一种低线性调整率基准电压源集成电路制造技术

本发明专利技术提出了一种低线性调整率基准电压源集成电路，能够有效消除电源电压波动对电路精度的影响，使电路系统具有较低的线性调整率，并输出精准稳定的基准电压；本发明专利技术包括稳定电路

【技术实现步骤摘要】
一种低线性调整率基准电压源集成电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，具体而言，涉及一种低线性调整率基准电压源集成电路
。

技术介绍

[0002]基准电压源集成电路能够为集成电路系统，提供不受环境温度变化影响的精准稳定电压
。
但是，集成电路的供电电源受各种因素的影响，会出现明显的电压波动
。
电源的电压波动会使集成电路系统的线性调整率升高，进而影响其所输出的基准电压的精度
。
传统基准电压源电路结构多采用运算放大器实现关键节点的电压相等及反馈回路的构成，使电路结构较为复杂，电路功耗增加，且明显减小了电源电压的裕度
。
由于集成电路系统应用领域的应用要求不断提高，传统基准电压源集成电路相关的电路线性调整率高
、
电路结构复杂等问题亟待解决
。

技术实现思路

[0003]本专利技术解决的问题是提出了一种低线性调整率基准电压源集成电路，能够有效消除电源电压波动对电路精度的影响，使电路系统具有较低的线性调整率
。
生成并输出基准电压的相关电路结构复杂度低，内部产生的偏置电压具有较低的温度系数，所输出的基准电压具有较高的精度
。
[0004]为解决上述问题，本专利技术提供一种低线性调整率基准电压源集成电路，其包括稳定电路
、
工作点电压电路和输出电路
。
[0005]稳定电路与工作点电压电路连接，通过相关端口为工作点电压电路提供不受电源/>VDD
电压波动影响的偏置电压，以降低电路系统的线性调整率
。
[0006]工作点电压电路与输出电路连接，通过相关端口为输出电路提供低温度系数偏置电压，使输出电路中的主
MOS
管工作于特定工作点，进而产生基准电压并输出
。
[0007]稳定电路包括端口
VZQ1
和
VBS1。
[0008]工作点电压电路包括端口
VZQ2、VBS2、VGL1
和
VJZ1。
[0009]输出电路包括
VGL2、VJZ2、VBS3
和
VREF。
[0010]端口
VZQ1
与
VZQ2
连接，用于传输电压
vzq。
[0011]端口
VBS1
与
VBS2、VBS3
连接，用于传输电压
vre。
[0012]端口
VGL1
与
VGL2
连接，用于传输
vs19。
[0013]端口
VJZ1
与
VJZ2
连接，用于传输电压
vd21。
[0014]端口
VREF
用于输出电压
vgs29。
[0015]稳定电路包括偏流电路和稳压电路
。
[0016]偏流电路与稳压电路连接，为稳压电路提供不受电源
VDD
电压变化影响的镜像电流
。
[0017]工作点电压电路包括反馈电路和偏压电路
。
[0018]反馈电路与偏压电路连接，为偏压电路提供负反馈环路，保持电路系统的稳定运行
。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提出了一种低线性调整率基准电压源集成电路，其包括稳定电路
、
工作点电压电路和输出电路
。
本专利技术通过稳定电路与工作点电压电路的连接，使工作点电压电路获得不受电源
VDD
电压波动影响的偏置电压，进而降低了整个电路系统的线性调整率
。
本专利技术通过工作点电压电路与输出电路的连接，使输出电路获得低温度系数偏置电压，进而能够更为精准的控制输出电路中主
MOS
管工作于特定工作点
。
本专利技术通过偏流电路与稳压电路的连接，使稳压电路具备不受电源
VDD
电压变化影响的镜像电流，进而为其输出稳定偏置电压提供必要条件
。
本专利技术通过反馈电路与偏压电路的连接，为偏压电路提供负反馈环路，进而使电路系统稳定运行
。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的系统结构示意图；图2为本专利技术的稳定电路的原理结构示意图；图3为本专利技术的工作点电压电路的原理结构示意图；图4为本专利技术的输出电路的原理结构示意图
。
[0021]附图标记说明：1‑
稳定电路；2‑
工作点电压电路；3‑
输出电路；
11
‑
偏流电路；
12
‑
稳压电路；
21
‑
反馈电路；
22
‑
偏压电路
。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术的上述目的
、
特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明
。
[0023]如图1所示，一种低线性调整率基准电压源集成电路包括稳定电路
1、
工作点电压电路2和输出电路
3。
[0024]稳定电路1与工作点电压电路2连接，通过相关端口为工作点电压电路提供不受电源
VDD
电压波动影响的偏置电压，以降低电路系统的线性调整率
。
[0025]工作点电压电路2与输出电路3连接，通过相关端口为输出电路3提供低温度系数偏置电压，使输出电路3中的主
MOS
管工作于特定工作点，进而产生基准电压并输出
。
[0026]稳定电路1包括端口
VZQ1
和
VBS1。
[0027]工作点电压电路2包括端口
VZQ2、VBS2、VGL1
和
VJZ1。
[0028]输出电路3包括
VGL2、VJZ2、VBS3
和
VREF。
[0029]端口
VZQ1
与
VZQ2
连接，用于传输电压
vzq。
端口
VBS1
与
VBS2、VBS3
连接，用于传输电压
vre。
端口
VGL1
与
VGL2
连接，用于传输
vs19。
端口
VJZ1
与
VJZ2
连接，用于传输电压
vd21。
端口
VREF
用于输出电压
vgs29。
[0030]如图1所示，稳定电路1包括偏流电路
11
和稳压电路
12。
[0031]偏流电路
11
与稳压电路
12
连接，为稳压电路
12
提供不受电源<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，包括稳定电路
(1)、
工作点电压电路
(2)
和输出电路
(3)
；稳定电路
(1)
与工作点电压电路
(2)
连接，通过相关端口为工作点电压电路提供不受电源
VDD
电压波动影响的偏置电压，以降低电路系统的线性调整率；工作点电压电路
(2)
与输出电路
(3)
连接，通过相关端口为输出电路
(3)
提供低温度系数偏置电压，使输出电路
(3)
中的主
MOS
管工作于特定工作点，进而产生基准电压并输出
。2.
根据权利要求1所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，稳定电路
(1)
包括偏流电路
(11)
和稳压电路
(12)
；偏流电路
(11)
与稳压电路
(12)
连接，为稳压电路
(12)
提供不受电源
VDD
电压变化影响的镜像电流
。3.
根据权利要求1所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，工作点电压电路
(2)
包括反馈电路
(21)
和偏压电路
(22)
；反馈电路
(21)
与偏压电路
(22)
连接，为偏压电路
(22)
提供负反馈环路，保持电路系统的稳定运行
。4.
根据权利要求2所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，偏流电路
(11)
包括
MOS
管
M1
至
M6
，电阻
R1
；
MOS
管
M1
的源极连接电源
VDD
，
MOS
管
M1
的栅极连接
MOS
管
M4
的栅极，
MOS
管
M1
的漏极连接
MOS
管
M2
的源极；
MOS
管
M2
的源极连接
MOS
管
M1
的漏极，
MOS
管
M2
的栅极连接
MOS
管
M5
的栅极，
MOS
管
M2
的漏极连接
MOS
管
M3
的漏极；
MOS
管
M3
的漏极连接
MOS
管
M3
的栅极，
MOS
管
M3
的栅极连接
MOS
管
M6
的栅极，
MOS
管
M3
的源极接地；
MOS
管
M4
的源极连接电源
VDD
，
MOS
管
M4
的栅极连接
MOS
管
M2
的栅极，
MOS
管
M4
的漏极连接
MOS
管
M5
的源极；
MOS
管
M5
的源极连接
MOS
管
M4
的漏极，
MOS
管
M5
的栅极连接
MOS
管
M5
的漏极，
MOS
管
M5
的漏极连接
MOS
管
M6
的漏极；
MOS
管
M6
的漏极连接
MOS
管
M5
的漏极，
MOS
管
M6
的栅极连接
MOS
管
M3
的漏极，
MOS
管
M6
的源极连接电阻
R1
的上端，电阻
R1
的下端接地
。5.
根据权利要求2所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，稳压电路
(12)
包括
MOS
管
M7
至
M10
，电阻
R2
，端口
VZQ1
，端口
VBS1
；
MOS
管
M7
的源极连接电源
VDD
，
MOS
管
M7
的栅极连接
MOS
管
M8
的栅极，
MOS
管
M7
的漏极连接
MOS
管
M8
的源极；
MOS
管
M8
的源极连接
MOS
管
M7
的漏极，
MOS
管
M8
的栅极连接
MOS
管
M4
的栅极，
MOS
管
M8
的漏极连接
MOS
管
M9
的源极；
MOS
管
M9
的源极连接端口
VZQ1
，
MOS
管
M9
的栅极连接
MOS
管
M9
的漏极，
MOS
管
M9
的漏极连接
MOS
管
M10
的源极；
MOS
管
M10
的源极连接
MOS
管
M9
的栅极，
MOS
管
M10
的栅极连接端口
VBS1
，
MOS
管
M10
的漏极连接电阻
R2
的上端，电阻
R2
的下端接地
。6.
根据权利要求3所述的一种低线性调整率基准电压源集成电路，其特征在于，反馈电路
(21)
包括
MOS
管
M11
至
M16
，端口
VBS2
；
MOS
管
M11
的源极连接电源
VDD
，
MOS
管
M11
的栅极连接
MOS
管
M11
的漏极，
MOS
管
M11
的漏极连接
MOS
管
M12
的源极；
MOS
管
M12
的源极连接
MOS
管
M11
的栅极，
MOS
管
M12
的栅极连接
MOS
管
M13
的栅极，
MOS
管
M12
的漏极连接
MOS
管
M13
的源极；
MOS
管
M13
的源极连接
MOS
管
M12
的漏极，
MOS
管
M13
的栅极连接
MOS
管
M14
的栅极，
MOS
管
M13
的漏极连接
MOS
管
M14
的漏极；
MOS
管
M14
的漏极连接
MOS
管
M13
的漏极，
MOS
管
M14
的栅极连接端口
VBS2
，
MOS
管
M14
的源极接地；
MOS
管
M15
的漏极连接
MOS
管
M18<...

【专利技术属性】
技术研发人员：林丽娜，李帅兵，李瑞芳，孟倩蕾，
申请(专利权)人：深圳市聚芯影像有限公司，
类型：发明
国别省市：