本发明专利技术提供了一种倒装BLU发光二极管，其特征在于，包括衬底、依次沉积在衬底一侧的反射率调节层、布拉格反射层以及沉积在衬底另一侧的发光层，反射率调节层包括设于衬底中心的中心图形区、依次围设于中心图形区四周的环形图形区和无图形区，中心图形区和环形图形区内均设有若干等高且截面为锥形的反射凸起，中心图形区的反射凸起与衬底的夹角大于环形图形区的反射凸起与衬底的夹角。本发明专利技术的倒装BLU发光二极管，在衬底的正面沿中心向四周设有与衬底夹角依次减小的反射凸起，减少衬底正面出现暗点的产生，有效的提高了二极管的发光均匀性。性。性。
【技术实现步骤摘要】
一种倒装BLU发光二极管及其制备方法
[0001]本专利技术涉及光电
，具体涉及一种倒装BLU发光二极管及其制备方法。
技术介绍
[0002]倒装BLU发光二极管由于发光角度大，在制备LCD显示屏时可以缩小液晶面板和发光二极管背面之间的间距，且BLU发光二极管还可以实现分区控制、调试等功能，提升LCD显示屏对比度、色彩饱和度，最终提升消费者的观看效果，广泛用来制备超薄电视、笔记本等。
[0003]目前，倒装BLU发光二极管为在倒装发光二极管衬底背面制备一反射层，使得从衬底面反射出的光线部分从发光二极管侧面发出，从而增加二极管的发光角度，反射层反射率越高，发光角度越大，但是随着反射层反射率的提高，发光二极管芯片中间区域的出光会减弱，出现正面光强弱于侧面光强的情况，从而倒装LCD显示屏出现网格状的暗点，影响二极管的发光效果。
技术实现思路
[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种倒装BLU发光二极管及其制备方法，以解决现有技术中存在的问题。
[0005]本专利技术第一方面提供一种倒装BLU发光二极管，包括衬底、依次沉积在所述衬底一侧的反射率调节层、布拉格反射层以及沉积在所述衬底另一侧的发光层，所述反射率调节层包括设于所述衬底中心的中心图形区、依次围设于所述中心图形区四周的环形图形区和无图形区，所述中心图形区和所述环形图形区内均设有若干等高且截面为锥形的反射凸起，所述中心图形区的反射凸起与所述衬底的夹角大于所述环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角。
[0006]优选地，所述环形图形区包括若干依次围设于所述中心图形区四周的子环形图形区，每一所述子环形图形区内的反射凸起与所述衬底的夹角相同，沿远离所述中心图形区的方向若干所述子环形区内的反射凸起与所述衬底的夹角依次减小。
[0007]优选地，所述环形图形区包括依次设于所述中心图形区四周的第一环形图形区和第二环形图形区，所述中心图形区的面积占所述衬底表面积的4％
‑
9％，所述第一环形图形区的面积占所述衬底表面积的11％
‑
25％，所述第二环形图形区的面积占所述衬底表面积的20％
‑
45％。
[0008]优选地，所述中心图形区的反射凸起与所述衬底的夹角为60
°‑
80
°
，所述第一环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角为40
°‑
60
°
，所述第二环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角为20
°‑
40
°
。
[0009]优选地，所述无图形区的外边缘设有斜面区，所述斜面区与所述衬底的夹角为40
°‑
50
°
，所述斜面区的面积占所述衬底表面积的1％
‑
2％。
[0010]优选地，所述反射凸起的高度为5μm
‑
20μm。
[0011]优选地，所述反射凸起为圆锥体或多角锥体。
[0012]优选地，所述布拉格反射层包括按预设周期交替叠设的SiO2层和Ti3O5层，预设周期为10
‑
24。
[0013]本专利技术另一方面提供一种制备上述倒装BLU发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0014]提供一衬底，并在所述衬底的一侧生长发光层；
[0015]在所述衬底的另一侧进行研磨、抛光处理，在抛光后的衬底表面沉积外延层；
[0016]在所述外延层的表面涂布光刻胶，并对所述光刻胶进行图形化处理，图形化处理后的光刻胶包括中心图形区、依次围设于所述中心图形区四周的环形图形区和无图形区，所述中心图形区和所述环形图形区内均设有若干等高且截面为锥形的反射凸起，所述中心图形区的反射凸起与所述衬底的夹角大于所述环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角；
[0017]通过等离子刻蚀工艺对图形化处理后的表面进行刻蚀，以将所述中心图形区、依次围设于所述中心图形区四周的环形图形区和无图形区复制到所述外延层上，形成反射率调节层；
[0018]去除剩余光刻胶，在所述反射率调节层上周期性交替蒸镀SiO2和Ti3O5，形成布拉格反射层。
[0019]优选地，所述通过等离子刻蚀工艺对图形化处理后的表面进行刻蚀具体包括：
[0020]向反应腔内通入氮气，通入氮气的时间为60s
‑
100s，流量为200sccm
‑
300sccm，以排出反应腔内的杂质气体；
[0021]清洁反应腔后持续通入氩气，通入氮气流量为5sccm
‑
10sccm，并同时开启上、下射频对氩气进行电离，上射频的功率为400W
‑
600W，下射频的功率为200W
‑
300W；
[0022]然后通入BCl3使其电离，通入BCl3流量为20sccm
‑
30sccm，电离后的B原子附着在光刻胶表面，同时通入SF6和O2，其中，SF6和O2的流量比为5:1
‑
20:1，随着刻蚀时间的推移，所述SF6和O2的流量比逐渐增大；
[0023]停止通入氩气、BCl3、SF6和O2，关闭上、下射频，最后通入氮气，通入氮气的时间为60s
‑
100s，完成刻蚀。
[0024]本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的倒装BLU发光二极管，在衬底正面沉积有反射率调节层、布拉格反射层，反射率调节层包括设于衬底中心的中心图形区、依次围设于中心图形区四周的环形图形区和无图形区，中心图形区和环形图形区内均设有若干等高且截面为锥形的反射凸起，中心图形区的反射凸起与衬底的夹角大于环形图形区的反射凸起与衬底的夹角，使得反射率调节层之上的布拉格反射层的反射率由四周向中心依次减小，通过布拉格反射层透过的光由四周向中心逐渐越多，防止二极管中心的光强急剧减小，减少二极管中心暗点的产生，即可以增大倒装BLU发光二极管发光角度的同时又保持其正面的中心光强，使得倒装BLU发光二极管正面与侧面光强均匀分布。
[0025]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0026]图1为本专利技术提供的倒装BLU发光二极管俯视结构示意图；
[0027]图2为图1中倒装BLU发光二极管断面结构示意图；
[0028]图3为本专利技术提供的倒装BLU发光二极管制备方法流程图；
[0029]图4为图3中制备P型半导体层后结构示意图；
[0030]图5为图4中制备欧姆接触层后结构示意图；
[0031]图6为图5中制备P型电极后结构示意图；
[0032]图7为图6中制备外延层凹部和隔离槽后结构示意图；
[0033]图8为图7中制备N型电极后结构示意图；
[0034]图9为图8中制备P型绝缘层孔和N型绝缘保护层孔后结构示意图；
[0035]图10为9中制备P型焊盘与N本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种倒装BLU发光二极管，其特征在于，包括衬底、依次沉积在所述衬底一侧的反射率调节层、布拉格反射层以及沉积在所述衬底另一侧的发光层，所述反射率调节层包括设于所述衬底中心的中心图形区、依次围设于所述中心图形区四周的环形图形区和无图形区，所述中心图形区和所述环形图形区内均设有若干等高且截面为锥形的反射凸起，所述中心图形区的反射凸起与所述衬底的夹角大于所述环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角。2.根据权利要求1所述的倒装BLU发光二极管，其特征在于，所述环形图形区包括若干依次围设于所述中心图形区四周的子环形图形区，每一所述子环形图形区内的反射凸起与所述衬底的夹角相同，沿远离所述中心图形区的方向若干所述子环形区内的反射凸起与所述衬底的夹角依次减小。3.根据权利要求1所述的倒装BLU发光二极管，其特征在于，所述环形图形区包括依次设于所述中心图形区四周的第一环形图形区和第二环形图形区，所述中心图形区的面积占所述衬底表面积的4％
‑
9％，所述第一环形图形区的面积占所述衬底表面积的11％
‑
25％，所述第二环形图形区的面积占所述衬底表面积的20％
‑
45％。4.根据权利要求3所述的倒装BLU发光二极管，其特征在于，所述中心图形区的反射凸起与所述衬底的夹角为60
°‑
80
°
，所述第一环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角为40
°‑
60
°
，所述第二环形图形区的反射凸起与所述衬底的夹角为20
°‑
40
°
。5.根据权利要求1所述的倒装BLU发光二极管，其特征在于，所述无图形区的外边缘设有斜面区，所述斜面区与所述衬底的夹角为40
°‑
50
°
，所述斜面区的面积占所述衬底表面积的1％
‑
2％。6.根据权利要求1所述的倒装BLU发光二极管，其特征在于，所述反射凸起的高度为5μm
‑
20μm。7.根据权利要求1所述的倒装BLU发光二极管，其特征在于，所述反射凸起为圆锥体或多角锥体。8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，鲁洋，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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