一种强耦合多芯光纤制造技术

本发明专利技术属于光纤技术领域，公开了一种强耦合多芯光纤

【技术实现步骤摘要】
一种强耦合多芯光纤


[0001]本专利技术属于光纤
，更具体地，涉及一种强耦合多芯光纤
。

技术介绍

[0002]单模光纤的优势在于传输速率快，携带信息容量大，传输距离远等，被广泛应用于光纤通信网络
。
随着通信及大数据业务对容量的需求与日俱增，网络带宽需求加剧，光传输网络的容量正逐步接近单根光纤的香农极限：
100Tb/s。
自
2012
年始，基于多芯光纤和少模光纤的空分复用技术开始成为大容量光纤通信的热点之一，多芯光纤利用多个纤芯传输，理论上可以同时承载更多的数据容量
。
[0003]根据多芯光纤芯间距的不同，多芯光纤可被分为强耦合多芯光纤和弱耦合多芯光纤
。
弱耦合多芯光纤设计纤芯时需要在纤芯之间增加下陷层来抑制纤芯间的能量交叠，减小芯间串扰，强耦合光纤通常用于激光器或者放大器中
。
目前部分研究设计的强耦合光纤的空间模式色散
、
衰耗等性能参数没有得到足够的优化，所制备的光纤主要用于短距离应用场景，不适合长距离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种强耦合多芯光纤，其特征在于，包括：共同外包层以及置于所述共同外包层内的多个纤芯；每个所述纤芯从内至外依次包括芯层
、
第一内包层和第二内包层；所述共同外包层为全掺氟的二氧化硅玻璃层，所述共同外包层的半径
R4
为
62.5
～
125
μ
m
，所述共同外包层的相对折射率差
△4为
‑
0.35
％～
‑
0.2
％；所述芯层的半径
R1
为4～7μ
m
，所述芯层的相对折射率差
△1为
‑
0.2
～
0.1
％；所述第一内包层的半径
R2
为6～
10
μ
m
，所述第一内包层的相对折射率差
△2为
‑
0.38
％～
‑
0.3
％；所述第二内包层的半径
R3
为8～
12
μ
m
，所述第二内包层呈下凹形，所述第二内包层的最大相对折射率差
△3MAX
为
‑
0.5
％～
‑
0.35
％，所述第二内包层的最小相对折射率差为
△4，
︱
△3MAX
/
△
4︱
的取值范围为
1.18
～
1.89。2.
根据权利要求1所述的强耦合多芯光纤，其特征在于，所述芯层为锗
、
氟和碱金属共掺的二氧化硅玻璃层
。3.
根据权利要求2所述的强耦合多芯光纤，其特征在于，所述芯层中锗的相对折射率贡献量为
0.2
％～
0.5
％，碱金属的含量为
...

【专利技术属性】
技术研发人员：许硕，王瑞春，沈磊，张磊，杨柳波，张黎，龚先超，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：