光检测装置和电子设备制造方法及图纸

提供了一种具有提高的量子效率

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置和电子设备


[0001]本专利技术涉及光检测装置和电子设备
。

技术介绍

[0002]近年来，以长波的长光作为检测对象的装置
(
光检测装置
)
的使用越来越多
。
硅难以吸收长波长的光
。
因此，当长波长光入射到光检测装置的光电转换部上时，入射光穿过光电转换部并且出射至相邻的光电转换部，这会降低量子效率
QE。
当出射光被相邻的光电转换部检测到时，会发生光的混色
(
串扰
)。
[0003]已经提出了一种技术
(
参考专利文献
1)
，其具有位于光电转换部之间的像素分隔部，以此作为在提高量子效率
QE
的同时抑制光的混色
(
串扰
)
的一种方式
。
专利文献1所述的技术涉及使像素分隔部反射穿过光电转换部之后照射在像素分隔部上的入射光，从而使得被反射的入射光返回光电转换部，从而提高量子效率
QE
并同时抑制光的混色
(
串扰
)。
[0004]引用文献列表
[0005]专利文献
[0006]日本专利特开第
2017
‑
191950
号公报

技术实现思路

[0007][
技术问题
][0008]然而，在长波长光导致量子效率
QE
下降并导致光的混色时，起作用的主要因素是被配线层中的配线或被基板与配线层之间的界面边界反射的光分量
。
由此可见，在专利文献1中所述的技术
(
光电转换部
)
在提高量子效率
QE
或抑制光的混色方面是不够的
。
[0009]本专利技术的目的是提供一种能够抑制光的混色并同时能够提高量子效率
QE
的光检测装置和电子设备
。
[0010][
技术问题的解决方案
][0011]根据本专利技术，提供了一种光检测装置，包括
(a)
基板，
(b)
多个像素，所述多个像素构造为在所述基板上二维排列并且分别具有光电转换部，
(c)
遮光膜，所述遮光膜构造为布置在所述基板的光接收面一侧并且针对各个所述像素具有相同形状的开口部，以及
(d)
像素分隔部，所述像素分隔部构造为布置在所述基板上的所述光电转换部之间并且具有沟槽部，其中
(e)
所述多个像素包括第一像素和第二像素，入射光中的全光谱光或者在等于或高于预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第一像素，所述入射光中的在低于所述预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第二像素，
(f)
在垂直于所述基板的光接收面的截面中，在平行于所述光接收面的方向上排布的所述遮光膜的多个截面的宽度方向中心之间的距离是恒定的第一距离，以及
(g)
在垂直于所述基板的光接收面的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述像素分隔部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离
。
[0012]根据本专利技术，提供了一种具有光检测装置的电子设备，所述光检测装置包括
(a)
基
板，
(b)
多个像素，所述多个像素构造为在所述基板上二维排列并且分别具有光电转换部，
(c)
遮光膜，所述遮光膜构造为布置在所述基板的光接收面一侧并且针对各个所述像素具有相同形状的开口部，以及
(d)
像素分隔部，所述像素分隔部构造为布置在所述基板上的所述光电转换部之间并且具有沟槽部，其中
(e)
所述多个像素包括第一像素和第二像素，入射光中的全光谱光或者在等于或高于预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第一像素，所述入射光中的在低于所述预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第二像素，
(f)
在垂直于所述基板的光接收面的截面中，在平行于所述光接收面的方向上排布的所述遮光膜的多个截面的宽度方向中心之间的距离是相同的第一距离，以及
(g)
在垂直于所述基板的光接收面的截面中，定位为夹持所述第一像素中的所述光电转换部的所述像素分隔部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离
。
附图说明
[0013]图1是作为本专利技术的第一实施方案的固态摄像装置的总体构造图
。
[0014]图2是固态摄像装置的沿着图1中的线
A
‑
A
截取的剖视图
。
[0015]图3是固态摄像装置的沿着图2中的线
B
‑
B
截取的剖视图
。
[0016]图4是固态摄像装置的沿着图2中的线
C
‑
C
截取的剖视图
。
[0017]图5是固态摄像装置的沿着图2中的线
D
‑
D
截取的剖视图
。
[0018]图6是现有的固态摄像装置的剖视图
。
[0019]图7是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线
A
‑
A
截取的剖视图
。
[0020]图8是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线
A
‑
A
截取的剖视图
。
[0021]图9是固态摄像装置的替代示例的沿着图8中的线
E
‑
E
截取的剖视图
。
[0022]图
10
是另一现有的固态摄像装置的剖视图
。
[0023]图
11
是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线
A
‑
A
截取的剖视图
。
[0024]图
12
是固态摄像装置的替代示例的沿着图2中的线
D
‑
D
截取的剖视图
。
[0025]图
13
是固态摄像装置的替代示例的沿着图2中的线
D
‑
D
截取的剖视图
。
[0026]图
14
是固态摄像装置的替代示例的沿着图2中的线
B
‑
B
截取的剖视图
。
[0027]图
15
是固态摄像装置的替代示例的沿着图1中的线
A
‑
A
截取的剖视图
。
[0028]图
16
是固态摄像装置的替代示例的沿着图
15
中的线
F
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种光检测装置，包括：基板；多个像素，所述多个像素构造为在所述基板上二维排列并且分别具有光电转换部；遮光膜，所述遮光膜构造为布置在所述基板的光接收面一侧并且针对各个所述像素具有相同形状的开口部；以及像素分隔部，所述像素分隔部构造为布置在所述基板上的所述光电转换部之间并且具有沟槽部，其中在垂直于所述基板的光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，在平行于所述光接收面的方向上排列的所述遮光膜的多个截面中的
、
定位为夹持着各所述开口部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是第一距离，所述第一距离是恒定的，多个所述像素包括第一像素和第二像素，入射光中的全光谱光或在等于或高于预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至所述第一像素，入射光中的在低于所述预定波长的波长区域中具有峰值波长的光入射至第二像素，并且在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述像素分隔部的两个截面的宽度方向中心之间的距离是不同于所述第一距离的第二距离
。2.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述预定波长为
780nm。3.
根据权利要求2所述的光检测装置，其中所述第一像素是白色像素或
IR
像素
。4.
根据权利要求1项所述的光检测装置，其中所述第二距离比所述第一距离长
。5.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第二距离比所述第一距离短
。6.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第二距离是这样的距离：在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述沟槽部的两个截面的宽度方向中心之间的距离
。7.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述像素分隔部形成于所述基板上的所述光电转换部之间，包括具有与所述光电转换部的电荷存储区域的导电类型相反的导电类型的半导体区域，并且具有形成在所述半导体区域中的所述沟槽部，以及所述第二距离是这样的距离：在垂直于所述基板的所述光接收面并且穿过相邻的两个所述开口部的中心的截面中，定位为夹持着所述第一像素中的所述光电转换部的所述相反的导电类型的半导体区域的两个截面的宽度方向中心之间的距离
。8.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田大三，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：