一种显示基板及其制作方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示基板及其制作方法及显示装置，涉及显示技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制作方法及显示装置
。

技术介绍

[0002]目前，在显示领域，为了降低显示基板的功耗，
LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide
，低温多晶氧化物
)
已经被广泛应用
。LTPO
融合了
LTPS
和
IGZO
两个方案的特点，反应速度更快，且功耗更低
。
在此基础上，显示基板可以划分为显示区和周边区，显示基板在不同的区域可以实现不同的功能
。
通过在不同区域进行不同区域的频率刷新的方式，可以进一步降低功耗
。
但是在进行区域分区刷新过程中，需要用到
N
型电路
。
如果采用
LTPS
‑
NMOS(Low Temperature Poly
‑
Silicon N
‑
Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor
，低温多晶硅
N
型金属氧化物半导体
)
进行
N
型电路的制备，则需要较多的工艺和成本，同时其整体成本也较高；如果采用常规
Oxide(
氧化物
)
器件进行
N
型电路制备，则需要较大的边框面积，不利于显示基板窄边框的实现
。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制作方法及显示装置，通过在不同区域形成不同的氧化物有源层来使显示基板能够达成不同的性能，并且能够使显示基板在周边区具有窄边框，而且也不增加较多成本
。
[0004]本公开实施例的一方面提供了一种显示基板，具有显示区和周边区，所述显示基板具体包括：
[0005]衬底基板；
[0006]像素驱动电路和栅极驱动电路，均设置在所述衬底基板上，且所述像素驱动电路位于所述显示区，所述栅极驱动电路位于所述周边区；其中，
[0007]所述像素驱动电路至少包括第一薄膜晶体管，所述栅极驱动电路至少包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管，且所述第二薄膜晶体管的有源层的电子迁移率大于所述第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率
。
[0008]在一些实施方式中，所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层同层设置；或者，所述第一薄膜晶体管的有源层相较于所述第二薄膜晶体管的有源层更靠近所述衬底基板；亦或者，所述第一薄膜晶体管的有源层相较于所述第二薄膜晶体管的有源层更远离所述衬底基板
。
[0009]在一些实施方式中，所述像素驱动电路还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管
。
[0010]在一些实施方式中，所述第三薄膜晶体管的有源层相较于所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层更靠近所述衬底基板
。
[0011]在一些实施方式中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为双栅晶体管；所述显示基板还包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第三导电层
、
第一导电层和第二
导电层；
[0012]所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第二薄膜晶体管的第二栅极位于所述第一导电层；
[0013]所述第一薄膜晶体管的第二栅极位于所述第二导电层；
[0014]所述第二薄膜晶体管的第一栅极位于所述第三导电层
。
[0015]在一些实施方式中，显示基板还包括设置在所述第一薄膜晶体管的有源层背离所述衬底基板一侧的第四导电层；
[0016]所述第一薄膜晶体管的源极和漏极
、
所述第二薄膜晶体管的源极和漏极，以及所述第三薄膜晶体管的源极和漏极均位于第四导电层
。
[0017]在一些实施方式中，显示基板还包括设置在所述第三薄膜晶体管的有源层靠近所述衬底基板一侧的第五导电层；
[0018]所述第三薄膜晶体管的栅极位于所述第五导电层
。
[0019]在一些实施方式中，所述第三薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述显示基板还包括位于所述第三薄膜晶体管的有源层靠近所述衬底基板一侧的遮光层；
[0020]所述遮光层覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层
、
所述第二薄膜晶体管的有源层，以及所述第三薄膜晶体管的有源层
。
[0021]本公开实施例的另一方面，还提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板具有显示区和周边区，所述方法包括：
[0022]形成衬底基板；
[0023]在所述衬底基板上形成像素驱动电路和栅极驱动电路，所述像素驱动电路位于所述显示区，所述栅极驱动电路位于所述周边区；其中，
[0024]所述像素驱动电路至少包括第一薄膜晶体管，所述栅极驱动电路至少包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管，且所述第二薄膜晶体管的有源层的电子迁移率大于所述第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率
。
[0025]本公开实施例的又一方面，还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板
。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例
。
[0027]图1为一种示例性的显示基板的结构示意图；
[0028]图2为图1所示的显示基板沿
A
‑
A
’
方向的剖面结构示意图；
[0029]图3为一种示例性的显示基板的像素驱动电路的结构示意图；
[0030]图4为一种示例性的显示基板的
CMOS
反相器的结构示意图；
[0031]图5为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
[0032]图6为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
[0033]图
7a
和图
7b
为本公开实施例提供的驱动电路层的制作过程示意图；
[0034]图8为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
[0035]图9为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图
。
具体实施方式
[0036]为使本专利技术的目的
、
技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开实施例进一步详细说明
。
然而，应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示基板，具有显示区和周边区，所述显示基板包括：衬底基板；像素驱动电路和栅极驱动电路，均设置在所述衬底基板上，且所述像素驱动电路位于所述显示区，所述栅极驱动电路位于所述周边区；其中，所述像素驱动电路至少包括第一薄膜晶体管，所述栅极驱动电路至少包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管，且所述第二薄膜晶体管的有源层的电子迁移率大于所述第一薄膜晶体管的有源层的电子迁移率
。2.
根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层同层设置；或者，所述第一薄膜晶体管的有源层相较于所述第二薄膜晶体管的有源层更靠近所述衬底基板；亦或者，所述第一薄膜晶体管的有源层相较于所述第二薄膜晶体管的有源层更远离所述衬底基板
。3.
根据权利要求1或2所述的显示基板，其中，所述像素驱动电路还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管
。4.
根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第三薄膜晶体管的有源层相较于所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层更靠近所述衬底基板
。5.
根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为双栅晶体管；所述显示基板还包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第三导电层
、
第一导电层和第二导电层；所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第二薄膜晶体管的第二栅极位于所述第一导电层；所述第一薄膜晶体管的第二栅极位于所述第二导电层；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宏伟，牛亚男，王丽，赵西玉，田雪雁，李然，王晶，李良坚，刘利宾，刘政，史世明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：