一种星载总剂量阵列测量系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种星载总剂量阵列测量系统，包括：总剂量传感器，所述总剂量传感器包括基准总剂量传感器和其他总剂量传感器，其中，所述基准总剂量传感器处于屏蔽条件下；所述总剂量传感器为环形阵列式拓扑结构，每个所述总剂量传感器都先与一通路开关并联后再连接到多路开关

【技术实现步骤摘要】
一种星载总剂量阵列测量系统及方法


[0001]本专利技术属于空间总剂量效应监测领域，具体涉及一种星载总剂量阵列测量系统及方法
。

技术介绍

[0002]航天器在轨道运行过程中将遭受多种空间辐射环境的作用，包括各种粒子辐射
(
电子
、
质子
、
重离子等
)、
电磁辐射等，可引起航天器产生单粒子效应
、
电离总剂量效应
、
表面充放电效应
、
内带电效应等，是引起航天器在轨故障甚至失效的主要来源，严重影响航天器的在轨安全和可靠性
。
[0003]总剂量效应通常是由许多带电粒子长时间辐射累积引起的剂量效应
。
在卫星工程中，总剂量效应一般是指电离总剂量效应
。
[0004]空间带电粒子入射到卫星吸收体
(
电子元器件或材料
)
后，其能量被吸收体的原子吸收产生电离作用，从而对卫星的电子元器件或材料造成总剂量损伤
。
>总剂量效应具有长时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种星载总剂量阵列测量系统，其特征在于，包括：总剂量传感器，所述总剂量传感器包括基准总剂量传感器和其他总剂量传感器，其中，所述基准总剂量传感器处于屏蔽条件下；所述总剂量传感器为环形阵列式拓扑结构，每个所述总剂量传感器都先与一通路开关并联后再连接到多路开关
SW
；所述多路开关
SW
一端连接
Voltage
电压，另一端为控制端，用于控制与所述总剂量传感器中的其一连通；状态监测单元，与每个所述总剂量传感器连通，用于控制所述多路开关
SW
指向和所述通路开关状态
、
获取所述总剂量传感器信息以及周期性测量
Voltage
处传感器电压
Vth。2.
根据权利要求1所述的星载总剂量阵列测量系统，其特征在于，所述基准总剂量传感器数量为1个
。3.
根据权利要求1所述的星载总剂量阵列测量系统，其特征在于，所述其他总剂量传感器可布置于卫星任意的位置点进行辐射环境监测，布置的数量可根据卫星提供的资源和测量位置的要求进行调整
。4.
一种星载总剂量阵列测量方法，其特征在于，基于根据权利要求1‑3任一项所述的星载总剂量阵列测量系统，用于对多个总剂量传感器进行在轨控制，包括以下步骤：
S1
：采用时分扫描时序控制方式测量各个位置总剂量值；
S2
：在受辐射时，控制所述状态监测单元，使受辐射的所述其他总剂量传感器对应的通路开关处于导通状态；
S3
：在读出时，控制所述状态监测单元，使所述多路开关
SW
指向步骤
S2
中受辐射的所述其他总剂量传感器的对应通路；
S4
：在步骤
S3
中的所述对应通路加上一定大小的恒流源
I
，同时控制对应通路的通路开关处于断开状态；
S5
：测量总剂量传感器源极
S
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆海，杨晓宁，唐振宇，葛丽丽，彭毓川，李昊，
申请(专利权)人：北京卫星环境工程研究所，
类型：发明
国别省市：