一种等离子式尾气处理燃烧反应腔制造技术

本实用新型专利技术公开了一种等离子式尾气处理燃烧反应腔，涉及废气处理技术领域，包括第一反应腔与第二反应腔，所述第一反应腔上配合安装有等离子体发生器总成，所述第一反应腔上配合安装有若干废气进气管，所述第一反应腔与第二反应腔之间配合安装有法兰连接盘，所述法兰连接盘外侧配合安装有若干助燃气体进气管，所述第二反应腔上侧开设有环形凹槽，所述环形凹槽与法兰连接盘配合形成环形腔室。本实用新型专利技术的螺旋喷射的等离子火焰可以引导助燃气体在第二反应腔内围绕等离子火焰形成气帘，使得等离子火焰长度更长、等离子火焰能够迅速达到更高的温度、等离子火焰对废气的燃烧更加充分，进而完成了对废气的充分处理。进而完成了对废气的充分处理。进而完成了对废气的充分处理。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子式尾气处理燃烧反应腔


[0001]本技术涉及废气处理
，具体为一种等离子式尾气处理燃烧反应腔。

技术介绍

[0002]目前工业发展导致环境污染问题越来越严重，环境保护已经成为了一个热门的话题，引起工业化国家的重视，利用国家法律法规和舆论宣传而使全社会重视和处理污染问题，尤其是对于工业废气的排放控制得相当严格。在芯片生产中会生成大量废气，废气中含有大量的硅烷、磷烷以及TMA等工业废料，这些废料直接排入大气，会对环境造成大量的损伤，不符合现在环保生产的要求。
[0003]目前现在一般通过燃烧对芯片生产中生成的废气进行烧制，使其中的硅烷等物质转化成固体颗粒再进行分离回收，进而完成对废气的净化操作，但是现在对废气燃烧一般是通过天然气等气体燃料进行，天然气等气体燃料产生的温度较低，使得废气中的物质没有达到需要的反应温度，进而造成废气处理不充分的问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述
技术介绍
中提出的废气处理不充分的问题，本技术的目的在于提供一种等离子式尾气处理燃烧反应腔。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种等离子式尾气处理燃烧反应腔，包括第一反应腔与第二反应腔，所述第一反应腔上配合安装有等离子体发生器总成，所述第一反应腔上配合安装有若干废气进气管，所述第一反应腔与第二反应腔之间配合安装有法兰连接盘，所述法兰连接盘外侧配合安装有若干助燃气体进气管，所述第二反应腔上侧开设有环形凹槽，所述环形凹槽与法兰连接盘配合形成环形腔室，所述环形腔室与第二反应腔内部连通，所述法兰连接盘内开设有若干助燃气体通道，每个所述助燃气体进气管均通过相应的助燃气体通道与环形凹槽连通。
[0006]优选的，所述第一反应腔位于第二反应腔上方，所述第一反应腔内设有收紧环。
[0007]优选的，所述等离子体发生器总成位于第一反应腔的上侧中心处。
[0008]优选的，所述废气进气管以等离子体发生器总成的轴线为圆心圆周阵列设置，所述助燃气体进气管以法兰连接盘的轴线为圆心圆周阵列设置。
[0009]优选的，所述助燃气体通道与助燃气体进气管的数量相同且一一对应配合设置。
[0010]优选的，所述第一反应腔外侧配合安装有第一反应外壳，所述第二反应腔外侧配合安装有第二反应外壳。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0012]1、本技术通过助燃气体进气管向着第二反应腔内注入助燃气体，螺旋喷射的等离子火焰可以引导助燃气体在第二反应腔内围绕等离子火焰形成气帘，增大了等离子火焰与助燃空气间的接触面积，使得等离子火焰长度更长、等离子火焰能够迅速达到更高的温度、等离子火焰对废气的燃烧更加充分，进而完成了对废气的充分处理。
[0013]2。本技术通过等离子火焰产生的高温对芯片生产中产生的废气进行高温烧制，等离子火焰超高的温度可以将废气中的硅烷转化成二氧滑硅颗粒与水、磷烷转化为五氧化二磷和水，进而有效防止了废气直接排入大气对大器造成的影响。
附图说明
[0014]图1为本技术的一种等离子式尾气处理燃烧反应腔的基本结构示意图。
[0015]图2为本技术的一种等离子式尾气处理燃烧反应腔的图1的剖视图。
[0016]图3为本技术的一种等离子式尾气处理燃烧反应腔的图1的俯视图。
[0017]图4为本技术的一种等离子式尾气处理燃烧反应腔的等离子火焰与气帘的生成位置关系图。
[0018]图中：101、第一反应外壳；102、第一反应腔；103、等离子体发生器总成；105、废气进气管；106、收紧环；107、法兰连接盘；108、助燃气体进气管；109、助燃气体通道；110、环形凹槽；111、第二反应外壳；112、第二反应腔。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]如图1
‑
图4所示，本实施例提供的一种等离子式尾气处理燃烧反应腔，包括第一反应腔102与第二反应腔112，第一反应腔102位于第二反应腔112上方，第一反应腔102上配合安装有等离子体发生器总成103，等离子体发生器总成103位于第一反应腔102的上侧中心处，第一反应腔102上配合安装有若干废气进气管105，废气进气管105以等离子体发生器总成103的轴线为圆心圆周阵列设置；
[0021]第一反应腔102与第二反应腔112之间配合安装有法兰连接盘107，法兰连接盘107外侧配合安装有若干助燃气体进气管108，助燃气体进气管108以法兰连接盘107的轴线为圆心圆周阵列设置，第二反应腔112上侧开设有环形凹槽110，环形凹槽110与法兰连接盘107配合形成环形腔室，环形腔室与第二反应腔112内部连通，法兰连接盘107内开设有若干助燃气体通道109，助燃气体通道109与助燃气体进气管108的数量相同且一一对应配合设置，每个助燃气体进气管108均通过相应的助燃气体通道109与环形凹槽110连通，等离子体发生器总成103生成等离子体后被点燃成等离子火焰，废气通过废气进气管105进入第一反应腔102内，等离子火焰将废气(主要成分为芯片生产中产生的硅烷)与助燃气体(一般为氧气)一起充分燃烧，硅烷与氧气会在等离子火焰的高温反应下生成二氧化硅颗粒和水、磷烷转化为五氧化二磷和水，助燃气体通过环形腔室进入第二反应腔112内，等离子火焰燃烧时呈螺旋形，使得助燃气体形成螺旋形气帘包围在等离子火焰周围(如图4所述)，使得等离子火焰与助燃气体更好得接触，使得等离子火焰的长度更长、等离子火焰能够迅速达到更高的温度、等离子火焰对废气的燃烧更加充分，进而完成了对废气的充分处理。
[0022]第一反应腔102内设有收紧环106，通过收紧环106可以对等离子火焰进行收紧，第一反应腔102外侧配合安装有第一反应外壳101，第二反应腔112外侧配合安装有第二反应
外壳111，通过第一反应外壳101与第二反应外壳111可以防止等离子火焰的温度过多传导至外壳外侧。
[0023]需要说明的是，本技术通过助燃气体进气管108向着第二反应腔112内注入助燃气体，螺旋喷射的等离子火焰可以引导助燃气体在第二反应腔112内围绕等离子火焰形成气帘，使得等离子火焰长度更长、等离子火焰能够迅速达到更高的温度、等离子火焰对废气的燃烧更加充分，进而完成了对废气的充分处理，本技术通过等离子火焰产生的高温对芯片生产中产生的废气进行高温烧制，等离子火焰超高的温度可以将废气中的硅烷转化成二氧滑硅颗粒与水、磷烷转化为五氧化二磷和水，进而有效防止了废气直接排入大气对大器造成的影响，而且物质一般为无害的固态颗粒、液体与气体，固态颗粒可以方便进行分离，液体可以溶于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子式尾气处理燃烧反应腔，其特征在于：包括第一反应腔(102)与第二反应腔(112)，所述第一反应腔(102)上配合安装有等离子体发生器总成(103)，所述第一反应腔(102)上配合安装有若干废气进气管(105)，所述第一反应腔(102)与第二反应腔(112)之间配合安装有法兰连接盘(107)，所述法兰连接盘(107)外侧配合安装有若干助燃气体进气管(108)，所述第二反应腔(112)上侧开设有环形凹槽(110)，所述环形凹槽(110)与法兰连接盘(107)配合形成环形腔室，所述环形腔室与第二反应腔(112)内部连通，所述法兰连接盘(107)内开设有若干助燃气体通道(109)，每个所述助燃气体进气管(108)均通过相应的助燃气体通道(109)与环形凹槽(110)连通。2.根据权利要求1所述的一种等离子式尾气处理燃烧反应腔，其特征在于：所述第一反应腔(102)位于第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱云兵，薛博文，刘闯，
申请(专利权)人：安可环保科技海宁有限公司，
类型：新型
国别省市：