减轻带隙电压参考电路中由机械应力引起的电压偏移制造技术

一种带隙电压参考电路包括第一晶体管和第二晶体管

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】减轻带隙电压参考电路中由机械应力引起的电压偏移


[0001]本文涉及带隙电压参考电路，更具体地涉及减轻带隙电压参考电路中由机械应力引起的电压偏移
。

技术介绍

[0002]带隙电压参考是输出随温度变化而稳定的固定电压的电路
。
一般而言，带隙电压参考电路被配置为生成第一内部电压和第二内部电压，该第一内部电压和该第二内部电压相加在一起以提供输出电压
。
因为第一内部电压源的温度系数为正，而第二内部电压源的温度系数为负，所以输出电压对温度不敏感
。
因此，通过将第一内部电压和第二内部电压相加，温度依赖性被抵消或以其他方式减轻
。
虽然存在许多实例，但一个这样的示例电路是使用双极结型晶体管在硅中实施的，并且输出电压为约
1.25V
，这大致对应于硅的理论带隙
(0K
时为约
1.22eV)。
[0003]这样的带隙电压参考电路具有许多应用
。
一个这样的示例应用是在数模转换器
(DAC)<br/>的上下文中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种集成电路，包括：封装件；以及管芯，所述管芯固定在所述封装件内并且包括带隙电压参考电路，所述管芯具有部分地限定所述管芯的外周界的相对边缘，所述相对边缘间隔开距离
D1，所述带隙电压参考电路包括第一晶体管，所述第一晶体管位于所述管芯的第一位置处并且以第一基极
‑
发射极电压进行操作，第二晶体管，所述第二晶体管位于所述管芯的第二位置处并且以第二基极
‑
发射极电压进行操作，所述第二位置与所述第一位置相隔距离为
D2，以及电阻或电容，所述电阻或电容操作性地耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管，使得所述第一基极
‑
发射极电压与所述第二基极
‑
发射极电压之间的电压差在所述电阻或电容两端下降；其中，所述距离
D2至少是所述距离
D1的
1.5
％
。2.
根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述距离
D2在所述距离
D1的3％至
55
％的范围内
。3.
根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述距离
D2在所述距离
D1的5％至
45
％的范围内
。4.
根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述管芯的形状是矩形的并且具有中心点，并且其中，所述第一位置距所述管芯的中心点的距离在所述距离
D1的
10
％以内，并且所述第二位置距所述管芯的相对边缘之一的距离在所述距离
D1的
10
％以内
。5.
根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述管芯的形状是矩形的并且具有中心点，并且其中，所述管芯的靠近所述中心点的表面应力大于所述管芯的靠近所述相对边缘中的每个边缘的表面应力，并且其中，所述第一晶体管包括在所述第一位置处的第一晶体管阵列中，并且所述第二晶体管包括在所述第二位置处的第二晶体管阵列中，并且其中，所述第一位置与第一表面应力相关联，并且所述第二位置与第二表面应力相关联，并且其中，所述第一位置比所述第二位置更靠近所述中心点，使得所述第一表面应力大于所述第二表面应力
。6.
根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二晶体管是并联连接并且以所述第二基极
‑
发射极电压进行操作的多个单独晶体管，并且所述单独晶体管中的至少一个包括在所述第一位置处的阵列中，所述阵列进一步包括所述第一晶体管
。7.
根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括求和电路，所述求和电路被配置为基于
(1)
所述第一基极
‑
发射极电压与所述第二基极
‑
发射极电压之间的电压差以及
(2)
所述第一基极
‑
发射极电压或另一个基极
‑
发射极电压来生成电压参考输出
。8.
一种电子系统，包括：印刷电路板；以及焊接到所述印刷电路板的根据权利要求1所述的集成电路
。9.
一种数模转换器，包括根据权利要求1所述的集成电路
。10.
一种集成电路，包括：封装件；以及
管芯，所述管芯固定在所述封装件内并且包括带隙电压参考电路，所述带隙电压参考电路被配置为将与绝对温度成比例
(PTAT)
的电压和与绝对温度互补
(CTAT)
的电压相加，所述带隙电压参考电路包括阵列，所述阵列包括第一双极结型晶体管
(BJT)
和第二
BJT
，所述第一
BJT
以第一基极
‑
发射极电压进行操作，并且所述第二
BJT
以第二基极
‑
发射极电压进行操作，其中，所述阵列的质心
、
所述第一
BJT
的质心和所述第二
BJT
的质心彼此间隔开，
PTAT
元件，所述
PTAT
元件操作性地耦合到所述第一
BJT
和所述第二
BJT
，使得所述第一基极
‑
发射极电压与所述第二基极
‑
发射极电压之间的电压差在所述
PTAT
元件两端下降，以及求和电路，所述求和电路被配置为基于
(1)
所述第一基极
‑
发射极电压与所述第二基极
‑
发射极电压之间的电压差以及
(2)
所述第一基极
‑
发射极电压或另一个基极
‑
发射极电压来生成电压参考输出
。11.
根据权利要求
10
所述的集成电路，其中，所述阵列包括：以所述第一基极
‑
发射极电压进行操作以提供所述第一
BJT
的一个或多个单独
BJT
；以所述第二基极
‑
发射极电压进行操作以提供所述第二
BJT
的一个或多个单独
BJT
；以及未被连接以提供一个或多个虚拟器件的一个或多个单独
BJT
；其中，所述第一
BJT
的一个或多个单独
BJT
通...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：