一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置制造方法及图纸

本申请公开了一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，包括：电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压；信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通；被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证。本申请实施例的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置能够解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。板级工作稳定性的验证问题。板级工作稳定性的验证问题。

【技术实现步骤摘要】
一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置


[0001]本申请涉及电路
，尤其涉及一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置。

技术介绍

[0002]MOS场效应晶体管具有集成度高、低功耗、输入阻抗高等优点，广泛应用于变频调速、航天开关电源、汽车电源、电视机等领域中，可用于控制电路中的电流、电压、信号、功率等。近年来，随着国内元器件厂家的设计和生产能力的不断提高，元器件厂家自主研制了大量的MOS场效应晶体管，因缺乏对国产元器件的应用验证，导致大量的国产芯片没有得到很好的应用。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，用以解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。
[0004]本申请实施例提供P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，包括：
[0005]电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压；
[0006]信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通；
[0007]被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；
[0008]数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证。
[0009]可选的，所述电源转换模块包括两组电源输入端，第一组电源输入端包括第一正极接入点U42，第一负极接入点U60，第二组电源输入端包括第二正极接入点U41，第二负极接入点U61，其中：
[0010]第一正极接入点U42通过电阻R30连接至所述第二正极接入点U41，第二正极接入点U41通过电阻R28连接至三极管Q1的基极；
[0011]第一负极接入点U60、第二负极接入点U61均为接地点。
[0012]可选的，所述信号控制模块包括三极管Q1；
[0013]所述三极管Q1，其发射极接地，其基极通过电阻R29连接至其发射极，其基极还通过电阻R31连接至输出端测试点U43，其集电极通过电阻R32连接所述被测器件验证板的栅极接入点1
‑
G。
[0014]可选的，所述被测器件验证板包括多个与P沟道MOS场效应晶体管适配的多个接入点，其中：
[0015]栅极接入点1
‑
G，通过电阻R33连接至源极接入点3
‑
S；
[0016]源极接入点3
‑
S，引出，作为输出端测试点U43；
[0017]漏极接入点2
‑
D，通过电容C73、电容C74、电容C75的并联接地，其引出作为输出端测试点U44。
[0018]可选的，还包括输出端测试点U62和输出端测试点U63，且所述输出端测试点U62和
和输出端测试点U63均为接地点。
[0019]本申请实施例的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置能够解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。
[0020]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0021]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0022]图1为P沟道MOS场效应晶体管的验证装置的架构示意图；
[0023]图2为P沟道MOS场效应晶体管的验证装置的电路示意图。
具体实施方式
[0024]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0025]本申请实施例提供P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，如图1所示，本申请的验证装置由直流电源供电，包括电源转换模块、信号控制模块、被测器件验证板、数据采集模块、外围测试仪器，其中：
[0026]电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压。
[0027]信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通。
[0028]被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件。
[0029]数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证。
[0030]本技术的验证装置工作原理如下：
[0031]首先，确认验证目标、需要验证的功能和性能，按照实际使用条件及需求连接典型应用电路。
[0032]随后，打开直流电源，通过电源转换模块将输入电压转换为典型工作电压，给其他模块供电。
[0033]信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通。
[0034]外围测试仪器通过输出接口采集相关的测试数据，通过测试数据验证P沟道MOS场效应晶体管的耗散功率、漏极电流、导通电阻等参数是否符合要求，从而验证P沟道MOS场效应晶体管的功能和性能是否符合实际使用需求。
[0035]本申请实施例的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置能够解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。
[0036]在一些实施例中，如图2所示，所述电源转换模块包括两组电源输入端，第一组电
源输入端包括第一正极接入点U42，第一负极接入点U60，第二组电源输入端包括第二正极接入点U41，第二负极接入点U61，其中：
[0037]第一正极接入点U42通过电阻R30连接至所述第二正极接入点U41，第二正极接入点U41通过电阻R28连接至三极管Q1的基极；
[0038]第一负极接入点U60、第二负极接入点U61均为接地点。
[0039]在一些实施例中，如图2所示，所述信号控制模块包括三极管Q1；
[0040]所述三极管Q1，其发射极接地，其基极通过电阻R29连接至其发射极，其基极还通过电阻R31连接至输出端测试点U43，其集电极通过电阻R32连接所述被测器件验证板的栅极接入点1
‑
G。
[0041]在一些实施例中，所述被测器件验证板包括多个与P沟道MOS场效应晶体管适配的多个接入点，其中：
[0042]栅极接入点1
‑
G，通过电阻R33连接至源极接入点3
‑
S；
[0043]源极接入点3
‑
S，引出，作为输出端测试点U43；
[0044]漏极接入点2
‑
D，通过电容C73、电容C74、电容C75的并联接地，其引出作为输出端测试点U44。
[0045]在一些实施例中，还包括输出端测试点U62和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，其特征在于，包括：电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压；信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通；被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证；所述电源转换模块包括两组电源输入端，第一组电源输入端包括第一正极接入点U42，第一负极接入点U60，第二组电源输入端包括第二正极接入点U41，第二负极接入点U61，其中：第一正极接入点U42通过电阻R30连接至所述第二正极接入点U41，第二正极接入点U41通过电阻R28连接至三极管Q1的基极；第一负极接入点U60、第二负极接入点U61均为接地点；所述信号控制模块包括三极管Q1；所述三极管Q1，其发射极接地，其基极通过电阻R29连接至其发射极，其基极还通过电...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖保军，田峰，王晶，田立冬，李晓丹，张玮，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十五研究所，
类型：新型
国别省市：