磁性随机存储器及其数据写入和读取方法、电子设备技术

本申请实施例提供一种磁性随机存储器及其数据写入和读取方法、电子设备，涉及存储技术领域，可以解决3D MRAM中与外围控制电路电连接的信号线数量较多，导致布线困难的问题。该磁性随机存储器包括沿第一方向和第二方向分布的多个存储串，每个存储串包括依次堆叠的多个第一存储单元；每个第一存储单元包括层叠设置的第一SOT电极线和第一MTJ；位于同一层的多个第一存储单元分别与同一条第一字线和同一条第二字线电连接；沿第一方向排列的多个存储串中，每个所存储串的多个第一存储单元通过第一晶体管与一条源线电连接，沿第一方向排列的多个存储串的第一存储单元还与同一条第一位线电连接；沿第二方向排列的多个第一晶体管的栅极与同一条第三字线电连接。的栅极与同一条第三字线电连接。的栅极与同一条第三字线电连接。的栅极与同一条第三字线电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶力，李文静，翁贞华，向清懿，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：