一种片上系统及相关系统上电恢复方法技术方案

本申请实施例公开了一种片上系统及相关系统上电恢复方法，其特征在于，所述片上系统包括

【技术实现步骤摘要】
一种片上系统及相关系统上电恢复方法


[0001]本申请涉及电子电路
，尤其涉及一种片上系统及相关系统上电恢复方法
。

技术介绍

[0002]片上系统
(System on Chip
，
SOC)
，是指在单个芯片上集成一个完整的系统，对所有或部分必要的电子电路进行包分组的技术，即可以在一个芯片上集成中央处理单元
、
调制解调处理单元
、
图像信号处理单元
、
视频编解码单元
、
数字信号处理单元等多种处理单元，以及存储器模块
、
电源等模块
。
随着
SOC
的广泛应用，为降低
SOC
的功耗，
SOC
上的每个处理单元在空闲状态下可以进行下电操作，需要工作时再进行上电操作，避免了处理单元在空闲且未下电的状态下依旧消耗大量电能的问题
。
但当处理单元再次上电后，需要先进行上电恢复
(
如处理单元上电后需要先进行内部存储器的坏点修复
)
，然后才能开始正常工作
。
在一些面向高帧率的游戏，虚拟现实技术
(Virtual Reality
，
VR)
或新型穿戴设备等应用场景下，处理单元的上电恢复时间越长，则会限制各处理单元空闲下电的使用场景，影响用户体验
。
[0003]因此，如何提供一种片上系统及相关的上电恢复方法，以缩短处理单元上电后的恢复时间，是亟待解决的问题
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例所要解决的技术问题在于，提供一种片上系统及相关系统上电恢复方法，以缩短系统上电后的恢复时间
。
[0005]第一方面，本申请实施案例提供一种片上系统，其特征在于，所述片上系统包括
N
个处理单元，所述
N
个处理单元中的目标处理单元包括多个第一存储器，所述多个第一存储器均为易失性存储器，所述目标处理单元为所述
N
个处理单元中的任意一个处理单元，
N、M
为大于0的整数，其中，所述目标处理单元用于：在内部的目标存储区域中存储目标修复信息，所述目标修复信息为所述多个第一存储器中出现故障的第一存储器的信息；当所述目标处理单元从第一模式切换到第二模式后，从所述目标存储区域读取所述目标修复信息，并对所述多个第一存储器进行坏点修复；其中，在所述第一模式下，所述目标处理单元中除所述目标存储区域以外的部分或全部部件处于下电状态，且所述目标存储区域处于上电状态；在所述第二模式下，所述目标处理单元整体处于上电状态
。
[0006]在本专利技术实施例中，通过在片上系统内部的每个处理单元内部都新增或划分一个目标存储区域，专门用于存储每个处理单元自身的目标修复信息，且将该目标存储区域配置为当处理单元下电时，该目标存储区域依旧可以处于上电状态，以使得每个处理单元重新上电后可以直接基于内部的目标修复信息进行存储器的坏点修复，而无需从处理单元外部去获取相应的目标修复信息，大大地缩短了处理单元上电后的存储器故障修复时间
。
具体地，在处理单元的内部增加或划分一个目标存储区域，专门用于存储处理单元自身的目
标修复信息
(
即为处理单元内部出现故障的第一存储器的相关信息
)
，且该目标存储区域在处理单元下电时依旧处于上电状态
(
例如为目标存储区域设置单独的供电电源
)
，以使得目标存储区域存储的目标修复信息在处理单元下电时不丢失
。
进一步地，当处理单元下电之后又重新上电时，由于目标存储区域一直处于上电状态
(
即存储在该目标存储区域中的目标修复信息未丢失
)
，因此处理单元可从内部未下电的目标存储区域中直接获得自身的目标修复信息，而无需再从外部的存储模块获取对应的目标修复信息
。
而在现有技术中，处理单元每次下电后，由于处理单元未对目标修复信息进行存储，因此当处理单元再次上电时，需要向处理单元外部的存储模块获取自身的目标修复信息，导致处理单元上电后的存储器故障修复时间过长的问题
。
综上，在本专利技术实施例中的处理单元重新上电时，处理单元可以直接基于内部存储的目标修复信息进行第一存储器的坏点修复，而无需再从处理单元外部获取目标修复信息，减少了处理单元进行存储器故障修复的时间，从而处理单元能够更加快速地恢复正常工作，缩短了系统上电恢复时间
。
[0007]在一种可能的实现方式中，所述片上系统还包括第二存储器，所述第二存储器为非易失性存储器；所述第二存储器用于：存储所述
N
个处理单元中每个处理单元的所述目标修复信息
。
[0008]在本专利技术实施例中，片上系统首次上电使用前，可对每个处理单元都进行硬件测试得到每个处理单元的目标修复信息，然后可将每个处理单元的目标修复信息都存储在第二存储器中，由于该第二存储器为非易失性存储器
(
即下电后数据不会丢失
)
，因此在第二存储器处于下电状态时，各个处理单元的目标修复信息也不会丢失
。
进一步地，当处理单元上电后，若处理单元内部的目标存储区域中没有目标修复信息，则可以从处理单元外部的第二存储器中获取自身的目标修复信息，进而处理单元可以基于该目标修复信息进行存储器坏点修复，同时还可以将该目标修复信息存储至目标存储区域，以使得处理单元再次上电时，处理单元可以直接基于内部存储的目标修复信息进行存储器的坏点修复，而无需再从处理单元外部获取该目标修复信息，减少了处理单元进行存储器故障修复的时间，从而处理单元能够更加快速地恢复正常工作，缩短了系统上电恢复时间
。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述片上系统还包括第三存储器，所述第三存储器为易失性存储器；当所述片上系统从下电状态切换为上电状态时，所述第三存储器还用于：从所述第二存储器读取所述目标处理单元的所述目标修复信息并进行存储
。
[0010]在本专利技术实施例中，第三存储器可以为静态随机存取存储器
(SRAM)
，即易失性存储器，当片上系统从下电状态切换为上电状态时，该第三存储器可用于从第二存储器中读取每个处理单元的目标修复信息并进行存储，以便于在处理单元内部的目标存储区中没有目标修复信息时，处理单元能够从外部的第三存储器中获取到自身的目标修复信息
。
由于处理单元访问非易失性存储器的速度远小于访问易失性存储器的速度，因此将非易失性存储器中的数据先加载至易失性存储器中，然后处理单元再从易失性存储器中读取目标数据，能够降低处理单元从外部读取数据的时间
。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述目标处理单元还用于：若所述目标存储区域中不存在所述目标修复信息，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种片上系统，其特征在于，所述片上系统包括
N
个处理单元，所述
N
个处理单元中的目标处理单元包括多个第一存储器，所述多个第一存储器均为易失性存储器，所述目标处理单元为所述
N
个处理单元中的任意一个处理单元，
N
为大于0的整数，其中，所述目标处理单元用于：在内部的目标存储区域中存储目标修复信息，所述目标修复信息为所述多个第一存储器中出现故障的第一存储器的信息；当所述目标处理单元从第一模式切换到第二模式后，从所述目标存储区域读取所述目标修复信息，并对所述多个第一存储器进行坏点修复；其中，在所述第一模式下，所述目标处理单元中除所述目标存储区域以外的部分或全部部件处于下电状态，且所述目标存储区域处于上电状态；在所述第二模式下，所述目标处理单元整体处于上电状态
。2.
如权利要求1所述系统，其特征在于，所述片上系统还包括第二存储器，所述第二存储器为非易失性存储器；所述第二存储器用于：存储所述
N
个处理单元中每个处理单元的所述目标修复信息
。3.
如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述片上系统还包括第三存储器，所述第三存储器为易失性存储器；当所述片上系统从下电状态切换为上电状态时，所述第三存储器用于：从所述第二存储器读取所述目标处理单元的所述目标修复信息并进行存储
。4.
如权利要求3所述的系统，其特征在于，所述目标处理单元还用于：若所述目标存储区域中不存在所述目标修复信息，则从所述第三存储器获取所述目标处理单元的所述目标修复信息，并存储至内部的所述目标存储区域中
。5.
如权利要求1‑4任意一项所述系统，其特征在于，所述目标处理单元中还包括第一寄存器；所述目标处理单元具体用于：将所述第一寄存器作为所述目标存储区域存储所述目标修复信息
。6.
如权利要求5所述系统，其特征在于，所述第一寄存器通过专用电源域供电使得在所述目标处理单元中除所述第一寄存器以外的部分或全部部件处于下电状态时，所述第一寄存器处于上电状态，或者所述第一寄存器通过所述目标处理单元的常开电源域供电使得在所述目标处理单元中除所述第一寄存器以外的部分部件处于下电状态时，所述第一寄存器处于上电状态
。7.
如权利要求5或6所述的系统，其特征在于，所述目标处理单元中还包括译码模块，所述目标处理单元还用于：通过所述译码模块从所述第一寄存器获取所述目标修复信息，并基于所述目标修复信息对所述多个第一存储器进行译码配置
。8.
如权利要求1‑4任意一项所述系统，其特征在于，所述目标处理单元具体用于：将所述多个第一存储器作为所述目标存储区域存储所述目标修复信息，所述多个第一存储器通过所述目标处理单元的常开电源域供电使得在所述目标处理单元中除所述多个第一存储器以外的部分部件处于下电状态时，所述多个第一存储器处于上电状态
。9.
如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述目标处理单元中包括第二寄存器，所述目标处理单元还用于：当所述目标处理单元从所述第一模式切换到所述第二模式后，通过所述第二寄存器从
所述多个第一存储器中获取所述目标修复信息并进行存储
。10.
如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述目标处理单元中还包括译码模块，所述目标处理单元还用于：通过所述译码模块从所述第二寄存器获取所述目标修复信息，并基于所述目标修复信息对所述多个第一存储器进行译码配置
。11.
如权利要求7或
10
所述的系统，其特征在于，所述目标处理单元还包括备用存储器；所述目标处理单元具体用于：基于所述目标修复信息，通过所述译码模块确定所述出现故障的第一存储器；对所述出现故障的第一存储器进行坏点隔离，并启用所述备用存储器
。12.
一种系统上电恢复方法，其特征在于，应用于片上系统，所述片上系统包括
N
个处理单元，所述
N
个处理单元中的目标处理单元包括多个第一存储器，所述多个第一存储器均为易失性存储器，所述目标处理单元为所述
N
个处理单元中的任意一个处理单元，
N、M
为大于0的整数，所述方法包括：通过所述目标处理单元在内部的目标存储区域中存储目标修复信息，所述目标修复信息为所述多个第一存储器中出现故障的第一存储器的信息；当所述目标处理单元从第一模式切换到第二模式...

【专利技术属性】
技术研发人员：王腾，孙伟，赵坦夫，汪浩，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：