显示基板及其制备方法和显示面板技术

本发明专利技术提供一种显示基板及其制备方法和显示面板。该显示基板，包括基底、遮挡层和像素电路层，遮挡层和像素电路层依次叠置于基底一侧，像素电路层包括多个晶体管，遮挡层在基底上的正投影覆盖至少部分晶体管的有源层在基底上的正投影，还包括光导层，位于遮挡层与像素电路层之间，且光导层在基底上的正投影至少覆盖遮挡层，光导层包括至少一个子层组，子层组包括第一子层和第二子层，第一子层和第二子层沿远离遮挡层的方向依次叠置，第一子层的折射率大于第二子层的折射率，且第一子层和第二子层的接触界面能使入射至其上的至少部分光发生全反射。该显示基板能改善显示面板显示画面的发红、发粉现象。发粉现象。发粉现象。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法和显示面板


[0001]本专利技术属于显示领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法和显示面板。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示屏因具有色域宽、视角广、对比度高、响应速度快、功耗低以及适用于柔性基底等优势，逐渐成为显示行业高端产品的主流选择，在手机、电脑和车载产品端具有广阔市场。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对BSM金属反射外界入射光导致OLED屏幕显示偏色的问题，提供一种显示基板及其制备方法和显示面板。该显示基板中第一子层和第二子层的界面，能使至少部分入射角度的光发生全反射，从而使至少部分入射角度的由遮挡层反射的光会被困在光导层中而无法出射，进而有效减少了照射到晶体管有源层的反射光，继而减少了遮挡层对有源层的光电激发，最终减少了晶体管的漏电流，改善了OLED发光器件的电流降低问题，从而改善了采用该显示基板的显示面板显示画面的发红、发粉现象。
[0004]本专利技术提供一种显示基板，包括基底、遮挡层和像素电路层，所述遮挡层和所述像素电路层依次叠置于所述基底一侧，
[0005]所述像素电路层包括多个晶体管，
[0006]所述遮挡层在所述基底上的正投影覆盖至少部分所述晶体管的有源层在所述基底上的正投影，
[0007]还包括光导层，位于所述遮挡层与所述像素电路层之间，且所述光导层在所述基底上的正投影至少覆盖所述遮挡层，
[0008]所述光导层包括至少一个子层组，所述子层组包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层沿远离所述遮挡层的方向依次叠置，所述第一子层的折射率大于所述第二子层的折射率，且所述第一子层和所述第二子层的接触界面能使入射至其上的至少部分光发生全反射。
[0009]在一些实施例中，所述光导层还包括第三子层，位于最靠近所述遮挡层的一个所述子层组与所述遮挡层之间，且所述第三子层的折射率小于最靠近所述遮挡层的所述子层组中所述第一子层的折射率，且所述第三子层和所述第一子层的接触界面能使入射至其上的至少部分光发生全反射。
[0010]在一些实施例中，所述光导层包括三个所述子层组，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次叠置。
[0011]在一些实施例中，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次为第一子层组、第二子层组和第三子层组，
[0012]所述第一子层组中的所述第一子层的折射率小于所述第二子层组中的所述第一子层的折射率，所述第二子层组中的所述第一子层的折射率小于所述第三子层组中的所述
第一子层的折射率；
[0013]所述第一子层组、所述第二子层组和所述第三子层组中所述第二子层的折射率相同。
[0014]在一些实施例中，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次为第一子层组、第二子层组和第三子层组，
[0015]所述第一子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第二子层组中的所述第一子层的折射率，所述第二子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第三子层组中的所述第一子层的折射率；
[0016]所述第一子层组、所述第二子层组和所述第三子层组中所述第二子层的折射率相同。
[0017]在一些实施例中，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次为第一子层组、第二子层组和第三子层组，
[0018]所述第二子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第一子层组中的所述第一子层的折射率，所述第一子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第三子层组中的所述第一子层的折射率；
[0019]所述第一子层组、所述第二子层组和所述第三子层组中所述第二子层的折射率相同。
[0020]在一些实施例中，所述第三子层和所述第二子层的材料包括氧化硅，所述第一子层的材料包括氮化硅。
[0021]在一些实施例中，所述光导层包括一个所述子层组，
[0022]所述第三子层和所述第二子层的折射率范围为1.2～1.49，所述第一子层的折射率范围为1.5～1.9。
[0023]在一些实施例中，所述光导层包括一个所述子层组，
[0024]所述第三子层的折射率范围为0.8～1.5，所述第二子层的折射率范围为1.2～1.5，所述第一子层的折射率范围为1.6～4.0。
[0025]在一些实施例中，所述第一子层组中的所述第一子层的折射率范围为1.5～2.0；
[0026]所述第二子层组中的所述第一子层的折射率范围为2.2～2.8；
[0027]所述第三子层组中的所述第一子层的折射率范围为3.0～3.8；
[0028]所述第三子层、所述第一子层组中的所述第二子层、所述第二子层组中的所述第二子层、所述第三子层组中的所述第二子层的折射率范围均为1.0～1.5。
[0029]在一些实施例中，所述遮挡层包括多个遮挡图形，
[0030]所述有源层在所述基底上的正投影落入所述遮挡图形在所述基底上的正投影区域内；或者，所述有源层与所述遮挡图形在所述基底上的正投影重合；
[0031]所述遮挡层的材料包括金属导电材料；
[0032]所述基底的材料包括柔性树脂材料。
[0033]本专利技术还提供一种显示面板，包括上述显示基板，
[0034]还包括发光器件层，位于所述显示基板中像素电路层的背离基底的一侧。
[0035]本专利技术还提供一种上述显示基板的制备方法，包括：在基底一侧依次制备遮挡层和像素电路层，
[0036]在制备所述遮挡层之后和制备所述像素电路层之前还包括：制备光导层，
[0037]制备所述光导层包括制备至少一个子层组，
[0038]制备子层组包括依次制备第一子层和第二子层，所述第一子层的折射率大于所述第二子层的折射率；
[0039]所述第二子层的材料包括氧化硅，所述第一子层的材料包括氮化硅；
[0040]通过调整所述氧化硅中氧的含量，控制所述第二子层实现不同折射率；
[0041]通过调整所述氮化硅中氮的含量，控制所述第一子层实现不同折射率。
[0042]本专利技术的有益效果：本专利技术所提供的显示基板，通过在遮挡层和像素电路层之间设置由至少一个子层组构成的光导层，且子层组中靠近遮挡层的第一子层的折射率大于远离遮挡层的第二子层的折射率，如此当外界光照射到遮挡层的背离基底的上表面上时，遮挡层对入射光进行反射，反射光进入第一子层并入射至第一子层和第二子层的接触界面，该界面能使至少部分入射角度的光发生全反射，从而使至少部分入射角度的由遮挡层反射的光会被困在光导层中而无法出射，进而有效减少了照射到晶体管有源层的反射光，继而减少了遮挡层对有源层的光电激发，最终减少了晶体管的漏电流，改善了OLED发光器件的电流降低问题，从而改善了采用该显示基板的显示面板显示画面的发红、发粉现象。
[0043]本专利技术所提供的显示基板的制备方法，在绝缘层制备时无需添加特殊的新材料，只需在氧化硅沉积反应中调节氧含量和氮化硅沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括基底、遮挡层和像素电路层，所述遮挡层和所述像素电路层依次叠置于所述基底一侧，所述像素电路层包括多个晶体管，所述遮挡层在所述基底上的正投影覆盖至少部分所述晶体管的有源层在所述基底上的正投影，其特征在于，还包括光导层，位于所述遮挡层与所述像素电路层之间，且所述光导层在所述基底上的正投影至少覆盖所述遮挡层，所述光导层包括至少一个子层组，所述子层组包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层沿远离所述遮挡层的方向依次叠置，所述第一子层的折射率大于所述第二子层的折射率，且所述第一子层和所述第二子层的接触界面能使入射至其上的至少部分光发生全反射。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光导层还包括第三子层，位于最靠近所述遮挡层的一个所述子层组与所述遮挡层之间，且所述第三子层的折射率小于最靠近所述遮挡层的所述子层组中所述第一子层的折射率，且所述第三子层和所述第一子层的接触界面能使入射至其上的至少部分光发生全反射。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光导层包括三个所述子层组，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次叠置。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次为第一子层组、第二子层组和第三子层组，所述第一子层组中的所述第一子层的折射率小于所述第二子层组中的所述第一子层的折射率，所述第二子层组中的所述第一子层的折射率小于所述第三子层组中的所述第一子层的折射率；所述第一子层组、所述第二子层组和所述第三子层组中所述第二子层的折射率相同。5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次为第一子层组、第二子层组和第三子层组，所述第一子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第二子层组中的所述第一子层的折射率，所述第二子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第三子层组中的所述第一子层的折射率；所述第一子层组、所述第二子层组和所述第三子层组中所述第二子层的折射率相同。6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，三个所述子层组沿远离所述遮挡层的方向依次为第一子层组、第二子层组和第三子层组，所述第二子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第一子层组中的所述第一子层的折射率，所述第一子层组中的所述第一子层的折射率大于所述第三子层...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜行宗，高栋雨，聂汉，仝勋飞，邓成绩，陈立，杨春梅，陈佳，叶建江，赵根，吕彤，杜陵，向峻，刘琪，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：