一种闪存控制方法技术

本申请提供一种闪存控制方法

【技术实现步骤摘要】
一种闪存控制方法、电子设备和存储介质


[0001]申请涉及存储领域，尤其涉及一种闪存控制方法
、
电子设备和存储介质
。

技术介绍

[0002]随着手机等移动场景下使用的电子设备的技术的不断发展，用户在日常生活中使用电子设备的频率越来越高
。
而这也将必然使得用户对电子设备的存储需求越来越高
。
目前，手机等电子设备大都采用以
NAND
（
not and
，与非门）闪存技术作为基础的存储器（例如
SSD
（
solid state drive
，固态硬盘）
、UFS
（
universal flash storage
，通用闪存存储）
、eMMC
（
embedded multi media card
，嵌入式多媒体卡）等）存储数据
。
为了提高存储容量，电子设备的厂商可以增加
NAND
闪存中每个存储单元
cell
的存储容量
。
具体可以是将
NAND
闪存中的存储单元由最基本的能够存储
1bit
的单层存储单元（
single
‑
level
，
SLC
）变更为多层存储单元（
multi
‑
level cell
，
MLC
）
、
三层存储单元（
triple
ꢀ‑
level cell
，
TLC
）
、
四层存储单元（
quad
ꢀ‑
level cell
，
QLC
）等可以存储更多比特的存储单元
。
但是，这样会使得存储电压范围不变或者变化较小的情况下，存储单元中存储不同数据的电压区分度更低，用来读取存储单元中数据的阈值电压的数量也会更多且差别更小
。
这样一来，会使得电子设备从存储器中读取数据时的原始比特错误率升高，对电子设备的使用造成了不利影响
。

技术实现思路

[0003]相关技术中，为了降低电子设备从存储器中读取数据的原始比特错误率，可以基于神经网络算法在电子设备从存储器中读取数据时，自动计算得出最优的阈值电压，从而使得电子设备可以从存储器读取到准确的数据
。
但是，由于神经网络算法耗时长会降低电子设备的带宽，且需要较大功耗
。
所以，该技术方案会使得电子设备的功耗增大且带宽减小，不利于用户的使用
。
[0004]本申请实施例提供一种闪存控制方法
、
电子设备和存储介质，能够在降低功耗和消耗时长的基础上，降低数据读取时的原始比特错误率
。
[0005]为了达到上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：第一方面，本申请实施例提供一种闪存控制方法，应用于电子设备中
NAND
闪存中的闪存控制器，该电子设备中还包括存算一体芯片
。
该方法包括：闪存控制器在
NAND
闪存处于空闲状态的情况下，获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组；存算一体芯片具备利用单位存储区域的阈值电压参数和预置的阈值电压计算模型，确定出单位存储区域的第一阈值电压组的能力；闪存控制器利用第二单位存储区域的第一阈值电压组，更新第二单位存储区域的最优阈值电压组；第二单位存储区域为至少一个单位存储区域中获取到了第一阈值电压组的一个单位存储区域
。
[0006]基于本申请提供的技术方案，由于在更新最优阈值电压组的过程中，计算最优阈值电压组是放在功耗低的存算一体芯片上的，所以整体功耗不高
。
此外，由于计算最优阈值
电压组时，
NAND
闪存处于空闲状态，计算的耗时也不会影响
NAND
闪存的正常使用，也就不会影响手机的带宽
。
这样一来，用户在使用手机的过程中，手机中
NAND
闪存中单位存储区域的最优阈值电压组便可以在产生较低功耗且不影响手机带宽的基础上，及时的更新，进一步的，这样可以保证手机读取数据时可以更大概率的读取到准确的数据，降低了数据读取时的原始比特错误率，提高了用户的使用体验
。
[0007]在第一方面的一种可能的实现方式中，获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组，包括：若前一次对至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的最优阈值电压组更新之后，
NAND
闪存的数据读取次数大于第一预设阈值，则获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组
。
[0008]实际中， NAND
闪存中单位存储区域的最优阈值电压组中的最优阈值电压是随着时间逐步变化的，不会在短时间内产生较大的变化
。
所以在数据读取时，不需要每次都使用和当前时刻最符合的最优阈值电压组
。
也就是说，
NAND
闪存中单位存储区域的最优阈值电压组不需要实时或连续不断的更新，仅需要每隔一段时间更新即可
。
而一段时间对最优阈值电压组影响主要是由电子设备对
NAND
闪存的读取产生的，所以这里“每隔一段时间”中的一段时间具体可以由
NAND
闪存的数据读取次数表征
。
基于上述实现方式，则可以周期性的对
NAND
闪存中的单位存储区域的最优阈值电压组进行更新，使得
NAND
闪存在被读取数据时，可以使用和当前时刻匹配的最优阈值电压组读取到更准确的数据，降低原始比特错误率，提高用户的使用体验
。
[0009]在第一方面的一种可能的实现方式中，获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组，包括：闪存控制器从至少一个单位存储区域中确定目标单位存储区域；闪存控制器获取目标单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取目标单位存储区域的第一阈值电压组；闪存控制器在确定接收到读
/
写请求的情况下，对读
/
写请求进行响应；读
/
写请求用于请求在
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种闪存控制方法，其特征在于，应用于电子设备中与非门
NAND
闪存中的闪存控制器，所述电子设备中还包括存算一体芯片，所述方法包括：所述闪存控制器在所述
NAND
闪存处于空闲状态的情况下，获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用所述存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组；所述存算一体芯片具备利用单位存储区域的阈值电压参数和预置的阈值电压计算模型，确定出单位存储区域的第一阈值电压组的能力；所述闪存控制器利用第二单位存储区域的第一阈值电压组，更新所述第二单位存储区域的最优阈值电压组；所述第二单位存储区域为所述至少一个单位存储区域中获取到了第一阈值电压组的一个单位存储区域
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用所述存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组，包括：若前一次对所述至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的最优阈值电压组更新之后，所述
NAND
闪存的数据读取次数大于第一预设阈值，则获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用所述存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取
NAND
闪存中至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的阈值电压参数，并利用存算一体芯片，获取至少一个单位存储区域中每个单位存储区域的第一阈值电压组，包括：所述闪存控制器从所述至少一个单位存储区域中确定目标单位存储区域；所述闪存控制器获取所述目标单位存储区域的阈值电压参数，并利用所述存算一体芯片，获取所述目标单位存储区域的第一阈值电压组；所述闪存控制器在确定接收到读
/
写请求的情况下，对读
/
写请求进行响应；所述读
/
写请求用于请求在所述
NAND
闪存中进行数据读取或数据写入；所述闪存控制器在确定未接收到读
/
写请求的情况下，若所述至少一个单位存储区域中所有单位存储区域未均得到了第一阈值电压组，则重新从所述至少一个单位存储区域中确定目标单位存储区域
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：所述闪存控制器在确定未接收到读
/
写请求的情况下，生成未完成更新信息并存储；所述未完成更新信息用于指示所述至少一个单位存储区域中存在单位存储区域未得到第一阈值电压组；所述未完成更新信息还包括指示该至少一个单位存储区域中，未得到第一阈值电压组的单位存储区域的标识的指示信息；在所述
NAND
闪存处于空闲状态的情况下，所述方法还包括：所述闪存控制器在确定存在未完成更新信息的情况下，则基于所述未完成更新信息中的指示信息，从所述至少一个单位存储区域确定目标单位存储区域
...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯志仲，许仲杰，曹元，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：