粘合剂前体组合物和来自其的可热膨胀的临时粘合剂制造技术

本公开提供了一种粘合剂前体组合物，该粘合剂前体组合物包含：多官能丙烯酸酯低聚物；包含丙烯酸酯单体的反应性稀释剂；光引发剂；和可热膨胀的微球，该可热膨胀的微球能够在膨胀起始温度

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合剂前体组合物和来自其的可热膨胀的临时粘合剂


[0001]本公开涉及粘合剂前体组合物和来自其的适用于临时粘结基底的可热膨胀的临时粘合剂
。
本公开还提供了由其制备的制品和使用可膨胀的临时粘合剂的方法
。

技术介绍

[0002]在半导体加工行业中，硅晶片的厚度减小已成为实现三维
、
高密度
、
薄形状因子封装件的重要方法
。
通过磨掉硅晶片的与其上放置集成电路的表面相对的后表面来执行厚度减小
。
在超薄晶片中，需要小于
50
μ
m
在一些情况下小于
10
μ
m
的厚度
。
在如此薄的厚度下，晶片是高度易碎的
。
减薄工艺和下游金属化的应力可导致引起翘曲或破裂的附加应力，并且因此降低产量
。
[0003]为了实现精确水平的厚度减小，在芯片制造过程中用于固定晶片的临时粘合剂已经经历了不断的发展
。WO2000040648A1
描述了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种粘合剂前体组合物，所述粘合剂前体组合物包含：多官能丙烯酸酯低聚物；包含丙烯酸酯单体的反应性稀释剂；光引发剂；和可热膨胀的微球，所述可热膨胀的微球能够在膨胀起始温度
T
i
以上膨胀，其中所述粘合剂前体组合物在温度
T
a
下为液体，其中
T
a
小于
T
i
，并且所述粘合剂前体组合物的反应产物为在温度
T
tan
δ
最大
下具有
tan
δ
的最大值的可热膨胀的临时粘合剂，其中
T
tan
δ
最大
小于
T
i
。2.
根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物，其中
T
tan
δ
最大
比
T
i
低至少
10℃。3.
根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物，其中
T
a
比所述粘合剂前体组合物的熔点高至少
10℃。4.
根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物，其中所述多官能丙烯酸酯低聚物选自聚酯丙烯酸酯低聚物和氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物中的至少一者
。5.
一种可热膨胀的临时粘合剂，所述可热膨胀的临时粘合剂包含根据权利要求1所述的粘合剂前体组合物的所述反应产物
。6.
一种制品，所述制品包括：第一基底；第二基底；和设置在所述第一基底与所述第二基底之间的可热膨胀的临时粘合剂，其中所述可热膨胀的临...

【专利技术属性】
技术研发人员：野田一树，
申请(专利权)人：三M，
类型：发明
国别省市：