射频半导体器件及其制作方法技术

本申请涉及一种射频半导体器件及其制作方法，射频半导体器件的制作方法，包括：提供外延体，并向外延体的一侧分区进行掺杂形成掺杂部，以得到具有本体部

【技术实现步骤摘要】
射频半导体器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种射频半导体器件及其制作方法
。

技术介绍

[0002]随着科技水平的提高，现有的第一
、
二代半导体材料已经无法满足更高频率
、
更高功率电子器件的需求，而基于氮化物半导体材料的电子器件则可满足这一要求，大大提高了器件性能，使得以氮化镓
(Gallium Nitride
，
GaN)
为代表的第三代半导体材料在微波毫米波器件制造中有了广泛的应用
。GaN
是一种新型宽禁带化合物半导体材料，具有许多硅基半导体材料所不具备的优良特性，如宽禁带宽度，高击穿电场，以及较高的热导率，且耐腐蚀，抗辐射等
。
[0003]随着现代化移动通信和卫星
、
雷达系统的发展，器件的尺寸越来越小，导致器件在制作难度上升，制作良率下降
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供的射频半导体器件及其制作方法，能够提高器件的制作良率和可靠性
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种射频半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供外延体，并向所述外延体的一侧分区进行掺杂形成掺杂部，以得到具有本体部
、
功能部和掺杂部的外延层；在所述功能部背向所述本体部的一侧形成第二栅部，所述第二栅部在所述本体部上的正投影位于所述功能部在所述本体部的正投影内；在所述外延层和所述第二栅部上形成绝缘材料层，所述绝缘材料层包括平面部和凸出部，所述凸出部沿背向所述外延层的方向凸出于所述平面部设置；在所述绝缘材料层背向所述外延层和所述第二栅部的一侧形成预处理层，所述预处理层背向所述外延层的一侧为平齐表面；整面刻蚀所述预处理层，以暴露所述第二栅部背向所述外延层的一侧；对所述绝缘材料层进行图案化处理形成绝缘层，以露出至少部分的所述掺杂部；在所述图案化的绝缘层背向所述外延层的一侧形成图案化金属层，以在露出的所述第二栅部上形成第一栅部，在露出的所述掺杂部上形成源
/
漏极
。2.
根据权利要求1所述的射频半导体器件的制作方法，其特征在于，所述整面刻蚀所述预处理层中，包括：刻蚀至所述第二栅部背向所述外延层一侧的表面，令所述预处理层形成第一预处理部，所述绝缘材料层形成图案化的绝缘层，所述绝缘层包括覆盖部和围墙部，所述第一预处理部覆盖所述覆盖部，所述围墙部被覆于所述第二栅部的侧面，且在所述外延层的厚度方向上凸出于所述覆盖部，所述围墙部背向所述外延层一侧的表面以及所述第一预处理部背向所述外延层一侧的表面共面设置；去除所述第一预处理部
。3.
根据权利要求2所述的射频半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述图案化的绝缘层背向所述外延层的一侧形成图案化金属层中，包括：在所述围墙部背向所述外延层的一侧以及所述第二栅部背向所述外延层的一侧形成第一延伸部，在所述围墙部的周侧形成第二延伸部，所述第一延伸部和第二延伸部形成第一栅部
。4.
根据权利要求1所述的射频半导体器件的制作方法，其特征在于，所述整面刻蚀所述预处理层中，包括：刻蚀至所述绝缘材料层的所述平面部背向所述外延层一侧的表面，令绝缘材料层形成图案化的绝缘层，所述绝缘层包括覆盖部，所述覆盖部至少覆盖功能部设置，令所述第二栅部背向所述外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄安东，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：