具有降低的共模栅极制造技术

提出了用于减少差分共源共栅放大器的栅极节点不稳定性的方法和装置

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有降低的共模栅极RF电压的差分共源共栅放大器布置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年3月
26
日提交的题为“Differential Cascode Amplifier Arrangement with Reduced Common Mode Gate RF Voltage”的美国专利申请第
17/214,712
号的优先权，该美国专利申请通过引用整体并入本文
。


[0003]本申请总体上涉及电子电路，并且更具体地，涉及用于降低差分共源共栅放大器布置中的栅极节点不稳定性的方法和装置
。

技术介绍

[0004]在本领域中公知，当考虑包括单片集成电路的电子电路中的互连迹线时，这种迹线可以提供具有对应阻抗的不期望寄生电感，该寄生电感随电路的较高操作频率而变得越来越显著
。
尽管可能期望减小寄生电感，但是这种减小并不总是可能的，并且因此，随着操作频率的增加，需要考虑寄生电感的影响，并且在可能的情况下进行补偿
。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，包括：第一共源共栅放大支路，所述第一共源共栅放大支路包括第一输入晶体管和包括第一输出晶体管的第一组共源共栅晶体管，其中，所述第一共源共栅放大支路被配置成对差分
RF
输入信号的第一输入
RF
信号进行放大；第二共源共栅放大支路，所述第二共源共栅放大支路包括第二输入晶体管和包括第二输出晶体管的第二组共源共栅晶体管，其中，所述第二共源共栅放大支路被配置成对所述差分
RF
输入信号的第二输入
RF
信号进行放大；以及至少一个电容式耦合布置，所述至少一个电容式耦合布置耦接在所述第一组共源共栅晶体管的第一共源共栅晶体管的第一栅极节点与所述第二组共源共栅晶体管的第二共源共栅晶体管的第二栅极节点之间，其中，所述至少一个电容式耦合布置包括分流电容器
。2.
根据权利要求1所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：所述至少一个电容式耦合布置还包括连接在所述第一栅极节点与所述分流电容器之间的第一电容器以及连接在所述第二栅极节点与所述分流电容器之间的第二电容器
。3.
根据权利要求2所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：所述第一电容器和所述第二电容器是具有相同电容的串联连接的电容器
。4.
根据权利要求3所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：所述分流电容器的电容被配置成衰减所述分流电容器
、
所述第一电容器和所述第二电容器共用的中间栅极节点处的峰到峰电压
。5.
根据权利要求3所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：所述分流电容器的电容在所述第一电容器的电容的约两倍到约十倍的范围内
。6.
根据权利要求3所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：所述分流电容器的电容是所述第一电容器的电容的约五倍
。7.
根据权利要求3所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：所述相同电容被配置成在所述差分
RF
输入信号的操作频率下提供耦合至所述第一栅极节点和所述第二栅极节点的相应非零阻抗
。8.
根据权利要求7所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中，所述相应非零阻抗允许所述栅极节点针对耦合至所述第一共源共栅晶体管和所述第二共源共栅晶体管的
RF
信号浮动
。9.
根据权利要求7所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中，所述相应非零阻抗提供由相应的第一共源共栅放大支路和第二共源共栅放大支路输出的
RF
电压跨所述放大支路的相应晶体管的分布
。10.
根据权利要求9所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中，所述分布使得跨相应放大支路的每个晶体管的漏极至源极电压大约相等
。11.
根据权利要求1所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：所述至少一个电容式耦合布置包括多个电容式耦合布置，每个电容式耦合布置连接在由所述第一组共源共栅晶体管和所述第二组共源共栅晶体管的栅极节点形成的对称节点对之间
。12.
根据权利要求
11
所述的差分射频
(RF)
共源共栅放大电路，其中：
所述多个电容式耦合布置中的每个电容式耦合布置被配置成在所述差分
RF
输入信号的操作频率下提供所述对称节点对的相应的第一栅极节点和第二栅极节点处的相应非零阻抗
。13.
根据权利要求
12...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹，
申请(专利权)人：派赛公司，
类型：发明
国别省市：