一种钽丝和电极的连接结构及评价装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于多金硅技术领域中三氯氢硅评价装置，具体涉及一种钽丝和电极的连接结构及评价装置

【技术实现步骤摘要】
一种钽丝和电极的连接结构及评价装置


[0001]本专利技术属于多金硅
中三氯氢硅评价装置，具体涉及一种钽丝和电极的连接结构及评价装置
。

技术介绍

[0002]多晶硅的主生产工艺为改良西门子法，依靠三氯氢硅和氢气在还原炉内发生化学气相沉积反应，生成多晶硅
。
而三氯氢硅的纯度直接决定着多晶硅的纯度
。
三氯氢硅的纯度主要依靠一系列精馏塔进行提纯，通过控制各精馏塔的操作参数，最终得到较纯的三氯氢硅，通过对三氯氢硅内三氯氢硅成分纯度
、C、O、P、B、
金属含量及少子寿命进行分析，调节不同作用精馏塔的操作参数
。
[0003]目前，三氯氢硅的成分纯度分析依靠气相色谱进行，检测精度为百分含量；
C、O、P、B、
金属含量为等离子质谱仪谱
ICP
‑
OES
，检测精度为
10
～
100ppbw。
这种方式不但检测周期长
、
精度低，而且三氯氢硅具有危险性，因此，为了得到电子级三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种钽丝和电极的连接结构，包括钽丝
(10)
和电极
(20)
，其特征在于，还包括夹紧结构
(30)
和压盖
(40)
，所述夹紧结构
(30)
将所述钽丝
(10)
夹紧，所述压盖
(40)
套设在所述夹紧结构
(30)
上，将夹紧结构
(30)
压向所述电极使夹紧结构
(30)
与电极
(20)
连接
。2.
如权利要求1所述的一种钽丝和电极的连接结构，其特征在于，所述夹紧结构
(30)
为锥形；所述压盖
(40)
设置有压紧夹紧结构
(30)
的第一锥形孔
(41)。3.
如权利要求2所述的一种钽丝和电极的连接结构，其特征在于，所述电极
(20)
包括锥形台
(21)
，所述压盖
(40)
上设置有用于容纳所述锥形台
(21)
的第二锥形孔
(42)
；所述第一锥形孔
(41)
与所述第二锥形孔
(42)
...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦榕，张永良，李有斌，陈叮琳，李宏盼，韩华旺，张文毓，俞朝，曹喜高，马海兵，成进义，贾占杰，杨万苗，
申请(专利权)人：青海芯测科技有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：