粘合剂前体组合物和来自其的可热膨胀的临时粘合剂制造技术

本公开提供了一种粘合剂前体组合物，该粘合剂前体组合物包含：多官能丙烯酸酯低聚物；包含丙烯酸酯单体的反应性稀释剂；光引发剂；和可热膨胀的微球，该可热膨胀的微球能够在膨胀起始温度

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合剂前体组合物和来自其的可热膨胀的临时粘合剂


[0001]本公开涉及粘合剂前体组合物和来自其的适用于临时粘结基底的可热膨胀的临时粘合剂
。
本公开还提供了由其制备的制品和使用可膨胀的临时粘合剂的方法
。

技术介绍

[0002]在半导体加工行业中，硅晶片的厚度减小已成为实现三维
、
高密度
、
薄形状因子封装件的重要方法
。
通过磨掉硅晶片的与其上放置集成电路的表面相对的后表面来执行厚度减小
。
在超薄晶片中，需要小于
50
μ
m
在一些情况下小于
10
μ
m
的厚度
。
在如此薄的厚度下，晶片是高度易碎的
。
减薄工艺和下游金属化的应力可导致引起翘曲或破裂的附加应力，并且因此降低产量
。
[0003]为了实现精确水平的厚度减小，在芯片制造过程中用于固定晶片的临时粘合剂已经经历了不断的发展
。WO2000040648A1
描述了包含环氧树脂的可热脱粘粘合剂，在该可热脱粘粘合剂中分布有可热膨胀的无机材料
。
更近期地，已经可获得采用光热转化涂层的商业解决方案
。
该涂层典型地是基于溶剂的丙烯酸溶液，其使得能够使用激光辐射在室温下将粘合剂无应力地脱粘到玻璃载体界面
。
美国专利第
8,800,631
号描述了粘合剂用于固定
50/>μ
m
厚的晶片的用途，该晶片随后被研磨至
25
μ
m
，其中使用了光热转化层和包含丙烯酸酯的接合层
。
为了使粘合剂脱粘，使用激光束源照射光热转化层，并且因此分解该光热转化层
。
[0004]期望通过提供以在脱粘期间最小化基底
(
例如晶片
)
上的机械应力的方式脱粘的粘合剂来改进用于例如超薄晶片加工的粘合剂体系
。
此外，期望这种粘合剂容易固化，具有合适的流变性，足够坚韧，并且可承受升高的工艺温度
。

技术实现思路

[0005]在一个方面，本公开提供了一种粘合剂前体组合物，该粘合剂前体组合物包含：多官能丙烯酸酯低聚物；包含丙烯酸酯单体的反应性稀释剂；光引发剂；和可热膨胀的微球，该可热膨胀的微球能够在膨胀起始温度
T
i
以上膨胀，其中粘合剂前体组合物在温度
T
a
下为液体，其中
T
a
小于
T
i
，并且粘合剂前体组合物的反应产物为在温度
T
tan
δ
最大
下具有
tan
δ
的最大值的可热膨胀的临时粘合剂，其中
T
tan
δ
最大
小于
T
i
。
在另一方面，本公开提供了一种可热膨胀的临时粘合剂，该可热膨胀的临时粘合剂包含根据本公开的任一种粘合剂前体组合物的粘合剂前体组合物的反应产物
。
在另一方面，本公开提供了一种制品，该制品包括第一基底
、
第二基底；和设置在第一基底与第二基底之间的可热膨胀的临时粘合剂，其中该可热膨胀的临时粘合剂是根据本公开的任一种粘合剂前体组合物的粘合剂前体组合物的反应产物
。
在又一方面，本公开提供了临时粘结两个基底的方法，该方法包括：提供第一基底和第二基底；将根据本公开的任一种粘合剂前体组合物的粘合剂前体组合物施加到第一基底的表面上；使第二基底的表面与粘合剂前体组合物的暴露表面接触；以及使粘合剂前体组合物经受光化辐射以固化粘合剂前体组合物，从而形成将第一基底和第二基底临时粘结在一起的
可热膨胀的临时粘合剂
。
该方法还可包括：将可热膨胀的临时粘合剂加热至大于
T
i
的温度
T
，从而使可热膨胀的微球膨胀，进而致使可热膨胀的临时粘合剂膨胀，从而形成膨胀的粘合剂，该膨胀的粘合剂促进第一基底和第二基底中的至少一者从膨胀的粘合剂脱粘
。
附图说明
[0006]图1是根据本公开的一些实施方案的示例性粘合剂前体组合物的示意性剖视图
。
[0007]图2是根据本公开的一些实施方案的可热膨胀的临时粘合剂的示意性剖视图
。
[0008]图3是根据本公开的一些实施方案的制品的示意性剖视图
。
[0009]图
4A
至图
4D
示出根据本公开的一些实施方案的临时粘结两个基底的方法
。
具体实施方式
[0010]除非本文另外指明或明确地与上下文矛盾，否则在描述本专利技术的上下文中
(
尤其是在以下权利要求书的上下文中
)
使用的术语“一个”、“一种”和“该”以及类似指代物应理解为既涵盖单数也涵盖复数
。
除非另外指明，否则术语“包含”、“具有”、“包括”和“含有”应理解为开放式术语
(
即，意指“包括但不限于”)。
除非本文另外指明，否则本文详述的值范围仅旨在充当单独指出落在该范围内的每个独立值的一种简便方法，并且每个独立值就像在本文中单独引用那样包括在说明书中
。
除非本文另外指明或明确地与上下文矛盾，否则本文所述的所有方法都可以按照任何合适的顺序进行
。
除非另外声明，否则本文提供的任何和全部示例或示例性语言
(
例如，“诸如”)
的使用仅仅旨在更好地阐述本专利技术，而不应理解为限制本专利技术的范围
。
本说明书中的任何语言都不应理解为表明任何不受权利要求书保护的要素是实践本专利技术所必需的
。
[0011]本专利技术描述了粘合剂前体组合物，该粘合剂前体组合物在固化后提供可热膨胀的临时粘合剂，该可热膨胀的临时粘合剂可用于临时粘结第一基底和第二基底，例如将硅晶片或半导体晶片临时粘结到玻璃面板或载体
。
当粘结在一起时，基底中的一个基底
(
例如，玻璃面板
)
可用于向可能需要进一步加工的更易碎或尺寸不稳定的基底
(
例如，硅晶片或半导体晶片
)
提供支撑和
/
或稳定性
。
例如，玻璃面板或载体可在减薄工艺期间为硅晶片提供支撑，该减薄工艺经由通过研磨或抛光工艺去除材料来减小硅晶片的厚度
。
在加工之后，支撑基底的去除是必要的，并且必须在不损坏其所附接的基底的情况下完成
。
在本公开的实施方案中，粘合剂前体组合物包含能够在膨胀起始温度
T
i
以上膨胀的可热膨胀的微球
。
粘合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种粘合剂前体组合物，所述粘合剂前体组合物包含：多官能丙烯酸酯低聚物；包含丙烯酸酯单体的反应性稀释剂；光引发剂；和可热膨胀的微球，所述可热膨胀的微球能够在膨胀起始温度
T
i
以上膨胀，其中所述粘合剂前体组合物在温度
T
a
下为液体，其中
T
a
小于
T
i
，并且所述粘合剂前体组合物的反应产物为在温度
T
tan
δ
最大
下具有
tan
δ
的最大值的可热膨胀的临时粘合剂，其中
T
tan
δ
最大
小于
T
i
。2.
根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物，其中
T
tan
δ
最大
比
T
i
低至少
10℃。3.
根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物，其中
T
a
比所述粘合剂前体组合物的熔点高至少
10℃。4.
根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物，其中所述多官能丙烯酸酯低聚物选自聚酯丙烯酸酯低聚物和氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物中的至少一者
。5.
一种可热膨胀的临时粘合剂，所述可热膨胀的临时粘合剂包含根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物的所述反应产物
。6.
一种制品，所述制品包括：第一基底；第二基底；和设置在所述第一基底与所述第二基底之间的可热膨胀的临时粘合剂，其中所述可热膨胀的临...

【专利技术属性】
技术研发人员：野田一树，
申请(专利权)人：三M，
类型：发明
国别省市：