功率放大器上制造技术

本发明专利技术提供一种功率放大器上

【技术实现步骤摘要】
功率放大器上、下电时序保护电路


[0001]本专利技术属于射频功率放大器电路领域，主要应用在功率放大器上电及下电时序的保护电路
。

技术介绍

[0002]随着卫星通讯行业的蓬勃发展，天线
、
雷达
、
巡航等应用产品竞争日益激烈，其中功放模块更是必不可少的部分
。
功率放大是在有较大的电压输出的同时，又要有较大电流输出的放大电路，多用于多级放大电路的输入级或中间级，主要用于放大微弱的电压或电流信号
。
功放电路提供给负载的交流功率是在输入交流信号的控制下将直流电源提供的能量转换成交流能量而来的
。
因为功率大，所以效率问题十分重要，否则，不仅会带来能源的浪费，还会引起功放管的发热
。
在大信号工作状态下，为输出足够大的功率，功放管的动态工作范围很大，功放管中的电压
、
电流信号都是大信号，一般以不超过功放管的极限参数为限度
。
输出功率越大，电压和电流的幅度就越大，信号的非线性失真就越严重，如何减小非线性失真问题，提高功放的效率
、
降低功放管的管耗是功放电路的一个重要问题
。
目前主要应用到的功率放大器材料多为
GaAs
或者
GaN
，功放电路中，有相当大的功率消耗在功放管的集电结上
。
由于功放管工作在高电压
、
大电流，本身的管耗使功放管温度升高
。
当管子温度升高到一定程度
(
锗管为
75
～
90℃
，硅管为
150℃)
后，管子就会损坏
。
所以此种功率放大器的特点很明显，损坏的可能性较大
。
功率放大器的上电时序对功放管的影响会产生功放管加电即烧毁的现象，这时因为功放管的类型为场效应管，其属于电压控制电流型，漏极电流的大小取决于栅极电压的大小
。
在上电时，如果漏极电压先于栅极电压，则会出现栅极电压未调整好合适的静态工作点，出现漏极电流过大烧毁场效应管的事故
。
如果上电及下电时电压时序错误，或控制时序出现紊乱，极易导致功率放大器功能不正常，严重时，直接烧毁，所以，对功放的时序保护及其重要，减少财产损失
。
现有技术通常只采用时序保护电路对功放管进行上下电保护，主要缺点是大功率雷达发射机使能异常时，容易导致功率放大器振荡而导致发射机失效
。
在目前的时序保护电路中，采用的方法大多数是用开关强行控制电压时序，但是人为控制很容易造成电压时序的错误
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构链路简单，能够降低加电时序造成的损失的功率放大器上
、
下电时序保护电路
。
本专利技术解决上述技术问题的一种，包括：第一供电电源相连的交错式反向电荷泵，相连在
P
沟道场效应管与功率放大器之间的第二供电电源，以及
NPN
三极管
Q1、NPN
三极管
Q2、
其特征在于：
NPN
三极管
Q1
通过第一供电电源与交错式反向电荷泵之间的接点形成第一并联回路，
NPN
三极管
Q1
并联
NPN
三极管
Q2
形成第二并联回路，第二供电电源通过
P
沟道场效应管栅极相连
NPN
三极管
Q2
的发射极，第一供电电源
、
第二供电电源和
NPN
三极管
Q2
同时向
P
沟道场效应管输出信号，
N
沟道
MOSFET
和
P
沟道
MOSFET
对漏压加电进行控制，按正电先关断，
负电后关断的时序，上电时，交错式反向电荷泵将第一供电电源输入电压反向为稳压输出，产生的负电压输入到功率放大器的漏极和
NPN
三极管
Q1
集电极；栅极电源负压输出正常时，给出低电平，
P
沟道
MOSFET
导通，漏极上电，输入电压送功率放大器漏极供电电路；下电时，当栅极电源负压输出不正常时，
NPN
三极管
Q2
给出高电平，
P
沟道场效应管
P
沟道
MOSFET
关断，漏极不上电，关断功率放大器中的漏极供电电压，立即闭锁驱动信号输出，提供给功率放大器的直流电源被切断
。
[0004]本专利技术产生的有益效果在于：
[0005]1、
本专利技术采用第一供电电源相连的交错式反向电荷泵，相连在
P
沟道场效应管与功率放大器之间的第二供电电源，以及
NPN
三极管
Q1、NPN
三极管
Q2、
结构链路简单，利于加工实现，其中
NPN
三极管
(Q1)、NPN
三极管
(Q2)、P
沟道场效应管可以高度集成，达成小型化目的
。
[0006]2、
本专利技术采用
NPN
三极管
Q1
通过第一供电电源与交错式反向电荷泵之间的接点形成第一并联回路，
NPN
三极管
Q1
并联
NPN
三极管
Q2
形成第二并联回路，第二供电电源通过
P
沟道场效应管栅极相连
NPN
三极管
Q2
的发射极，第一供电电源
、
第二供电电源和
NPN
三极管
Q2
同时向
P
沟道场效应管输出信号，
N
沟道
MOSFET
和
P
沟道
MOSFET
对漏压加电进行控制，按正电先关断，负电后关断的时序，上电时，只有在交错式反向电荷泵的负压输出之后，漏极正压才能输入到功率放大器漏极中；下电时，正电先关断，负电后关端，起到了保护功率放大器的作用，大大降低了加电时序造成的损失
。
[0007]3、
本专利技术采用交错式反向电荷泵将第一供电电源输入电压反向为稳压输出，产生的负电压输入到功率放大器的漏极和
NPN
三极管
Q1
集电极；栅极电源负压输出正常时，给出低电平，
P
沟道
MOSFET
导通，漏极上电，输入电压送功率放大器漏极供电电路；链路中的功耗极其低，在实际应用中不会影响产品的指标
。
[0008]4、
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种功率放大器上
、
下电时序保护电路，包括：第一供电电源
VCC
相连的交错式反向电荷泵
U1
，相连在
P
沟道场效应管
Q3
与功率放大器之间的第二供电电源
VDD
，以及
NPN
三极管
Q1、NPN
三极管
Q2、
其特征在于：
NPN
三极管
Q1
通过第一供电电源
VCC
与交错式反向电荷泵
U1
之间的接点形成第一并联回路，
NPN
三极管
Q1
并联
NPN
三极管
Q2
形成第二并联回路，第二供电电源
VDD
通过
P
沟道场效应管栅极相连
NPN
三极管
Q2
的发射极，第一供电电源
VCC、
第二供电电源
VDD
和
NPN
三极管
Q2
同时向
P
沟道场效应管输出信号，
N
沟道
MOSFET
和
P
沟道
MOSFET
对漏压加电进行控制，按正电先关断，负电后关端时序，上电时，交错式反向电荷泵将第一供电电源输入电压反向为稳压输出，产生的负电压输入到功率放大器的漏极和
NPN
三极管
Q1
集电极；栅极电源负压输出正常时，给出低电平，
P
沟道
MOSFET
导通，漏极上电，输入电压送功率放大器漏极供电电路；下电时，当栅极电源负压输出不正常时，
NPN
三极管
Q2
给出高电平，
P
沟道场效应管
Q3
的
P
沟道
MOSFET
关断，漏极不上电，关断功率放大器中的漏极供电电压，立即闭锁驱动信号输出，提供给功率放大器的直流电源被切断
。2.
根据权利要求1所述的功率放大器上
、
下电时序保护电路，其特征在于：第一供电电源
VCC
输出端通过交错式反向电荷泵
U1
输入端
IN
串联功率放大器，并通过第一电阻
R1
与交错式反向电荷泵
U1
的开漏输出管脚
PGOOD
相连，同时，交错式反向电荷泵
U1
的
C+
引脚通过第一电容
C
‑
引脚相连，并与电容
C1
形成并联回路，
FB
端连线通过分流电阻
R5
串联电阻
R6
与可调节变阻器
R7
与输出端
OUT
并联，控制
Vgg
栅极负压输出电平
。3.
根据权利要求2所述的功率放大器上
、
下电时序保护电路，其特征在于：第一供电电源
VCC
输出端通过第一电阻
R1
与交错式反向电荷泵
U1
的开漏输出管脚
PGOOD
相连，
PGOOD
引脚与
NPN
三极管
(Q1)
基极相连，同时交错式反向电荷泵
U1
输出端与功率放大器栅极负压相连，通过
FB
并联分流电阻
R5
和分流电阻
R5
，分流电阻
R5
与
NPN
三极管
Q1、NPN
三极管
Q2
的发射极接地
GND
，形成两管轮流工作的并联推挽电路
。4.
根据权利要求3所述的功率放大器上
、
下电时序保护电路，其特征在于：交错式反向电荷泵
U1
通过
FB
串联第六电阻
R6
与可调节变阻器
R7

【专利技术属性】
技术研发人员：郭超，
申请(专利权)人：浩泰智能成都科技有限公司，
类型：发明
国别省市：