一种背接触电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及太阳能电池技术领域，用于提高背接触电池的良率，利于提升背接触电池的光电转换效率

【技术实现步骤摘要】
一种背接触电池及其制造方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种背接触电池及其制造方法
。

技术介绍

[0002]背接触电池指发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的太阳能电池
。
与正面有遮挡的太阳能电池相比，背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率，是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一
。
[0003]但是，通过现有的制造方法形成的背接触电池的良率较低，不利于提升背接触电池的光电转换效率
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种背接触电池及其制造方法，用于提高背接触电池的良率，利于提升背接触电池的光电转换效率
。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种背接触电池，该背接触电池包括：基底
、
第一掺杂半导体层
、
隧穿阻挡层和第二掺杂半导体层
。
[0006]上述基底具有相对的第一面和第二面
。
第二面具有交替间隔排布的第一区域和第二区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种背接触电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对的第一面和第二面；所述第二面具有交替间隔排布的第一区域和第二区域；第一掺杂半导体层，形成在所述第一区域上；隧穿阻挡层，至少覆盖在所述第一掺杂半导体层
、
以及所述第二区域上；以及第二掺杂半导体层，形成在所述隧穿阻挡层对应所述第二区域的部分上；所述第二掺杂半导体层与所述第一掺杂半导体层的导电类型相反
。2.
根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，沿着远离所述第二面的方向，所述隧穿阻挡层包括隧穿钝化层
、
以及位于所述隧穿钝化层上的碳化硅层
。3.
根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述隧穿钝化层的厚度为
0.5nm
至
5nm
；和
/
或，所述碳化硅层的厚度为
10nm
至
50nm。4.
根据权利要求1～3任一项所述的背接触电池，其特征在于，所述隧穿阻挡层覆盖在第一掺杂半导体层侧壁上的部分与所述第二掺杂半导体层之间具有空气间隙
。5.
根据权利要求1～3任一项所述的背接触电池，其特征在于，沿着所述第一区域和所述第二区域的交替排布方向，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层中与所述基底的导电类型相反的一者的宽度大于另一者的宽度
。6.
根据权利要求5所述的背接触电池，其特征在于，沿着所述第一区域和所述第二区域的交替排布方向，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层中与所述基底的导电类型相反的一者的宽度为
600
μ
m
至
2000
μ
m
，另一者的宽度为
200
μ
m
至
1000
μ
m。7.
根据权利要求1～3任一项所述的背接触电池，其特征在于，所述基底的所述第二面还具有介于每个所述第一区域和相邻所述第二区域之间的第三区域，所述隧穿阻挡层还覆盖在所述第三区域上
。8.
根据权利要求7所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括覆盖在所述隧穿阻挡层和第二掺杂半导体层上的钝化层；所述钝化层与所述隧穿阻挡层位于所述第一区域和第三区域上方的部分接触
。9.
根据权利要求8所述的背接触电池，其特征在于，所述钝化层和所述隧穿阻挡层位于第一区域上方的部分开设有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑶，李中兰，鲁伟明，李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：