阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板及显示装置。阵列基板包括：基底和设置在基底上的开关单元，开关单元包括栅电极、有源层、第一极和第二极；有源层位于栅电极远离基底的一侧；第一极和第二极分别与有源层连接；有源层在基底上的正投影位于栅电极在基底上的正投影的范围内，栅电极在基底上的正投影边缘与有源层在基底上的正投影的相邻边缘之间的距离设置为大于或等于3.325微米且小于或等于3.675微米。于或等于3.325微米且小于或等于3.675微米。于或等于3.325微米且小于或等于3.675微米。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置


[0001]本技术涉及但不限于显示
，尤指一种阵列基板及显示装置。

技术介绍

[0002]液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，已得到迅速发展。液晶显示面板包括对盒(CELL)的薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor，简称TFT)基板和彩膜(Color Filter，简称CF)基板，液晶(Liquid Crystal，简称LC)分子设置在阵列基板和彩膜基板之间，通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶偏转的电场，实现灰阶显示。
[0003]目前，液晶显示装置在低刷新率下存在画面闪烁的问题。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供了一种阵列基板，能够解决液晶显示装置在低刷新率下画面闪烁的问题。
[0005]本技术实施例提供了一种阵列基板，包括：基底和设置在所述基底上的开关单元，所述开关单元包括栅电极、有源层、第一极和第二极；所述有源层位于所述栅电极远离所述基底的一侧；所述第一极和所述第二极分别与所述有源层连接；所述有源层在所述基底上的正投影位于所述栅电极在所述基底上的正投影的范围内，所述栅电极在所述基底上的正投影边缘与所述有源层在基底上的正投影的相邻边缘之间的距离设置为大于或等于3.325微米且小于或等于3.675微米。
[0006]在示例性实施方式中，所述有源层包括沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述沟道区的两侧；在垂直于所述基底的方向上，所述第一极与所述第一掺杂区交叠并直接连接，所述第二极与所述第二掺杂区交叠并直接连接。
[0007]在示例性实施方式中，在平行于所述基底的方向上，所述第一极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第一边缘之间的距离为第一距离d1，3.325微米≤d1≤3.675微米；所述第一极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极的第一边缘相邻。
[0008]在示例性实施方式中，在平行于所述基底的方向上，所述第二极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第二边缘之间的距离为第二距离d2，3.325微米≤d2≤3.675微米；所述第二极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极的第二边缘相邻。
[0009]在示例性实施方式中，在平行于所述基底的方向上，所述沟道区包括相对设置的第一边缘和第二边缘，所述沟道区的第一边缘和第二边缘与所述第一极和所述第二极相连；所述沟道区的第一边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第三边缘之间的距离为第三距离d3，3.325微米≤d3≤3.675微米；所述沟道区的第一边缘与所述栅电极的第三边缘相邻。
[0010]在示例性实施方式中，所述沟道区的第二边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第四边缘之间的距离为第四距离d4，3.325微米≤d4≤3.675微米；所述沟道区的第二边缘与所述栅电极的第四边缘相邻。
[0011]在示例性实施方式中，所述沟道区的第一边缘与所述沟道区的第二边缘之间的距离为第六距离d6，3.8微米≤d6≤4.2微米。
[0012]在示例性实施方式中，所述第一极靠近所述沟道区一侧的边缘与所述第二极靠近所述沟道区一侧的边缘之间的距离为第五距离d5，2.755微米≤d4≤3.045微米。
[0013]在示例性实施方式中，所述沟道区的厚度为H2，76纳米≤H2≤84纳米；所述沟道区的厚度为所述沟道区靠近所述基底一侧的表面与远离所述基底一侧的表面之间的距离。
[0014]在示例性实施方式中，所述有源层的厚度为H1，171纳米≤H1≤189纳米；所述有源层的厚度为所述有源层靠近所述基底一侧的表面与远离所述基底一侧的表面之间的距离。
[0015]在示例性实施方式中，所述阵列基板还包括像素电极和公共电极；所述像素电极在所述基底上的正投影和所述第二极在所述基底上的正投影至少部分交叠，且所述像素电极与所述第二极直接连接；所述公共电极位于所述第二极远离所述基底的一侧；所述公共电极在所述基底上的正投影和所述像素电极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
[0016]在示例性实施方式中，在沿远离所述基底的方向上，所述阵列基板包括依次设置的第一导电层、半导体层、第一透明导电层、第二导电层、第二绝缘层和第二透明导电层；所述栅电极位于所述第一导电层，所述有源层位于所述半导体层，所述第一极和所述第二极位于所述第二导电层，所述像素电极位于所述第一透明导电层，所述公共电极位于所述第二透明导电层。
[0017]在示例性实施方式中，所述第二绝缘层的厚度为H3，285纳米≤H3≤315纳米；所述第二绝缘层的厚度为所述第二绝缘层靠近所述基底一侧的表面与远离所述基底一侧的表面之间的距离。
[0018]本技术实施例还提供了一种显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层，所述第一基板或所述第二基板为如上所述的阵列基板。
[0019]在示例性实施方式中，所述液晶层中液晶材料的介电常数设置为大于或等于11.78且小于或等于17.33。
[0020]本技术实施例提供的阵列基板，通过设置有源层位于栅电极远离基底的一侧、有源层在基底上的正投影位于栅电极在基底上的正投影的范围内、且将栅电极在基底上的正投影边缘与有源层在基底上的正投影的相邻边缘之间的距离设置为大于或等于3.325微米且小于或等于3.675微米，使得栅电极对有源层的遮挡面积更大，避免来自基底一侧的背光照射到开关单元的有源层，降低了开关单元的漏电流，解决了液晶显示装置在低刷新率下画面闪烁的问题，提升了液晶显示装置的显示效果。
[0021]本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0022]附图用来提供对本技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术的技术方案，并不构成对本技术技术方案的限制。
[0023]图1为一种显示装置的剖面结构示意图；
[0024]图2为在一帧画面内像素电压的变化示意图；
[0025]图3为一种阵列基板的平面结构示意图；
[0026]图4为图3中的阵列基板沿C
‑
C向的剖视图；
[0027]图5为图4中开关单元的栅电极与有源层在基底上的正投影示意图；
[0028]图6为图4中虚线区域E的放大图。
具体实施方式
[0029]本技术描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本技术所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底和设置在所述基底上的开关单元，所述开关单元包括栅电极、有源层、第一极和第二极；所述有源层位于所述栅电极远离所述基底的一侧；所述第一极和所述第二极分别与所述有源层连接；所述有源层在所述基底上的正投影位于所述栅电极在所述基底上的正投影的范围内，所述栅电极在所述基底上的正投影边缘与所述有源层在基底上的正投影的相邻边缘之间的距离设置为大于或等于3.325微米且小于或等于3.675微米。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述沟道区的两侧；在垂直于所述基底的方向上，所述第一极与所述第一掺杂区交叠并直接连接，所述第二极与所述第二掺杂区交叠并直接连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述基底的方向上，所述第一极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第一边缘之间的距离为第一距离d1，3.325微米≤d1≤3.675微米；所述第一极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极的第一边缘相邻。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述基底的方向上，所述第二极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第二边缘之间的距离为第二距离d2，3.325微米≤d2≤3.675微米；所述第二极远离所述沟道区一侧的边缘与所述栅电极的第二边缘相邻。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在平行于所述基底的方向上，所述沟道区包括相对设置的第一边缘和第二边缘，所述沟道区的第一边缘和第二边缘与所述第一极和所述第二极相连；所述沟道区的第一边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第三边缘之间的距离为第三距离d3，3.325微米≤d3≤3.675微米；所述沟道区的第一边缘与所述栅电极的第三边缘相邻。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道区的第二边缘与所述栅电极远离所述沟道区一侧的第四边缘之间的距离为第四距离d4，3.325微米≤d4≤3.675微米；所述沟道区的第二边缘与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：檀晓轲，王智勇，薛静，尹岩岩，孙琦，杨樨，金红贵，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：