【技术实现步骤摘要】
一种芯片温度测试方法及系统
[0001]本专利技术涉及数据挖掘
,尤其涉及一种芯片温度测试方法及系统
。
技术介绍
[0002]传统的芯片温度测试方法多基于传感器和物理模型,使用外部传感器对芯片表面温度进行测量,并通过物理模型来估计芯片内部的温度分布
。
然而,这些方法存在测量偏差
、
复杂的标定和时间延迟等问题,限制了温度测试的准确性
。
技术实现思路
[0003]基于此,本专利技术有必要提供一种芯片温度测试方法,以解决至少一个上述技术问题
。
[0004]为实现上述目的,一种芯片温度测试方法,包括以下步骤:
[0005]步骤
S1
:通过热成像技术获取芯片测试热成像图像集,对芯片热成像图像集进行热能分析,从而获得芯片测试热成像热能图像集;
[0006]步骤
S2
:对芯片测试热成像热能图像集进行图像增强处理,从而获得增强芯片测试热成像热能图像集;基于卷积神经网络对增强芯片测试热成像热能图像集构建芯片热能检测模型;
[0007]步骤
S3
:获取温度测试芯片数据,对温度测试芯片数据进行结构数据提取,从而获得温度测试芯片结构数据,根据温度测试芯片结构数据进行预计温度计算,从而获得温度测试芯片预计温度数据;
[0008]步骤
S4
:利用热成像技术获取温度测试芯片热成像图像;利用芯片热能检测模型对温度测试芯片热成像图像进行第一温度分析,从而 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种芯片温度测试方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤
S1
:通过热成像技术获取芯片测试热成像图像集,对芯片热成像图像集进行热能分析,从而获得芯片测试热成像热能图像集;步骤
S2
:对芯片测试热成像热能图像集进行图像增强处理,从而获得增强芯片测试热成像热能图像集;基于卷积神经网络对增强芯片测试热成像热能图像集构建芯片热能检测模型;步骤
S3
:获取温度测试芯片数据,对温度测试芯片数据进行结构数据提取,从而获得温度测试芯片结构数据,根据温度测试芯片结构数据进行预计温度计算,从而获得温度测试芯片预计温度数据;步骤
S4
:利用热成像技术获取温度测试芯片热成像图像;利用芯片热能检测模型对温度测试芯片热成像图像进行第一温度分析,从而获得测试芯片第一温度;步骤
S5
:基于温度测试芯片预计温度数据对温度测试芯片热成像图像进行第二温度分析,从而获得测试芯片第二温度;步骤
S6
:对测试芯片第一温度以及测试芯片第二温度进行准确温度计算,从而获得测试芯片温度
。2.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤
S1
具体为:步骤
S11
:通过热成像技术获取芯片测试热成像图像集;步骤
S12
:通过区域图像分割法对芯片测试热成像图像集进行图像分割,从而获得芯片测试热成像区域图像集;步骤
S13
:对芯片测试热成像区域图像集进行统计分析,从而获得高频热能区域图像集以及低频热能区域图像集;步骤
S14
:对芯片测试热成像区域图像集进行潜在热能分析,从而获得潜在热能区域图像集;步骤
S15
:对潜在热能区域图像集
、
高频热能区域图像集以及低频热能区域图像集进行时序合并,从而获得芯片测试热成像热能图像集
。3.
根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤
S14
中的潜在热能分析具体为:通过芯片潜在热能区域识别算法对芯片测试热成像区域图像集进行潜在热能区域识别,从而获得潜在热能区域图像集;其中,芯片潜在热能区域识别算法的函数公式具体为:其中
E
为芯片潜在热能区域的能量值,
x
为特定像素点的横轴坐标,
y
为特定像素点的纵轴坐标,
n
为图像集中的像素点总数,
i
为图像集中的像素点序号,
x
i
为芯片测试热成像区域图像集中第
i
个像素点的横轴坐标,
y
i
为芯片测试热成像区域图像集中第
i
个像素点的纵轴坐标
。4.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤
S2
具体为:步骤
S21
:通过高通滤波方法对芯片测试热成像热能图像集进行细节增强处理,从而获得滤波芯片测试热成像热能图像集;步骤
S22
:通过自适应对比度增强技术对滤波芯片测试热成像热能图像集进行视觉效
果增加,从而获得增强芯片测试热成像热能图像集;步骤
S23:
基于卷积神经网络算法对增强芯片测试热成像热能图像集构建芯片热能检测模型
。5.
根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤
S23
具体为:按照预设的时间划分比例对增强芯片测试热成像热能图像集进行时序提取,从而获得卷积时序数据;使用卷积操作技术对增强芯片测试热成像热能图像集进行局部特征提取,从而获得卷积结构数据;根据卷积时序数据以及卷积结构数据构建时空
3D
卷积神经网络...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗小凌,黄爱华,徐定向,
申请(专利权)人:上海根根信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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