转运基板及转运方法技术

本发明专利技术公开了一种转运基板及转运方法

【技术实现步骤摘要】
转运基板及转运方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种转运基板及转运方法
、
显示面板
。

技术介绍

[0002]发光二极管
(Light Emitting Diode
，
LED)
是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件，其发光原理为电子在
n
型半导体与
p
型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，因此发光二极管被称为冷光源，其具有低功耗
、
尺寸小亮度高
、
易与集成电路匹配
、
可靠性高等优点，作为光源被广泛应用
。
并且，随着
LED
技术的成熟，直接利用
LED
作为自发光显示点像素的
Mini LED(
次毫米级
LED)
显示器或
Micro LED(
即微型
LED)
显示器的技术也逐渐被广泛应用
。
>[0003]但...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种转运基板，其特征在于，包括：基板，所述基板的一侧包括凸起部，相邻所述凸起部之间包括凹槽部；第一功能层，所述第一功能层与所述凸起部位于所述基板的同一侧；沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第一功能层与所述凸起部至少部分交叠；第二功能层，位于所述第一功能层远离所述基板一侧，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第二功能层与所述第一功能层至少部分交叠，所述第二功能层至少由所述凸起部延伸至所述凹槽部的侧壁
。2.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述第一功能层包括第一状态和第二状态，所述第一状态下所述第一功能层的体积为
V1
，所述第二状态下所述第一功能层的体积为
V2
，其中，
V2
＞
V1
；所述第二状态下，所述第二功能层向远离所述凸起部的一侧突出形变
。3.
根据权利要求2所述的转运基板，其特征在于，所述第一状态下，所述第二功能层的粘度为
μ1，所述第二状态下，所述第二功能层的粘度为
μ2，
μ1＞
μ
2。4.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述凸起部沿第一方向上延伸，沿第二方向上，所述凹槽部位于相邻所述凸起部之间，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述基板所在平面且所述第一方向与所述第二方向相交
。5.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，沿第一方向和沿第二方向上，相邻所述凸起部之间均包括所述凹槽部，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述基板所在平面且所述第一方向与所述第二方向相交
。6.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述凹槽部的侧壁与所述凹槽部底部的夹角小于或等于
90
°
。7.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述凹槽部的侧壁和
/
或所述凹槽部底部为弧面
。8.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述凹槽部的侧壁包括向远离所述凹槽部中心一侧凹陷的凹坑和
/
或线槽
。9.
根据权利要求8所述的转运基板，其特征在于，所述第一功能层包括第一状态和第二状态，所述第一状态下所述第一功能层的体积为
V1
，所述第二状态下所述第一功能层的体积为
V2
，其中，
V2
＞
V1
；所述第二状态下，所述第二功能层向远离所述凸起部的一侧突出形变；在平行于基板所在平面的方向上，所述第二功能层与所述凹坑和
/
或线槽相交叠；在所述第二状态下，所述第二功能层与所述凹坑和
/
或线槽接触
。10.
根据权利要求1或8所述的转运基板，其特征在于，所述凹槽部底部包括向远离所述凹槽部中心一侧凹陷的凹坑和
/
或线槽
。11.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述凹槽部在第三方向上的宽度为
w
，所述第三方向平行于所述基板所在平面；所述凹槽部在垂直于所述基板所在平面方向上的深度为
h
，
h
＜
w。12.
根据权利要求
11
所述的转运基板，其特征在于，所述凹槽部深度与宽度的比值
h/w
＞
0.5。13.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，所述凹槽部在第三方向上的宽度为
w
，所述第三方向平行于所述基板所在平面；
50
μ
m≤w≤200
μ
m。14.
根据权利要求1所述的转运基板，其特征在于，沿第三方向，所述凹槽部的宽度为
w
，所述凸起部的宽度为
d
，其中，
w
＜
d
，所述第三方向平行于所述基板所在平面
。15.
根据权利要求
14
所述的转运基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周顾帆，
申请(专利权)人：天马新型显示技术研究院厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：