【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置、光检测系统、电子设备和移动体
[0001]本专利技术涉及各自包括用于执行光电转换的光电转换元件的光检测装置
、
光检测系统
、
电子设备和移动体
。
技术介绍
[0002]迄今为止，本申请人已经提出了能够提高光学特性的摄像元件以及包括该摄像元件的摄像装置
(
例如，参见专利文献
1)。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请特开第
2019
‑
16667
号
技术实现思路
[0006]然而，对于摄像装置中所使用的光检测装置，期望能够进一步提高性能
。
[0007]因此，本专利技术期望一种提供具有高性能的光检测装置
。
[0008]根据本专利技术一个实施方案的光检测装置包括有效区域和周边区域
。
所述有效区域沿着第一平面延展且包括第一光电转换部，所述第一光电转换部检测第一波长范围内的光以执行光电转换
。
所述周边区域被设置成沿着所述第一平面与所述有效区域相邻
。
所述周边区域包括与所述第一光电转换部以间隔开的方式相邻的结构体，所述结构体具有与所述第一光电转换部的全部或所述第一光电转换部的一部分实质上相同的构造
。
[0009]在根据本专利技术一个实施方案的光检测装置中，在与包括第一光电转换部的有效区域相邻的周边区域中设置有结构体
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
光检测装置，包括：有效区域，其沿着第一平面延展，且包括第一光电转换部，所述第一光电转换部检测第一波长范围内的光以执行光电转换；和周边区域，其被设置成沿着所述第一平面与所述有效区域相邻，其中，所述周边区域包括与所述第一光电转换部以间隔开的方式相邻的结构体，所述结构体具有与所述第一光电转换部的全部或所述第一光电转换部的一部分实质上相同的构造
。2.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一光电转换部和所述结构体各自具有多层结构，在所述多层结构中，在与所述第一平面正交的第一方向上依次层叠有第一电极层
、
光电转换层和第二电极层
。3.
根据权利要求2所述的光检测装置，其中，所述第一电极层和所述第二电极层中的至少一者包括金属氧化物
。4.
根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述金属氧化物包括铟
(In)、
锌
(Zn)、
镓
(Ga)
中的至少一种
。5.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中，在所述第一光电转换部与所述结构体之间形成有狭缝，所述狭缝位于所述有效区域与所述周边区域之间的边界处，并且所述狭缝的沿着所述第一平面的宽度相对于所述狭缝的在与所述第一平面正交的第一方向上的深度的比等于或小于
1。6.
根据权利要求5所述的光检测装置，其中，所述狭缝被绝缘材料填埋
。7.
根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：第二光电转换部，其在与所述第一平面正交的第一方向上与所述第一光电转换部彼此重叠，所述第二光电转换部检测第二波长范围内的光以执行光电转换；和光学滤波器，其夹在所述第一光电转换部和所述第二光电转换部之间，所述光学滤波器允许所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的...
【专利技术属性】
技术研发人员：福岛航平，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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