光检测设备和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及光检测设备和电子设备

【技术实现步骤摘要】
光检测设备和电子设备
[0001]本申请是申请日为
2018
年1月
17
日
、
专利技术名称为“固态成像元件和电子设备”的申请号为
201880007892.4
的专利申请的分案申请
。


[0002]本技术涉及一种固态成像元件和电子设备，尤其涉及一种抑制像素之间的混色
、
提高每个像素中的光接收灵敏度并且还增加每个像素可以累积的信号电荷量
Qs
的固态成像元件和电子设备
。

技术介绍

[0003]常规提出的方法在固态成像元件的像素之间形成具有绝缘性和
/
或反射性的壁以抑制像素之间的混色
。
进一步地，所提出的另一种方法在固态成像元件的每个像素的光入射侧的
Si
界面上形成具有蛾眼结构的抗反射膜以将入射光限制在像素内并增加光路长度
。
因此，这提高了
PD(
光电二极管
)
的光接收灵敏度
(
例如，参见专利文献
1)。
[0004]引用列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利公开第
2015
‑
29054
号

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]根据上述常规技术，可以抑制像素之间的混色并提高每个像素的光接收灵敏度
。
然而，同时，不能容易地增加每个像素可以累积的信号电荷量
Qs。
[0009]鉴于这种情况完成了本技术，并且除了提供通过上述常规技术所获得的效果之外，本技术还允许增加每个像素的信号电荷量
Qs。
[0010]问题的解决方案
[0011]根据本技术第一方面的固态成像元件包括：光电转换部，其形成在每个像素中；和像素间分离部，其使每个像素的所述光电转换部分离，其中所述像素间分离部包括具有朝向所述光电转换部突出的形状的突出部
。
[0012]根据本技术第一方面的固态成像元件可以进一步地包括：所述像素间分离部和所述光电转换部之间的区域，所述区域的导电类型与所述光电转换部不同
。
[0013]所述像素间分离部可以由折射率比所述光电转换部低的材料和光反射材料中的至少一种形成
。
[0014]所述像素间分离部可以为在基板上从光入射面侧形成的
DTI。
[0015]所述像素间分离部可以为在基板上从与光入射面相对的表面侧形成的
DTI。
[0016]所述像素间分离部可以形成网格图案，以便使每个像素的所述光电转换部分离
。
[0017]所述像素间分离部在深度方向上的长度可以在所述突出部和所述网格图案的边之间不同
。
[0018]所述像素间分离部中包含的所述突出部可以根据每个像素的颜色而改变
。
[0019]所述像素间分离部中包含的所述突出部的长度可以根据每个像素的颜色而改变
。
[0020]所述像素间分离部中包含的所述突出部的宽度可以根据每个像素的颜色而改变
。
[0021]所述像素间分离部中包含的所述突出部的数量可以根据每个像素的颜色而改变
。
[0022]所述像素间分离部中包含的所述突出部可以根据共享像素的图案而改变
。
[0023]所述像素间分离部中包含的所述突出部的长度可以根据共享像素的图案而改变
。
[0024]所述像素间分离部中包含的所述突出部的宽度可以根据共享像素的图案而改变
。
[0025]所述像素间分离部中包含的所述突出部的数量可以根据共享像素的图案而改变
。
[0026]所述像素间分离部中包含的所述突出部可以根据从光学中心到相应像素的距离而改变
。
[0027]包括所述突出部的所述像素间分离部可以不包括其中横向部分和纵向部分垂直相交的部分
。
[0028]所述像素间分离部的所述网格图案的边可以具有直线状
。
[0029]所述像素间分离部的所述网格图案的边可以具有锯齿状
。
[0030]所述像素间分离部的所述网格图案的边可以具有三角波形状
。
[0031]所述像素间分离部的所述网格图案的边可以具有连续半圆形状
。
[0032]所述像素间分离部的所述网格图案的边可以具有连续半矩形形状
。
[0033]所述像素间分离部可以由阱区域形成，所述阱区域的导电类型与所述光电转换部不同
。
[0034]根据本技术第二方面的固态成像元件包括：光电转换部，其形成在每个像素中；网格图案状的像素间分离部，其使每个像素的所述光电转换部分离；以及柱状突出部，其形成在所述光电转换部的内部
。
[0035]根据本技术第二方面的固态成像元件可以进一步地包括：所述像素间分离部与所述光电转换部和所述突出部与所述光电转换部之间的阱区域，所述阱区域的导电类型与所述光电转换部不同
。
[0036]所述突出部可以由折射率比所述光电转换部低的材料和光反射材料中的至少一种形成
。
[0037]所述突出部可以为在基板上从光入射面侧形成的
DTI
，以及所述像素间分离部可以为在基板上从与光入射面相对的表面侧形成的
DTI。
[0038]所述突出部可以具有圆柱形状
。
[0039]所述突出部可以具有多边形柱形状
。
[0040]所述固态成像元件可以是背面照射型
。
[0041]根据本技术第三方面的电子设备包括固态成像元件，其中所述固态成像元件包括：光电转换部，其形成在每个像素中，和像素间分离部，其使每个像素的所述光电转换部分离，并且所述像素间分离部包括具有朝向所述光电转换部突出的形状的突出部
。
[0042]根据本技术第四方面的电子设备包括固态成像元件，其中所述固态成像元件包括：光电转换部，其形成在每个像素中，网格图案状的像素间分离部，其使每个像素的所述光电转换部分离，以及柱状突出部，其形成在所述光电转换部的内部
。
[0043]专利技术的有益效果
[0044]根据本技术的第一到第四方面，可以增加每个像素的信号电荷量
Qs
，同时提高其光接收灵敏度
。
附图说明
[0045]图1是示出应用本技术的固态成像元件的第一配置示例的水平断面图
。
[0046]图2是示出应用本技术的固态成像元件的第一配置示例的垂直断面图
。
[0047]图3是示出应用本技术的固态成像元件的第二配置示例的水平断面图
。
[0048]图4是示出应用本技术的固态成像元件的第二配置示例的垂直断面图
。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光检测设备，包括：包括在每个像素中的光电转换部；网格图案的像素间分离部，其分离每个像素的所述光电转换部，其中，在平面图中，所述网格图案的像素间分离部包括突出部；其中，第一像素包括第一浮动扩散部，所述第一浮动扩散部被配置为累积对应于第一波长范围的光的电荷，其中，第二像素包括第二浮动扩散部，所述第二浮动扩散部被配置为累积对应于第二波长范围的光的电荷，其中，在所述平面图中，所述第一像素邻近所述第二像素，其中，在所述平面图中，所述第一像素中的所述突出部的位置与所述第二像素中的所述突出部的位置不同
。2.
根据权利要求1所述的光检测设备，其中，所述突出部至少在所述平面图中包括第一部分和第二部分
。3.
根据权利要求2所述的光检测设备，其中，在所述平面图中，所述第一部分面对所述第二部分
。4.
根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木亮司，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：