永磁体的退磁方法及磁体技术

本申请提供了一种永磁体的退磁方法及磁体。该退磁方法，包括：向所述永磁体施加第一磁场，其中所述第一磁场的方向与所述永磁体的磁化方向呈第一预定角度，所述第一预定角度为90

【技术实现步骤摘要】
永磁体的退磁方法及磁体


[0001]本申请涉及磁性材料
，具体涉及一种永磁体的退磁方法及磁体。

技术介绍

[0002]永磁体由于其独特的性质，已广泛地应用于人们生产、生活的方方面面。
[0003]尤其是，例如钕铁硼永磁体，因其优异的磁性能而被广泛应用于汽车、电子、机械、能源、医疗器械等众多领域。而钕铁硼永磁体含有关键稀土元素镨、钕、镝、铽，随着钕铁硼市场的快速扩张，对上述稀土元素的需求快速增长，因此对钕铁硼永磁体使用的稀土元素供应越来越受到关注，从废旧的钕铁硼永磁体中回收稀土元素再利用是近年来的研究热点。
[0004]废旧钕铁硼永磁体一方面来源于其下游的应用产品，例如，废旧的电动汽车或者手机、耳机等废弃的电子产品中，都蕴藏着大量的钕铁硼永磁体；另一方面来源于永磁体的制备过程，其中，由于充磁后永磁体表面划伤、充磁极性错误、弱磁等问题将导致其无法使用。由于上述需要回收的钕铁硼永磁体均带有磁性，所以在回收过程中，均面临对永磁体进行退磁的工序。
[0005]常规的退磁方法通常包括热退磁和磁场退磁两种。现有的热退磁方法通常在高温（需达到磁体的居里温度）下对永磁体直接进行烘烤以达到退磁目的，但是在高温下退磁容易导致永磁体表面发生氧化，永磁体表面的氧化层会增加其磁性损伤和力学损伤。
[0006]磁场退磁方法能够避免热退磁方法中因高温加热导致的永磁体表面氧化进而造成磁性损伤的问题，可重复利用回收的永磁体。常规的磁场退磁方法通常包括两种方式，即反向磁场退磁和交流衰减磁场退磁。
[0007]反向磁场退磁的方式，通过施加与永磁体原磁化方向相反的磁场，需要精准控制反向退磁磁场的强度，保证反向磁场撤去后，恰使永磁体的磁感应强度或剩余磁矩变为零，但是永磁体的规格和磁化反磁化特性均会影响需要施加的反向退磁磁场的强度，目前若要精准确定反向退磁磁场的强度较为困难。
[0008]图1示出了现有技术中利用反向磁场对永磁体进行退磁的示意图。如图1所示，永磁体的磁化方向为c，在进行退磁时，向其施加外部磁场H
ex
。磁场H
ex
的方向与永磁体的磁化方向c平行且相反。在实际操作中，所施加的磁场H
ex
的大小需要根据永磁体的内禀矫顽力、形状等因素经过很多次反复尝试来确定，但即便如此，其退磁效果也往往不尽如人意，很难达到外部磁场撤去后，剩余磁矩接近0的需求。
[0009]交流衰减磁场退磁的方式是将永磁体置于充退磁机提供的交流衰减磁场中，利用磁滞回线递减进行退磁，但是常规的充退磁机交流衰减的衰减率和衰减次数已经确定，可以调整的是初始磁场的强度，而对不同磁化特性和不同规格的永磁体而言初始磁场的强度很难确定。
[0010]图2示出了现有技术中利用交流衰减磁场对永磁体进行退磁的示意图。如图2所示，永磁体的磁化方向仍为c，在进行退磁时，向其施加外部交流衰减磁场H
ex
1。磁场H
ex
1的
方向与永磁体的磁化方向c平行，且在该方向上衰减振荡。在实际操作中，所施加的交流衰减磁场H
ex
1的初始磁场大小需要根据永磁体的内禀矫顽力、形状交流衰减磁场的频率、振幅衰减情况等因素经过很多次反复尝试来确定。而且，与上述反向磁场退磁的方式类似，其退磁效果也很难达到外部磁场撤去后，剩余磁矩接近0的需求。
[0011]在现有技术中，采用上述两种电磁退磁方法完成永磁体退磁，退磁后的永磁体在外部磁场撤去后，往往仍会残留较大的剩余磁矩，并且在批量操作时，一致性较差。

技术实现思路

[0012]为了解决现有技术中出现的上述问题，本申请提供了一种永磁体的退磁方法和磁体。
[0013]根据本申请的一个方面，提供了一种永磁体的退磁方法，包括：向所述永磁体施加第一磁场，其中所述第一磁场的方向与所述永磁体的磁化方向呈第一预定角度，所述第一预定角度为90
‑
180
°
；以及向所述永磁体施加交流衰减磁场，其中所述交流衰减磁场的方向与所述永磁体的磁化方向呈第二预定角度，所述第二预定角度为45
‑
135
°
。
[0014]根据本申请的另一方面，还提供了一种通过如上所述的方法处理后得到的磁体，其中，所述磁体的剩余磁矩的大小与原始磁化方向饱和充磁磁矩大小比值小于5%，所述剩余磁矩在垂直于原磁化方向上分量及平行于原磁化方向上分量的比值绝对值大于tan(5
°
)。
[0015]由此，对永磁体施加具有与其磁化方向平行且反向分量的第一磁场和具有与其磁化方向垂直分量的交流衰减磁场，在二者的共同作用下，能够较好地完成退磁工序，使得退磁后的剩余磁矩与磁体饱和充磁时的磁矩的比例降到较低的程度。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了现有技术中利用反向磁场对永磁体进行退磁的示意图。
[0017]图2示出了现有技术中利用交流衰减磁场对永磁体进行退磁的示意图。
[0018]图3示出了根据本申请一个实施方式永磁体的退磁方法的流程图。
[0019]图4示出了根据该实施方式的磁场操作示意图。
[0020]图4A示出了根据本申请一个实施方式的交流衰减磁场的波形图，其中示出了参数f和η的含义。
[0021]图5示出了根据本申请另一实施方式永磁体的退磁方法的流程图。
[0022]图6示出了根据该实施方式的磁场操作示意图。
[0023]图7示出了根据本申请一个实施方式对组成组件的多个永磁体进行原位批量退磁的磁场操作示意图。
[0024]图8示出了根据本申请另一实施方式永磁体的退磁方法的流程图。
具体实施方式
[0025]为了更好地理解本申请的技术方案及优点，下面结合附图和具体实施例对本申请的内容做进一步详细说明。但此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。此外，以下所描述的本申请的各实施方式中所涉及到的技术特征除彼此构成冲突的情况外均可以组合使用，从而构成本申请范围内的其他实施方式。
[0026]下文中描述的内容提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开内容，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
[0027]附图中的流程图示出根据本申请的一个或多个实施例的方法的可能实现的操作。应注意，在一些可替代性实施中，框中标注的各步骤可以不按照附图中标注的顺序发生。例如，根据所涉及的功能性，连续示出的两个或更多个框本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种永磁体的退磁方法，包括：向所述永磁体施加第一磁场，其中所述第一磁场的方向与所述永磁体的磁化方向呈第一预定角度，所述第一预定角度为90
‑
180
°
；以及向所述永磁体施加交流衰减磁场，其中所述交流衰减磁场的方向与所述永磁体的磁化方向呈第二预定角度，所述第二预定角度为45
‑
135
°
。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一预定角度为120
‑
180
°
，并且/或者所述第二预定角度为60
‑
90
°
。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一磁场包括第一单向磁场，所述第一单向磁场在所述永磁体的磁化方向上具有第一分量，所述第一分量的大小在(0, 50kOe]的范围内。4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一分量的大小在[HcJ
‑
p
×
HcJ, HcJ+p
×
HcJ]的范围内，其中HcJ为所述永磁体的内禀矫顽力大小，p为预设参数，p的大小在[0, 1)的范围内。5.如权利要求4所述的方法，其中p的大小在[0, 0.5]的范围内。6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一磁场包括第一交流衰减磁场，所述第一交流衰减磁场的初始磁场在所述永磁体的磁化方向上具有第二分量，所述第二分量的大小为q
×
HcJ，其中HcJ为所述永磁体的内禀矫顽力大小，q为预设参数，q大于等于0.05。7.如权利要求6所述的方法，其中q大于等于0.2。8.如权利要求6所述的方法，其中所述第一交流衰减磁场的衰减频率f为5
‑
1000Hz，振荡衰减系数η为预设参数，η范围为[0.20, 0.95]。9.如权利要求1所述的方法，其中所述交流衰减磁场的初始磁场在与所述永磁体的磁化方向相垂直的方向上具有第三分量，所述第三分量的大小为n
×
HcJ，其中n为预设参数，n大于等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘风乔，钮萼，王进东，付国安，王湛，饶晓雷，
申请(专利权)人：北京中科三环高技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：