一种制造技术

本发明专利技术属于半导体制造领域，具体涉及一种

【技术实现步骤摘要】
一种CCD用片上低噪声放大器的制作工艺


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，具体涉及一种
CCD
用片上低噪声放大器的制作工艺
。

技术介绍

[0002]CCD
在低频工作时，其放大器主要噪声源为
1/f
噪声，它将最终限制
CCD
的读出噪声背景
。
制备
CCD
低噪声片上放大器，主要的措施是采用埋沟型
MOS
管代替表沟型
MOS
管，以避免硅衬底界面态引入的噪声
。
使耗尽型
MOS
管导电沟道由表面沟道转化为埋沟沟道的主要方法有：
(1)
提高漏端电压，使放大器
MOS
管漏端导电沟道远离表面；
(2)
埋沟型
MOS
的阈值电压
(
负值
)
需要足够低，才能保证
MOS
管工作时源端电压足够高，从而产生一个足够高的势垒，以阻止
MOS
管工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
CCD
用片上低噪声放大器的制作工艺，其特征在于，包括：
S1
：在
CCD
的
P
型衬底上完成常规复合栅介质和多晶硅前的功能层注入后，进行放大器耗尽型
MOS
管制备阶段，将复合栅作为注入阻挡层对
MOS
管栅下区域进行放大器
N
型离子注入；
S2
：在已注入
N
型离子的区域表面，对其表面氮化硅进行刻蚀去除，氮化硅下栅氧化层使用湿法腐蚀漂蚀去除；
S3
：进行热氧化工艺，重新生长纯氧化层的放大器耗尽型
MOS
管用栅介质；
S4
：进行多晶硅淀积
、
多晶硅掺杂
、
多晶硅光刻
、
刻蚀形成多晶栅电极，将其一部分用于
CCD
转移栅电极，另一部分作为
CCD
用片上低噪声放大器
MOS
管多晶硅栅电极和交流耦合电容下极板多晶硅电极；
S5
：进行多晶硅氧化工艺，形成多晶硅层间介质层及电容绝缘介质层；
S6
：再进行另一次多晶硅淀积
、
掺杂
、
光刻
、
刻蚀，形成的多晶硅电极一部分用于
CCD
的另一相转移栅电极，另一部分则制作为交流耦合电容上极板多晶硅电极；
S7
：进行高温退火工艺，形成
MOS
管源漏区域，再完成后续
BPSG
淀积
、
金属走线
、
合金工艺，得到最终的器件
。2.
根据权利要求1所述的一种
CCD
用片上低噪声放大器的制作工艺，其特征在于，所述复合栅介质包括二氧化硅与氮化硅
。3.
根据权利要求1所述的一种
CCD
用片上低噪声放...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洋，刘丰豪，杨巧，王艺琪，钟佩宏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：