【技术实现步骤摘要】
下拉电阻控制系统、芯片和电子设备
[0001]本专利技术涉及电子电路
,特别是涉及一种下拉电阻控制系统
、
芯片和电子设备
。
技术介绍
[0002]type
‑
C
芯片是通过在
CC
端加
5.1K
下拉电阻,
CC
端的电压值不同,以此来识别设备与设备之间的不同连接状态
。
[0003]在两个芯片进行
CC
协议交互的场景中,主要需要处理充电头端和负载端协议的交互,两个端口分别命名为
CC_I
和
CC_O
,在处理协议交互的过程中,需要满足标准的
5.1K
Ω
下拉电阻和大于
200K
Ω
的复位高阻,但是现有
CC
协议交互电路中需根据不同充电头调整外置充电电容大小,从而改变高阻释放时间,调节方式复杂,高阻释放时间不易控制,进而影响充电端和负载端的通信效率
。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术的目的在于提出一种下拉电阻控制系统
、
芯片和电子设备,本专利技术能够针对性的解决现有下拉高阻释放时间不易控制的问题
。
[0005]基于上述目的,第一方面,本专利技术提出了一种下拉电阻控制系统,包括:电源供给单元以及与所述电源供给单元连接的时钟信号产生单元
、
下拉计数器和下拉电阻模块;所述电源供给单元用于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种下拉电阻控制系统,其特征在于,包括:电源供给单元以及与所述电源供给单元连接的时钟信号产生单元
、
下拉计数器和下拉电阻模块;所述电源供给单元用于控制所述时钟信号产生单元
、
计数器和下拉电阻模块工作,并输出上电检测复位信号和偏置电流信号;所述时钟信号产生单元基于所述偏置电流信号和上电检测复位信号产生时钟信号;所述计数器基于下拉控制信号和所述时钟信号控制所述下拉电阻模块处于高阻态
。2.
根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统还包括端口控制模块;所述下拉电阻模块连接充电端口,所述充电端口通过所述端口控制模块连接负载端口;所述端口控制模块用于控制所述充电端口与所述负载端口之间的通断
。3.
根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于,所述电源供给单元包括:启动电路
、
偏置电路和上电检测复位电路;所述启动电路用于触发所述偏置电路工作;所述偏置电路用于产生所述偏置电流信号;所述上电检测复位电路用于产生所述上电检测复位信号
。4.
根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述启动电路包括第一
MOS
管
、
第二
MOS
管和第三
MOS
管,所述第一
MOS
管的栅极连接所述第二
MOS
管的漏极,所述第一
MOS
管的源极连接所述第三
MOS
管的栅极,所述第二
MOS
管的源极
、
第三
MOS
管的源极和漏极互相连接;所述偏置电路包括第四
MOS
管
、
第五
MOS
管
、
第六
MOS
管
、
第七
MOS
管
、
第八
MOS
管
、
第九
MOS
管
、
第十
MOS
管和第十一
MOS
管,所述第四
MOS
管的栅极连接所述第一
MOS
管的栅极,所述第四
MOS
管的漏极连接所述五
MOS
管的栅极,所述第五
MOS
管的漏极连接输入电源;所述第四
MOS
管的源极
、
第五
MOS
管的源极
、
第六
MOS
管的源极
、
第七
MOS
管的源极
、
第十一
MOS
管的源极连接,所述第六
MOS
管的源极还连接至第一
MOS
管的漏极;所述第六
MOS
管的栅极
、
第七
MOS
管的栅极
、
第六
MOS
管的漏极
、
第十一
MOS
管的栅极连接;所述第六
MOS
管的漏极连接第八
MOS
管的漏极,第八
MOS
管的栅极连接第一
MOS
管的源极,第八
MOS
管的源极连接调节电阻;第九
MOS
管的栅极连接第八
MOS
管的漏极,第九
MOS
管的漏极
、
第七
MOS
管的漏极
、
第十
MOS
管的栅极
、
第五
MOS
管的栅极相连接;第十
MOS
管的栅极
、
第十
MOS
管的漏极
、
第九
MOS
管的源极相连接;第十一
MOS
管的漏极还连接至第二
MOS
管的栅极
。5.
根据权利要求4所述的系统,其特征在于,所述上电检测复位电路包括第十二
MOS
管
、
第十三
MOS
管
、
第十四
MOS
管和第十五
MOS
管,所述第十二
MOS
管的源极
、
第十三
MOS
管的源极与所述第十一
MOS
管的源极相连;所述第十二
MOS
管的栅极
、
第十三
MOS
管的栅极与所述第十一
MOS
管的栅极相连;所述第十二
MOS
管的漏极连接第十四
MOS
管的漏极,所述第十三
MOS
管的漏极连接第十五
MOS
管的漏极,所述第十四
MOS
管的栅极
、
第十五
【专利技术属性】
技术研发人员:虞少平,罗庚,杨志斌,施宇迪,
申请(专利权)人:浙江地芯引力科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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