【技术实现步骤摘要】
晶圆缺陷检测的方法、系统、装置及其计算机程序产品
[0001]本专利技术涉及光学检测设备
,特别涉及应用于晶圆缺陷检测的方法、系统、装置及其计算机程序产品。
技术介绍
[0002]在晶圆加工过程中,需要对晶圆进行多次的缺陷检测,以便于及时处理缺陷,保证产品的良率。
[0003]现有的晶圆宏观缺陷检测方法中,可以检测颗粒,脏污,划痕等比较明显的缺陷。但是对散焦(defocus)、浅划痕色差等明场成像对比度比较小的缺陷没有比较好的检测方法。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种晶圆缺陷检测的方法、系统、装置及其计算机程序产品,以解决现有明场成像对比度比较小的缺陷很难检测的问题。
[0005]为达到上述目的,本专利技术在第一方面提出了一种检测晶圆缺陷的方法,包括:
[0006]获取待测晶圆在暗场照明下的暗场图像;
[0007]利用所述暗场图像进行散焦检测分析。
[0008]优选地,还包括获取待测晶圆在明场照明下的明场图像,所述明场图像用于定位和其他缺陷检测分析。
[0009]优选地,获取待测晶圆在明场照明下的明场图像和获取在暗场照明下的暗场图像包括:
[0010]以最佳上片角度上片待测晶圆;
[0011]分别获取每片待测晶圆在最佳上片角度之下的明场图像和暗场图像。
[0012]优选地,所述最佳上片角度的获取方法包括:
[0013]提供有散焦缺陷的第一产品晶圆;
[0014]以定位口在图像采集端口的正 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆缺陷的方法,其特征在于,包括:获取待测晶圆在暗场照明下的暗场图像;利用所述暗场图像进行散焦检测分析。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括获取待测晶圆在明场照明下的明场图像,所述明场图像用于定位和其他缺陷检测分析。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,获取待测晶圆在明场照明下的明场图像和获取在暗场照明下的暗场图像包括:以最佳上片角度上片待测晶圆;分别获取每片待测晶圆在最佳上片角度之下的明场图像和暗场图像。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述最佳上片角度的获取方法包括:提供有散焦缺陷的第一产品晶圆;以定位口在图像采集端口的正下方作为0度上片,将所述第一产品晶圆以不同的上片角度上片,并获取所述第一产品晶圆在每一个上片角度的暗场图像,直至旋转一周;计算所有第一产品晶圆的暗场图像在散焦缺陷所在位置的梯度图像;设置所有梯度图像中灰度值最大的图像所对应的上片角度,为最佳上片角度。5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,分别获取待测晶圆在明场照明下的明场图像和获取在暗场照明下的暗场图像之后,还包括:校正所述明场图像和暗场图像的图像畸变的步骤。6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:利用待测晶圆的明场图像计算偏移量,校准上片带来的水平误差。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括:根据待测晶圆的明场图像所计算的偏移量,修正待测晶圆的暗场图像位置。8.根据权利要求1或7所述的方法,其特征在于,还包括:根据待测晶圆的暗场图像的灰度值分布,判断缺陷位置。9.一种检测晶圆缺陷的方法,其特征在于,包括:提供n片同批次合格的第二产品晶圆,分别获取每片第二产品晶圆在最佳上片角度下的明场图像和暗场图像,其中n∈(3,10);基于n个所述明场图像和所述暗场图像,建立预设的明场参考图模板和暗场参考图模板,以作为散焦检测的检测模板,所述明场参考图模板用于定位和其他缺陷检测分析,所述暗场参考图模板用于散焦检测分析。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述最佳上片角度的获取方法包括:提供有散焦缺陷的第一产品晶圆;以定位口在图像采集端口的正下方作为0度上片,将所述第一产品晶圆以不同的上片角度上片,并获取所述第一产品晶圆在每一个上片角度的暗场图像,直至旋转一周;计算所有第一产品晶圆的暗场图像在所述散焦缺陷所在位置的梯度图像;设置所有梯度图像中灰度值最大的图像所对应的上片角度,为最佳上片角度。11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述预设的明场参考图模板的形成方法包括:设定所述第二产品晶圆的明场图像上的标记图案作为对准特征;计算n片所述第二产品晶圆彼此之间上片位置的水平差异量;
将n片第二产品晶圆的明场图像和暗场图像都移动到相同的坐标位置,以校准不同第二产品晶圆之间由于上片带来的水平误差。12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述计算n片晶圆彼此之间上片位置的水平差异量的步骤包括:以第一片所述第二产品晶圆的明场图像和暗场图像作为参考,计算后面的n
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1片所述第二产品晶圆的明场图像和暗场图像与第一片所述第二产品晶圆的明场图像和暗场图像的偏移量,分别为dx1,dy1,....,dxn
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1,dyn
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1;其中,dx1,dx2,....,dxn
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1片所述第二产品晶圆与第一片产品晶圆的明场图像的偏移量,dy1,dy2,....,dyn
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1片所述第二产品晶圆与第一片产品晶圆的暗场图像的偏移量。13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,包括:所述预...
【专利技术属性】
技术研发人员:倪赛健,
申请(专利权)人:匠岭科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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