽然是单极型器件，其体二极管在器件处于续流工作条件下导通时，
BPD
的存在最终将导致体二极管发生双极退化
。
不仅导致体二极管的导通压降变大，阻碍其体二极管在续流电路中的应用
。
同时也将导致
SiC MOSFET
器件的正向导通压降和导通电阻变大，严重影响着
SiC MOSFET
器件的正向特性和可靠性，限制了高压大功率
SiC MOSFET
器件的发展
。
[0004]目前，
SiC MOSFET
体二极管双极退化的测试方法温度条件设置简单无实时监测温度，且在实验过程中施加的直流电流应力偏小，难以在实验中观察到体二极管的双极退化现象
。

技术实现思路

[0005]鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的加速
SiC MOSFET
双极退化的测试方法及装置，包括：加速
SiC MOSFET
双极退化的测试方法，包括步骤：获取预设数量的目标型号
SiC MOSFET
器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号
SiC MOSFET
器件进行测试；获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的测试参数，并通过所述静态参数
、
动态参数与所述测试参数确定退化情况
。
[0006]进一步地，所述获取预设数量的目标型号
SiC MOSFET
器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数的步骤，包括：获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的静态参数；其中，所述静态参数包括导通电阻
、
阈值电压和体二极管导通电压；获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的动态参数；其中，所述动态参数包括体二极
管反向恢复电荷
。
[0007]进一步地，所述依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号
SiC MOSFET
器件进行测试的步骤，包括：依据所述静态参数确定栅极驱动负压与初始直流电流；依据所述初始直流电流确定电流直流应力变化曲线；依据所述电流直流应力变化曲线调整直流电流对所述目标型号
SiC MOSFET
器件进行测试
。
[0008]进一步地，所述获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围的步骤，包括：通过所述静态参数确定所述目标型号
SiC MOSFET
器件的壳温的预设范围；获取所述壳温并通过水冷散热使所述壳温进行调整
。
[0009]进一步地，所述获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的测试参数，并通过所述初始参数与所述测试参数确定退化情况的步骤，包括：获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的测试参数；其中，所述测试参数包括测试动态参数与测试静态参数；通过所述测试动态参数
、
所述测试静态参数
、
所述静态参数和所述动态参数生成参数差值；依据所述参数差值与预设标准确定所述目标型号
SiC MOSFET
器件是否达到退化标准
。
[0010]进一步地，还包括：获取当前测试环境信息；依据所述环境信息调节测试环境
。
[0011]进一步地，还包括：将被测目标型号
SiC MOSFET
器件冷却
20—60min
；对所述目标型号
SiC MOSFET
器件复测测试参数
。
[0012]加速
SiC MOSFET
双极退化的测试装置，所述加速
SiC MOSFET
双极退化的测试装置实现上述任一项所述的加速
SiC MOSFET
双极退化的测试方法的步骤，包括：实验测试模块，用于获取若干同型号
SiC MOSFET
器件的初始参数；驱动模块，用于依据所述初始参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述
SiC MOSFET
器件进行测试；控温模块，用于通过温度处理装置与水冷散热装置使所述
SiC MOSFET
器件的壳温调整至预设范围；退化确定模块，用于获取所述
SiC MOSFET
器件的实验参数，并通过所述初始参数与所述实验参数确定退化情况
。
[0013]一种电子设备，包括处理器
、
存储器及存储在所述存储器上并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述任一项所述的加速
SiC MOSFET
双极退化的测试方法的步骤
。
[0014]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述任一项所述的加速
SiC MOSFET
双极退化的测试方法的
步骤
。
[0015]本申请具有以下优点：在本申请的实施例中，相对于现有技术中的测试方法不关注温度，测试过程电流应力偏小的问题，本申请提供了通过控制壳温增大电流应力以加速测试的解决方案，具体为：获取预设数量的目标型号
SiC MOSFET...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
加速
SiC MOSFET
双极退化的测试方法，其特征在于，包括步骤：获取预设数量的目标型号
SiC MOSFET
器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数；依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号
SiC MOSFET
器件进行测试；获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围；获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的测试参数，并通过所述静态参数
、
动态参数与所述测试参数确定退化情况
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取预设数量的目标型号
SiC MOSFET
器件的初始参数；其中，所述初始参数包括静态参数和动态参数的步骤，包括：获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的静态参数；其中，所述静态参数包括导通电阻
、
阈值电压和体二极管导通电压；获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的动态参数；其中，所述动态参数包括体二极管反向恢复电荷
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述静态参数和所述动态参数确定测试条件，并依据所述测试条件对所述目标型号
SiC MOSFET
器件进行测试的步骤，包括：依据所述静态参数确定栅极驱动负压与初始直流电流；依据所述初始直流电流确定电流直流应力变化曲线；依据所述电流直流应力变化曲线调整直流电流对所述目标型号
SiC MOSFET
器件进行测试
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的壳温并将所述壳温调整至预设范围的步骤，包括：通过所述静态参数确定所述目标型号
SiC MOSFET
器件的壳温的预设范围；获取所述壳温并通过水冷散热使所述壳温进行调整
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述目标型号
SiC MOSFET
器件的测试参数，并通过所述初始参数与所述测试参数确定退化情况的步骤，包括：获取所述目标型号

【专利技术属性】
技术研发人员：汪之涵，温正欣，刘恒，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：