光阻项格点平移依赖性的分析方法技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，特别涉及一种光阻项格点平移依赖性的分析方法

【技术实现步骤摘要】
光阻项格点平移依赖性的分析方法、装置及计算机设备


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种光阻项格点平移依赖性的分析方法
、
装置及计算机设备
。

技术介绍

[0002]光刻是超大规模集成电路的核心步骤
。
随着，节点关键尺寸的不断缩小，计算光刻技术对光刻的重要性越来越显著
。
其中，光学邻近效应
(Optical Proximity Correction
，
OPC)
已被广泛运用
。
其原理是通过调整光罩
(mask)
上图案以弥补高频信号在成像过程中的损失，使得最终曝光后光阻上形成的图案尽量接近所需的目标图形
。
在
90nm
及以下节点主要采用基于模型的光学邻近效应修正
。
[0003]OPC
模型的本质是建立了从光罩图形到晶圆上光阻图形的之间的函数关系，它是基于晶圆数据及对应的光罩
gds
数据建立的
。OPC
模型在计算过程中涉及到
gds
数据的光栅化，其信号的采样是离散的，采样点之间的信号需要通过插值算法计算得到
。
由于离散采样本质上会引入额外的高频信号，而不同的采样方式引入的高频信号也不一样，导致最终得到的光强信号也有微小的差异，并最终反映在关键尺寸
(critical dimension)
的差异
。
简单来说，处于不同位置但完全一样的图形，最终在模型模拟形成轮廓
(resist contour)
时是有微小差异的
。
这种现象叫做格点平移依赖性
(grid dependency)
，因此寻求一种简便的方法对格点依赖性进行分析十分重要
。

技术实现思路

[0004]为了寻求一种简便方法对格点平移依赖性进行分析
。
本专利技术提供一种光阻项格点平移依赖性的分析方法
、
装置及计算机设备
。
[0005]本专利技术为解决上述技术问题，提供如下的技术方案：一种光阻项格点平移依赖性的分析方法，用于对图形模拟成像过程中出现的格点平移依赖性进行定量分析，包括以下步骤：
[0006]获取图形于某一光阻项组参数下模拟形成的图像；
[0007]基于预设格栅设置采样点并获得图像内采样点的强度；
[0008]基于采样点和强度建立初始强度分布曲线，并获得预设强度阈值下采样点对应的初始强度；
[0009]基于预设平移量对预设格栅进行移动，并获得移动后的强度分布曲线；
[0010]基于移动后的强度分布曲线获得该采样点对应的移动后强度；
[0011]初始强度和移动后强度基于预设算法获得模拟线宽变化量以完成对整体光阻项格点平移依赖性的分析
。
[0012]优选地，基于预设格栅设置采样点并获得图像内采样点的强度具体包括：
[0013]获取图像的轮廓信息，获取图像轮廓并获取图像轮廓内或图像轮廓上采样点的位置，并基于采样点位置获取采样点的强度
。
[0014]优选地，基于预设平移量对预设格栅进行平移，平移前和平移后的预设格栅皆能覆盖所有图像
。
[0015]优选地，基于采样点和强度建立初始强度分布曲线具体包括：
[0016]光阻项组参数由多个单一光阻项参数组成；
[0017]获取每个单一光阻项参数下图像内采样点的位置及其对应的强度，基于采样点位置和其对应的强度获得光阻项组参数强度分布曲线；
[0018]将所有单一光阻项参数所对应的强度分布曲线进行累加获得初始强度分布曲线
。
[0019]优选地，初始强度和移动后强度基于预设算法获得模拟线宽变化量包括：
[0020]基于初始强度分布曲线获得与预设强度阈值对应的两个采样点；
[0021]采样点于初始强度分布曲线上对应的强度为第一初始强度和第二初始强度；
[0022]采样于移动后的强度分布曲线上对应的强度为第一移动后强度和第二移动后强度；
[0023]基于第一初始强度和第一移动后强度获得第一差值，基于第二初始强度和第二移动后强度获得第二差值；
[0024]第一差值和第二差值基于预设算法获得模拟线宽变化量
。
[0025]优选地，所述预设算法为：
dCD
＝
dI1/slope1+dI2/slope2；
[0026]其中，
slope1和
slope2为初始强度分布曲线于预设强度阈值下对应的两个采样点处初始强度分布曲线的斜率，
dI1为第一初始强度和第一移动后强度的差值，
dI1为第二初始强度和第二移动后强度的差值，
dCD
为模拟线宽变化量
。
[0027]优选地，获取每个单一光阻项参数所对应的模拟线宽变化量进一步包括：
[0028]基于预设模型计算获得每个单一光阻项参数的贡献值；
[0029]基于光阻项组参数所对应的模拟线宽变化量获取光阻项组参数的贡献值；
[0030]比较单一光阻项参数的贡献值和光阻项组参数的贡献值以获取单一光阻项参数对整体格点平移依赖性的贡献关系
。
[0031]优选地，获得模拟线宽变化量进一步包括：
[0032]将另一个光阻项组参数替换该光阻项组参数进行迭代，并获取每个光阻项组参数所对应的模拟线宽变化量
。
[0033]本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种装置，应用于如上述的光阻项格点平移依赖性的分析方法，所述装置包括：
[0034]模拟模块：用于对图形模拟成像为图像；
[0035]采集模块：用于基于格栅设置采样点，并获得图像内采样点的强度；
[0036]计算模块：用于将初始强度和移动后强度基于预设算法获得模拟线宽变化量
。
[0037]本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机设备，应用于上述光阻项格点平移依赖性的分析方法，包括存储器
、
处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行上述计算机程序以实现所述光阻项格点平移依赖性的分析方法
。
[0038]与现有技术相比，本专利技术所提供的一种光阻项格点平移依赖性的分析方法
、
装置及计算机设备，具有如下的有益效果：
[0039]1.
本专利技术实施例提供的一种光阻项格点平移依赖性的分析方法，用于对图形模拟成像过程中出现的格点平移依赖性进行定量分析，其特征在于：包括以下步骤：
[0040]获取图形于光阻项组参数下模拟形成的图像；
[0041]基于预设格栅设置采样点并获得图像内采样点的强度；
[0042]基于采样点和强度建立初始强度分布曲线，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光阻项格点平移依赖性的分析方法，用于对图形模拟成像过程中出现的格点平移依赖性进行定量分析，其特征在于：包括以下步骤：获取图形于某一光阻项组参数下模拟形成的图像；基于预设格栅设置采样点并获得图像内采样点的强度；基于采样点和强度建立初始强度分布曲线，并获得预设强度阈值下采样点对应的初始强度；基于预设平移量对预设格栅进行移动，并获得移动后的强度分布曲线；基于移动后的强度分布曲线获得该采样点对应的移动后强度；初始强度和移动后强度基于预设算法获得模拟线宽变化量以完成对整体光阻项格点平移依赖性的分析
。2.
如权利要求1所述的光阻项格点平移依赖性的分析方法，其特征在于：基于预设格栅设置采样点并获得图像内采样点的强度具体包括：获取图像的轮廓信息，获取图像轮廓并获取图像轮廓内或图像轮廓上采样点的位置，并基于采样点位置获取采样点的强度
。3.
如权利要求2所述的光阻项格点平移依赖性的分析方法，其特征在于：基于预设平移量对预设格栅进行平移，平移前和平移后的预设格栅皆能覆盖所有图像
。4.
如权利要求1所述的光阻项格点平移依赖性的分析方法，其特征在于：基于采样点和强度建立初始强度分布曲线具体包括：光阻项组参数由多个单一光阻项参数组成；获取每个单一光阻项参数下图像内采样点的位置及其对应的强度，基于采样点位置和其对应的强度获得光阻项组参数强度分布曲线；将所有单一光阻项参数所对应的强度分布曲线进行累加获得初始强度分布曲线
。5.
如权利要求1所述的光阻项格点平移依赖性的分析方法，其特征在于：初始强度和移动后强度基于预设算法获得模拟线宽变化量包括：基于初始强度分布曲线获得与预设强度阈值对应的两个采样点；采样点于初始强度分布曲线上对应的强度为第一初始强度和第二初始强度；采样于移动后的强度分布曲线上对应的强度为第一移动后强度和第二移动后强度；基于第一初始强度和第一移动后强度获得第一差值，基于第二初始强度和第二移动后强度获得第二差值；第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑惠锋，鲁李乐，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：