复合材料制造技术

本申请公开了一种复合材料

【技术实现步骤摘要】
复合材料、薄膜、光电器件及其制备方法


[0001]本申请涉及光电器件领域，具体涉及一种复合材料
、
薄膜
、
光电器件及其制备方法
。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管
(Quantum Dot Light
‑
Emitting Diodes
，
QLED)
是采用量子点作为发光源的一种光电器件
。
一般基本结构为空穴功能层
、
发光层以及电子功能层组成的多层的结构，其发光原理为：在外界电场的驱动下，空穴和电子克服界面障碍分別进入发光层的价带能级和导带能级，当从激发态而回到稳定的基态时，释放出光子从而发光
。
因具有发射波长可调
、
发射带宽窄
、
发光效率高以及低成本等优点，受到越来越多科研工作者的关注
。
[0003]目前，经过多年的发展，以量子点发光二极管为代表的光电器件技术获得了很大的突破与发展，然而仍存在很多需要解决的问题，空穴功能材料存在导热性能不佳的问题
。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请实施例提供一种复合材料
、
薄膜
、
光电器件及其制备方法，旨在改善空穴功能材料的导热性能不佳的问题
。
[0005]第一方面，本申请提供一种复合材料，包括：空穴功能材料和导热系数为
0.2
～
5500W/(m
·r/>K)
的导热材料
。
[0006]可选的，所述导热材料为金属
、
无机导热材料或有机导热材料中的至少一种，所述金属选自
Ag、Cu、Al、Fe
中的至少一种；所述无机导热材料选自石墨烯
、Si3N4、AlN
中的至少一种；所述有机导热材料选自硅脂
、
聚乙炔
、
聚丙烯
、
聚亚苯基硫醚
、
环氧树脂
、
硅橡胶中的至少一种
。
[0007]可选的，在所述复合材料中，所述导热材料的摩尔百分数为2％～5％
。
[0008]可选的，述空穴功能材料为第一空穴注入材料或第一空穴传输材料
。
[0009]可选的，所述第一空穴传输材料选自：
TFB、NPD、PVK
以及
TAPC
中的至少一种；和
/
或，所述第一空穴注入材料选自：
PEDOT:PSS、CuPc、F4
‑
TCNQ、HAT
‑
CN、
过渡金属氧化物
、
过渡金属硫系化合物中的至少一种
。
[0010]可选的，所述复合材料由所述空穴功能材料和所述导热材料构成
。
[0011]第二方面，本申请还提供一种薄膜，所述薄膜的材料选自第一方面所述的复合材料
。
[0012]第三方面，本申请还提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极
、
空穴功能层
、
发光层以及阴极，所述空穴功能层包括第二方面所述的薄膜
。
[0013]可选的，所述空穴功能层的厚度为
100nm
～
200nm。
[0014]可选的，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层靠近所述阳极的一侧，所述空穴传输层靠近所述发光层的一侧，所述空穴注入层或所述空穴传输
层中的至少一层包括所述薄膜
。
[0015]可选的，所述发光层的材料包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自
II
‑
VI
族化合物
、III
‑
V
族化合物和
I
‑
III
‑
VI
族化合物中的至少一种，所述
II
‑
VI
族化合物选自
CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe
及
CdZnSTe
中的至少一种，所述
III
‑
V
族化合物选自
InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、InSb、AlAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP
及
InAlNP
中的至少一种；所述
I
‑
III
‑
VI
族化合物选自
CuInS2、CuInSe2及
AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自
CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS
和
ZnS
中的至少一种；和
/
或，
[0016]所述阴极材料选自：
Ag
电极
、Al
电极
、Au
电极
、Pt
电极或合金电极中的至少一种；和
/
或，所述阳极材料选自金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自
ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO
及
AMO
中的至少一种，所述复合电极为
AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS
或
ZnS/Al/ZnS
中的至少一种
。
[0017]第四方面，本申请提供一种光电器件的制备方法，包括：
[0018]提供阳极；在所述阳极上依次制备空穴功能层
、
发光层和阴极，得到所述光电器件；
[0019]或提供阴极；在所述阴极上依次制备发光层
、
空穴功能层和阳极，得到所述光电器件；
[0020]其中，所述空穴功能层中含有导热系数为
0.2
～
5500W/(m
·
K)
的导热材料
。
[0021]可选的，所述制备空穴功能层包括：提供包含所述导热材料的溶液，然后将所述溶液设置在所述发光层或所述阳极上成膜，并干燥处理，得到所述空穴功能层
。
[0022]有益效果：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种复合材料，其特征在于，包括：空穴功能材料和导热系数为
0.2
～
5500W/(m
·
K)
的导热材料
。2.
根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述导热材料为金属
、
无机导热材料或有机导热材料中的至少一种，所述金属选自
Ag、Cu、Al、Fe
中的至少一种；所述无机导热材料选自石墨烯
、Si3N4、AlN
中的至少一种；所述有机导热材料选自硅脂
、
聚乙炔
、
聚丙烯
、
聚亚苯基硫醚
、
环氧树脂
、
硅橡胶中的至少一种
。3.
根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，在所述复合材料中，所述导热材料的摩尔百分数为2％～5％
。4.
根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述空穴功能材料为第一空穴注入材料或第一空穴传输材料；所述第一空穴传输材料选自：
TFB、NPD、PVK
以及
TAPC
中的至少一种；和
/
或，所述第一空穴注入材料选自：
PEDOT:PSS、CuPc、F4
‑
TCNQ、HAT
‑
CN、
过渡金属氧化物
、
过渡金属硫系化合物中的至少一种
。5.
根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述空穴功能材料和所述导热材料构成
。6.
一种薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料选自权利要求1至5任一项所述的复合材料
。7.
一种光电器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极
、
空穴功能层
、
发光层以及阴极，所述空穴功能层包括权利要求7所述的薄膜
。8.
根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述空穴功能层的厚度为
100nm
～
200nm。9.
根据权利要求7或8所述的光电器件，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴注入层和
/
或空穴传输层，所述空穴注入层或所述空穴传输层中的至少一层包括所述薄膜；其中，所述空穴功能层包括所述空穴注入层和所述空穴传输层时，所述空穴注入层靠近所述阳极的一侧设置，所述空穴传输层靠近所述发光层的一侧设置
。10.
根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述发光层的材料包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自
II
‑
VI
族化合物
、III
‑
V
族化合物和
I
‑
III...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL，
类型：发明
国别省市：