一种制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种N型单晶硅的切割方法


[0001]本专利技术涉及
N
型单晶硅切割领域，特别是一种
N
型单晶硅的切割方法
。

技术介绍

[0002]单晶硅的线切割为利用移动的金钢线作电极，对工件进行脉冲火花放电切割成形
。
利用细金钢线作工具电极进行切割，贮线筒使金钢线作正反向交替移动，加工能源由脉冲电源供给
。
在金钢线和工件之间浇注切割液介质，工作台在水平面两个坐标方向各自按预定的控制程序，根据火花间隙状态作伺服进给移动，从而合成各种曲线轨迹，把工件切割成形
。
[0003]现有
N
型单晶碳钢线切割，受制于细线化，碳钢线母线线径降低同时，其破断力随之降低，导致断线率偏高，影响单刀一次
A
成品率，
A
成品率指完整切割一刀晶棒后线痕
TTV
＜
13
μ
m
且表面无色差的硅片成品率
。
[0004]现有的单晶硅切割过程中金刚线容易出现崩线和线痕较大等情况从而影响硅片的品质，例如专利
CN 106584687 A
公开的一种单晶硅片切割装置，包括多槽线辊以及张设于多槽线辊上的金刚线
。
公开的一种单晶硅片切割方法先将硅棒粘连于粘连板上，然后设定参数利用单晶硅片切割装置的金刚线对硅棒进行切削处理
。
但该方法设置了较大的切割速度，却没有考虑不同段位切割线容易崩线的问题，在实际生产中损失率较高
。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种
N
型单晶硅的切割方法
。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
[0007]一种
N
型单晶硅的切割方法，包括以下步骤；步骤一
、
布置切割线网：首先将放线导辊和收线导辊平行安装于工作台上，放线导辊和收线导辊上均开设有对应的线槽，切割线倾斜布设于对应的线槽内形成切割线网；步骤二
、
粘接晶棒：粘贴板的一侧与晶棒粘接，粘贴板的另一侧与晶托连接；步骤三
、
切割晶棒：晶棒的四个边角处均切割有倒角，设置不同的参数对晶棒进行分段切割；首先将晶棒与切割线网对齐，然后开始晶棒的切割；首先切割线网从晶棒的一边倒角处进刀进行切割，然后切割线网对晶棒的直线段进行切割，最后切割线网从晶棒的另一边倒角处切割出刀；步骤四
、
抬棒：晶棒切割完成后形成粘接于粘贴板上的晶片，将晶片从切割线的缝隙中移出
。
将晶棒进行分段切割，线网炸线损失由原
400mm
降至
50mm
，出刀线痕概率降低
1.5
％
。
[0008]作为本专利技术的进一步优选，步骤一中切割线网中第一切割线至第二切割线的距离大于第二切割线至第三切割线的距离
。
切割扭矩可降低
10
‑
15
扭米
。
[0009]作为本专利技术的进一步优选，针对尺寸为
182mm
且倒角大于
6mm
的晶棒，步骤三中在进刀倒角切割完成前切割线速为
10
‑
15m/s。
线网炸线损失由原
400mm
降至
50mm。
[0010]作为本专利技术的进一步优选，步骤三中切割深度为
181mm
和
184mm
时切割线速为
35m/
s
，切割深度为
187mm
‑
192mm
时切割线速为
27m/s。
切割深度为
181mm
‑
192mm
时，切割流量为
10000kg/h。
出刀线痕概率降低
1.5
％左右
。
[0011]作为本专利技术的进一步优选，步骤四中晶棒的进给位置为
192mm
时，抬棒速度为
30mm/min
，切割线速为
2m/min
；当晶棒的进给位置为
170mm、100mm
和
30mm
时，抬棒速度为
50mm/min
，切割线速为
2m/min
；当进给位置为
0mm
时，抬棒速度为
500mm/min
，切割线速为
2m/min。
抬棒扭矩降低
20
扭米
。
[0012]作为本专利技术的进一步优选，所述粘贴板为实心板
。
降低板材切割完成后形变导致的掉片
。
[0013]作为本专利技术的进一步优选，所述切割线为钨丝线
。
同破断情况下，钨丝线径可做到
30
线，而碳钢只可以做到
35
线，线径降低5μ
m
同时，槽距方可降低5μ
m
，这样同棒长情况下，可多产出若干晶片
。
[0014]本专利技术具有如下有益效果：
[0015]1.
本专利技术中晶棒的四个边角处均切割有倒角，设置不同的参数对晶棒进行分段切割；首先将晶棒与切割线网对齐，然后开始晶棒的切割；首先切割线网从晶棒的一边倒角处进刀进行切割，然后切割线网对晶棒的直线段进行切割，最后切割线网从晶棒的另一边倒角处切割出刀；将晶棒进行分段切割，线网炸线损失由原
400mm
降至
50mm
，出刀线痕概率降低
1.5
％
。
[0016]2.
在切割线网中第一切割线至第二切割线的距离大于第二切割线至第三切割线的距离的情况下，切割扭矩降低
10
‑
15
扭米
。
[0017]3.
同破断情况下，钨丝线径可做到
30
线，而碳钢只可以做到
35
线，线径降低5μ
m
同时，槽距方可降低5μ
m
，这样同棒长情况下，可多产出若干晶片
。
附图说明
[0018]图1是本专利技术的晶棒结构示意图；
[0019]图2是本专利技术的切割线网结构示意图
。
[0020]其中有：
1.
放线导辊；
2.
收线导辊；
3.
切割线；
4.
晶棒；
5.
粘贴板；
6.
线槽；
7.
进刀倒角；
8.
出刀倒角；
9.
第一切割线；
10.
第二切割线；
11.
第三切割线
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
N
型单晶硅的切割方法，其特征在于：包括以下步骤；步骤一
、
布置切割线网：首先将放线导辊
(1)
和收线导辊
(2)
平行安装于工作台上，放线导辊
(1)
和收线导辊
(2)
上均开设有对应的线槽
(6)
，切割线
(3)
倾斜布设于对应的线槽
(6)
内形成切割线网；步骤二
、
粘接晶棒
(4)
：粘贴板
(5)
的一侧与晶棒
(4)
粘接，粘贴板
(5)
的另一侧与晶托连接；步骤三
、
切割晶棒
(4)
：晶棒
(4)
的四个边角处均切割有倒角，设置不同的参数对晶棒
(4)
进行分段切割；首先将晶棒
(4)
与切割线网对齐，然后开始晶棒
(4)
的切割；首先切割线网从晶棒
(4)
的一边倒角处进刀进行切割，然后切割线网对晶棒
(4)
的直线段进行切割，最后切割线网从晶棒
(4)
的另一边倒角处切割出刀；步骤四
、
抬棒：晶棒
(4)
切割完成后形成粘接于粘贴板
(5)
上的晶片，将晶片从切割线网的缝隙中移出
。2.
根据权利要求1所述的一种
N
型单晶硅的切割方法，其特征在于：步骤一中切割线网中第一切割线
(9)
至第二切割线
(10)
的距离大于第二切割线
(10)
至第三切割线
(11)
的距离
。3.
根据权利要求1所述的一种
N
型单晶硅的切割方法，其特征在于：针对尺寸为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，冯琰，王艺澄，刘传君，
申请(专利权)人：四川美科新能源有限公司浙江美科太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：