一种应用于低功耗蓝牙接收机前端的跨阻放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于低功耗蓝牙接收机前端的跨阻放大器，由

【技术实现步骤摘要】
一种应用于低功耗蓝牙接收机前端的跨阻放大器


[0001]本专利技术涉及模拟集成电路及微电子技术，特别涉及一种应用于低功耗蓝牙接收机前端的跨阻放大器
。

技术介绍

[0002]在低功耗蓝牙接收机
(
电流模
)
前端中，一般主要包括低噪声放大器，混频器，跨阻放大器
(TIA)
，在低功耗背景下，要求整个前端的功耗不超过
1mW,
而作为接收机第一级的低噪声放大器，通常需要分配较多的功耗来保证整个接收前端的噪声；而混频器的正常工作也需要花费一部分功耗在本振时钟信号的驱动上，这样留给
TIA
的功耗已经不多
。TIA
一般都是基于跨导运算放大器
(OTA)
以及反馈实现的，
OTA
一般为两级结构，为了保证
OTA
有一个中等的噪声系数，
TIA
需要分配一定的功耗在
OTA
第一级中；而为了保证
OTA
的稳定性，第二级的功耗要比第一级大；基带电路通常本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种应用于低功耗蓝牙接收机前端的跨阻放大器，其特征在于，由
IQ
两路组成，包括前级输出电阻
、
滤波电容
、
反馈电阻
、
反馈电容
、
交叉耦合电阻和跨导运算放大器
(OTA)
，其中前级输出电阻用于模拟前级电路的输出电阻；滤波电容用于滤除来自混频器的高频谐波信号；反馈电阻和馈反电容用于电流
‑
电压转换以及进一步滤波；交叉耦合电阻用于构建复数滤波；跨导运算放大器用于和反馈电容和反馈电阻构成低通滤波器；对于
I
路：前级输出电阻由
IR
P1
和
IR
P2
组成，其上端分别接
I
路差分信号
IINP
和
IINN
，其下端同时接地；滤波电容由
IC
P1
和
IC
P2
组成，其上极板分别接
I
路差分信号
IINP
和
IINN
，其下极板同时接地；反馈电阻和反馈电容
IR
F1
、IR
F2
、IC
F1
和
IC
F2
组成，其中
IR
F1
和
IC
F1
一端接
I
路正输入信号
IINP
，另一端接
I
路负输出信号
IOUTN
，
IR
F2
和
IC
F2
一端接
I
路负输入信号
IINN
，另一端接
I
路正输出信号
IOUTP
；交叉耦合电阻由
IR
CC1
和
IR
CC2
组成，其中
IR
CC1
一端接
I
路正输入信号
IINP
，另一端接
Q
路正输出信号
QOUTP
，
IR
CC2
一端接
I
路负输入信号
IINN
，另一端接
Q
路负输出信号
QOUTN
；
I
路跨导运算放大器输入端接
I
路正输入信号
IINP
和
I
路负输入信号
IINN
，输出端接
I
路正输出信号
IOUTP
和
I
路负输出信号
IOUTN
；对于
Q
路：前级输出电阻由
QR
P1
和
QR
P2
组成，其上端分别接
Q
路差分信号
QINP
和
QINN
，其下端同时接地；滤波电容由
QC
P1
和
QC
P2
组成，其上极板分别接
Q
路差分信号
QINP
和
QINN
，其下极板同时接地；反馈电阻和反馈电容
QR
F1
、QR
F2
、QC
F1
和
QC
F2
组成，其中
QR
F1
和
QC
F1
一端接
Q
路正输入信号
QINP
，另一端接
Q
路负输出信号
QOUTN
，其中
QR
F2
和
QC
F2
一端接
Q
路负输入信号
QINN
，另一端接
Q
路正输出信号
QOUTP
；交叉耦合电阻由
QR
CC1
和
QR
CC2
组成，其中
QR
CC1
一端接
Q
路正输入信号
QINP
，另一端接
I
路负输出信号
IOUTN
，其中
QR
CC2
一端接
Q
路负输入信号
QINN
，另一端接
I
路正输出信号
IOUTP。2.
根据权利要求1所述的一种应用于低功耗蓝牙接收机前端的跨阻放大器，其特征在于，
I
路跨导运算放大器
(OTA)
由
PMOS
管
MP1、PMOS
管
MP2、PMOS
管
MP3、PMOS
管
MP4、PMOS
管
MP5、PMOS
管
MP6、PMOS
管
MP7、NMOS
管
MN1、NMOS
管
MN2、NMOS
管
MN3、NMOS
管
MN4、NMOS
管
MB1、NMOS
管
MB2、
电阻
R1、
电阻
R2
组成，其中
NMOS
管
MN1、MN4
的栅极与
I
路正输入端
IINP
相连，
NMOS
管
MN2、MN3
的栅极与
I
路负输入端
IINN
相连，
PMOS
管
MP1
的栅极与
I
路正输入端相连，
PMOS
管
MP2
的栅极与
I
路负输入端
IINN
相连，
NMOS
管
MN3、PMOS
管
MP3
的漏极与
I
路正输出端
IOUTP
相连，
NMOS
管
MN4、PMOS
管
MP4
的漏极与
I
路负输出端
IOUTN
相连，
NMOS
管
MN1、PMOS
管
MP1
的漏极与
PMOS
管
MP3
的栅极相连，
NMOS
管
MN2、PMOS
管
MP2
的漏极与
PMOS
管
MP4
的栅极相连；
PMOS
管
MP1、PMOS
管
MP2
的源极与
PMOS
管
MP7
的漏极相连，
PMOS
管
MP3
的源极与
PMOS
管
MP5
的漏极相连，
PMOS
管
MP4
的源极与
PMOS
管
MP6
的漏极相连，
PMOS
管
MP5
的漏极与
PMOS
管
MP6
的漏极相连；
NMOS
管
MN1、PMOS
管
MP1
的漏极与
NMOS
管
MB1
的漏极相连，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵涛，金锦，黄同德，吴文，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：