显示装置的制造方法及CVD装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置的制造方法及CVD装置。根据一实施方式，显示装置的制造方法中：准备处理基板，在下电极上形成有机层，形成位于有机层上并与隔壁相接的上电极，在上电极上形成盖层，形成位于盖层上并与隔壁相接的密封层，其中，形成密封层的工序包括：沉积工序，其在将形成有盖层的处理基板搬入腔室的内部后，将原料气体导入腔室内而在处理基板之上沉积硅氮化物，然后停止原料气体的导入，对腔室内的残留气体进行排气；和蚀刻工序，其接着沉积工序，将清洁气体通过与原料气体相同的路径导入腔室内，在进行了将沉积在处理基板上的硅氮化物的一部分除去的各向异性干式蚀刻后，对腔室内的残留气体进行排气，至少进行两次沉积工序和蚀刻工序的组合。序和蚀刻工序的组合。序和蚀刻工序的组合。

【技术实现步骤摘要】
显示装置的制造方法及CVD装置
[0001]关联申请的交叉参照
[0002]本申请基于2022年5月27日提出的日本专利申请第2022
‑
087000号主张优先权，并引用该日本申请所记载的全部记载。


[0003]本专利技术的实施方式涉及显示装置的制造方法及CVD装置。

技术介绍

[0004]近年来，作为显示元件应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件包括：包含薄膜晶体管的像素电路；与像素电路连接的下电极；覆盖下电极的有机层；和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外，还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。
[0005]在制造这样的显示元件的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。

技术实现思路

[0006]实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置的制造方法及CVD装置。
[0007]根据一个实施方式，显示装置的制造方法包括：
[0008]准备处理基板，该处理基板在基板的上方形成有下电极，并形成有具有与所述下电极重叠的开口的肋部，且形成有包含位于所述肋部之上的下部及位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，在所述开口中，在所述下电极之上形成有机层，形成位于所述有机层之上并与所述隔壁相接的上电极，在所述上电极之上形成盖层，和形成位于所述盖层之上并与所述隔壁相接的密封层，其中，形成所述密封层的工序包括：沉积工序，其在将形成有所述盖层的所述处理基板搬入腔室的内部后，将原料气体导入所述腔室内，从而将硅氮化物沉积到所述处理基板之上，然后停止所述原料气体的导入，对所述腔室内的残留气体进行排气；和蚀刻工序，其接着所述沉积工序，通过与所述原料气体相同的路径向所述腔室内导入清洁气体，在进行了将沉积在所述处理基板之上的硅氮化物的一部分除去的各向异性干式蚀刻后，对所述腔室内的残留气体进行排气，将所述沉积工序和所述蚀刻工序的组合至少进行两次。
[0009]根据一个实施方式，CVD装置具备：
[0010]腔室；载置台，其设置于所述腔室的内部，支承被搬入的处理基板；喷头，其与所述载置台相对；原料气体供给机构，其向所述喷头供给原料气体；和清洁气体供给机构，其向所述喷头供给清洁气体，所述CVD装置构成为，经由所述喷头向所述腔室的内部导入所述原料气体，将所述载置台接地且对所述喷头施加高频电力，在所述处理基板之上沉积硅氮化物，停止所述原料气体的导入，和经由所述喷头向所述腔室的内部导入所述清洁气体，对所述载置台施加高频电力，进行将沉积在所述处理基板之上的硅氮化物的一部分除去的各向
异性干式蚀刻。
[0011]根据实施方式，可以提供能抑制可靠性降低的显示装置的制造方法及CVD装置。
附图说明
[0012]图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
[0013]图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
[0014]图3是沿着图2中的A
‑
B线的显示装置DSP的概略剖视图。
[0015]图4是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。
[0016]图5是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
[0017]图6是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
[0018]图7是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
[0019]图8是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
[0020]图9是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
[0021]图10是用于说明CVD装置100的一个构成例的图。
[0022]图11是用于说明密封层的形成方法的图。
[0023]图12是用于说明密封层的形成方法的剖视图。
[0024]图13是用于说明密封层的形成方法的剖视图。
[0025]图14是用于说明密封层的形成方法的剖视图。
具体实施方式
[0026]参照附图说明一个实施方式。
[0027]公开只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离专利技术主旨的适当变更当然包含在本专利技术范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本专利技术的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。
[0028]需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。需要说明的是，上、上方、之间、相对等表示两个以上的构成要素相互的位置关系的用语不仅是成为对象的两个以上的构成要素直接相接的情况，也包含隔着空隙、其他构成要素而相互分离的情况。另外，将Z轴的正方向称为上或上方。
[0029]本实施方式涉及的显示装置是具备作为显示元件的有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。
[0030]图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
[0031]显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。
[0032]在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的
形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
[0033]显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含第1色的子像素SP1、第2色的子像素SP2及第3色的子像素SP3。第1色、第2色及第3色为相互不同的颜色。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。并且，子像素的组合也可以并非三个要素的组合，而由两个要素构成或在SP1至SP3的基础上组合SP4等由四个以上的要素构成。
[0034]子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是例如由薄膜晶体管构成的开关元件。
[0035]像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20的阳极连接。
[0036]需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
[0037]显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示装置的制造方法，其中，准备处理基板，该处理基板在基板的上方形成有下电极，并形成有具有与所述下电极重叠的开口的肋部，且形成有包含位于所述肋部之上的下部及位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，在所述开口中，在所述下电极之上形成有机层，形成位于所述有机层之上并与所述隔壁相接的上电极，在所述上电极之上形成盖层，形成位于所述盖层之上并与所述隔壁相接的密封层，其中，形成所述密封层的工序包括：沉积工序，其在将形成有所述盖层的所述处理基板搬入腔室的内部后，将原料气体导入所述腔室内，从而将硅氮化物沉积到所述处理基板之上，然后停止所述原料气体的导入，对所述腔室内的残留气体进行排气；和蚀刻工序，其接着所述沉积工序，通过与所述原料气体相同的路径向所述腔室内导入清洁气体，在进行了将沉积在所述处理基板之上的硅氮化物的一部分除去的各向异性干式蚀刻后，对所述腔室内的残留气体进行排气，将所述沉积工序和所述蚀刻工序的组合至少进行两次。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在一次所述沉积工序中，将硅氮化物沉积为0.5μm以上的厚度，在一次所述蚀刻工序中，将0.2μm以上的厚度的硅氮化物除去。3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，进一步地，在将所述处理基板从所述腔室搬出后，通过与所述原料气体相同的路径将所述清洁气体导入所述腔室内，通过各向同性干式蚀刻对所述腔室的内部进行清洁。4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田教行，小龟平章，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：