经涂覆的圆线材制造技术

一种圆线材，该圆线材包括具有表面的线材芯，该线材芯具有叠加在其表面上的涂层，其中该线材芯本身是银基线材芯，其中该涂层是由

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】经涂覆的圆线材
[0001]本专利技术涉及一种经涂覆的圆线材，该经涂覆的圆线材包括银基线材芯和叠加在该线材芯的表面上的涂层
。
本专利技术还涉及一种用于制造此类经涂覆的圆线材的工艺
。
[0002]在电子和微电子应用中使用接合线是众所周知的技术模式
。
尽管接合线在开始由金制成，但是如今使用更便宜的材料，诸如铜
、
铜合金
、
银和银合金
。
此类线材可具有金属涂层
。
[0003]关于线材几何形状，最常见的是圆形横截面的接合线以及具有或多或少矩形横截面的接合带
。
这两种类型的线材几何形状具有它们的优点，使得它们可用于特定应用
。
[0004]本专利技术的一个目的是提供一种适用于线材接合应用中的经涂覆的圆银基线材，该线材除了满足基本要求如线材柔软性
、
在空气气氛下
FAB(
无空气球
)
形成的可行性和耐腐蚀性以及抗氧化性之外，特别地在防止花形接合球以及关于线材甩动的稳定绕环行为的方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种圆线材，所述圆线材包括具有表面的线材芯，所述线材芯具有叠加在其表面上的涂层，其中所述线材芯本身是银基线材芯，其中所述涂层是由
1nm
至
100nm
厚的钯或镍内层和相邻的
1nm
至
250nm
厚的金外层组成的双层，其中所述金外层表现出以下固有性质
A1)
和
A2)
中的至少一者：
A1)
所述金外层中的晶粒沿纵向方向测量的平均晶粒大小在
0.1
μ
m
至
0.8
μ
m
的范围内；
A2)
所述金外层中的所述晶粒中的
60
％至
100
％沿
<100>
方向取向，并且所述金外层中的所述晶粒中的0％至
20
％沿
<111>
方向取向，每个％相对于具有平行于所述线材的拉制方向的取向的晶粒的总数计
。2.
根据权利要求1所述的圆线材，所述圆线材具有在8μ
m
至
80
μ
m
的范围内的平均直径
。3.
根据权利要求1或2所述的圆线材，其中所述银基线材芯由呈
(a)
掺杂银
、(b)
银合金或
(c)
掺杂银合金的形式的银基材料组成
。4.
根据权利要求3所述的圆线材，其中所述掺杂银是由以下项组成的银基材料：
(a1)
量在
>99.49
重量％至
99.997
重量％的范围内的银，
(a2)
总量为
30wt.
‑
ppm
至
<5000wt.
‑
ppm
的除银以外的至少一种掺杂元素，以及
(a3)
总量为
0wt.
‑
ppm
至
100wt.
‑
ppm
的另外的组分
。5.
根据权利要求3所述的圆线材，其中所述银合金是由以下项组成的银基材料：
(b1)
量在
89.99
重量％至
99.5
重量％的范围内的银，
(b2)
总量在
0.5
重量％至
10
重量％的范围内的至少一种合金元素，以及
(b3)
总量在
0wt.
‑
ppm
至
100wt.
‑
ppm
的范围内的另外的组分
。6.
根据权利要求5所述的圆线材，其中所述银合金包含钯作为唯一合金元素
。7.
根据权利要求6所述的圆线材，其中所述银合金具有1重量％至2重量％的钯含量
。8.
根据权利要求3所述的圆线材，其中所述掺杂银合金是由以下项组成的银基材料：
(c1)
量在
>89.49
重量％至
99.497
重量％的范围内的银，
(c2)
总量为
30wt.
‑
ppm
至
<5000wt.
‑
ppm
的至少一种掺杂元素，
(c3)
总量在
0.5
重量％至
10
重量％的范围内的至少一种合金元素，以及
(c4)
总量为
0wt.
‑
ppm
至
100wt.
‑
ppm
的另外的组分，其中所述至少一种掺杂元素
(c2)
不同于所述至少一种合金元素
(c3)。9.
根据前述权利要求中任一项所述的圆线材，其中叠加在所述线材芯的所述表面上的所述涂层是由
1nm
至
30nm
厚的钯或镍内层和相邻的
1nm
至
200nm
厚的金外层组成的双层
。10.
根据前述权利要求中任一项所述的经涂覆的圆线材，所述圆线材表现出以下固有性质
A3)
至...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：新加坡贺利氏材料私人有限公司，
类型：发明
国别省市：