一种一次性可编程存储器和电子设备制造技术

本申请公开了一次性可编程存储器和电子设备，属于磁旋存储领域，包括比较器、参考电阻、至少一个存储单元，存储单元包括磁性随机存储器和晶体管；磁性随机存储器中磁隧道结的第一端与晶体管的第一端连接，磁隧道结的第二端与位线连接；晶体管的第二端分别与源极线、比较器的第一端连接，比较器的第一端与源极线连接；磁隧道结的读电压由源极线处施加，读电压大于磁隧道结由平行态翻转到反平行态的电压。磁隧道结的读电压由源极线处施加，且大于由平行态翻转到反平行态的电压，所以读取的电阻为击穿态电阻或反平行态电阻，参考电阻的窗口即为反平行态电阻和击穿态电阻间的距离，窗口增大，且无需对磁隧道结的生产工艺做任何调整，非常简单。非常简单。非常简单。

【技术实现步骤摘要】
一种一次性可编程存储器和电子设备


[0001]本申请涉及磁旋存储领域，特别是涉及一种一次性可编程存储器和电子设备。

技术介绍

[0002]一次性可编程(One Time Programmable，OTP)存储器是一种非易失性存储器，其可靠性高、安全性高、抗干扰能力强，广泛应用于密钥保存、RFID(Radio Frequency Identification，射频识别)以及空间军事等领域。
[0003]基于MRAM(Magnetic Random Access Memory，磁性随机存储器)的OTP通过对OTP阵列施加编程信号，使得指定的MTJ(Magnetic Tunneling Junction，磁性隧道结)单元发生不可逆的击穿，由此实现一次性编程写入。MTJ的击穿状态具有低电阻，未击穿状态，包括平行态或反平行态，具有高电阻，在读取OTP信号时，借助参考电阻区分击穿状态和未击穿状态。在对MTJ施加读电压时，读取到的MTJ阻值为击穿态电阻，或者平行态电阻，或者反平行态电阻，由于击穿态记为“0”，平行态和反平行态均记为“1”，而平行态电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一次性可编程存储器，其特征在于，包括：比较器、参考电阻、至少一个存储单元，所述存储单元包括磁性随机存储器和晶体管；所述磁性随机存储器中磁隧道结的第一端与所述晶体管的第一端连接，所述磁隧道结的第二端与位线连接；所述晶体管的第二端分别与源极线、所述比较器的第一端连接，所述比较器的第一端与所述源极线连接；所述磁隧道结的读电压由所述源极线处施加，所述读电压大于所述磁隧道结由平行态翻转到反平行态的电压。2.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述存储单元还包括：用于将所述磁隧道结的读电流映射为映射电流的电流镜电路，所述电流镜电路包括所述磁性随机存储器和电阻；所述电阻的第一端与所述比较器的第一端连接，所述映射电流小于所述读电流。3.如权利要求2所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述参考电阻两端的参考电压小于所述读电压。4.如权利要求1至3任一项所述的一次性...

【专利技术属性】
技术研发人员：何世坤，张楠，黄张英，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：