半导体器件制造技术

在一个方面，一种半导体器件

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本公开的各方面总体涉及集成电路
(IC)
，并且特别地涉及半导体中改进的栅极接触件隔离
。

技术介绍

[0002]在半导体
(
也称为芯片或集成电路
(IC))
中，可以在互补金属氧化物半导体
(CMOS)
技术节点中使用栅极
。
栅极可以使用盖来隔离栅极以防止栅极与源极
/
漏极接触件电短路
。
然而，在盖内部会形成接缝，导致在栅极接触件形成期间接缝被金属填充，从而在栅极接触件与栅极上方的金属之间创建电短路
。

技术实现思路

[0003]以下给出了与本文公开的一个或多个方面相关的简要
技术实现思路

。
因此，以下
技术实现思路
不应被视为与所有考虑方面相关的广泛综述，也不应将以下
技术实现思路
视为与所有考虑各方面相关联的关键或重要元件或描绘与任何特定方面相关的范围
。
因此，以下
技术实现思路
的唯一目的是在下面呈现的详细描述之前以简化的形式呈现涉及与本文所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体器件，包括：栅极，包括：第一部分，位于所述栅极的一个端部上；第二部分，位于所述栅极的与所述第一部分相对的端部上，以及第三部分，位于所述第一部分与所述第二部分之间；第一盖，位于所述第一部分的顶部上；第二盖，位于所述第二部分的顶部上；以及栅极接触件，位于所述第三部分的顶部上，其中所述第三部分是无盖的
。2.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一盖和所述第二盖包括氮化硅
(SiN)。3.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一盖包括第一栅极盖接缝；并且所述第二盖包括第二栅极盖接缝
。4.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括场效应晶体管
(FET)
，所述场效应晶体管选自由以下组成的组：平面场效应晶体管
、
鳍式场效应晶体管
(finFET)
以及栅极全环绕场效应晶体管
(GAA FET)。5.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一部分被耦合到
P
型金属氧化物半导体
。6.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第二部分被耦合到
N
型金属氧化物半导体
。7.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极还包括：栅极导体层；一个或多个功函数金属层；栅极氧化物层；以及栅极间隔物
。8.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二部分被耦合到：源极
/
漏极接触件；以及硅
(Si)
层
。9.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三部分被耦合到：层间电介质
(ILD)
；以及氧化物层
。10.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述栅极具有约
0.3
微米至约
15
微米之间的长度；并且所述栅极具有约
40
纳米至约
250
纳米之间的宽度
。11.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一盖具有约
0.1
微米至约5微米之间的长度；并且所述第一盖具有约7纳米至约
150
纳米之间的宽度
。12.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述栅极接触件具有约
10
纳米至约
100
纳米
(nm)
之间的长度；以及所述栅极接触件具有约
10nm
至约
100nm
之间的宽度
。13.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述栅极接触件具有约
20
纳米至约
100
纳米之间的厚度
。14.
根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件被并入到装置中，所述装置选自由以下组...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海宁，鲍军静，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：