对数电流-电压转换器制造技术

本文公开了用于对数电流到电压转换的设备和方法。在某些实施例中，对数电流

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对数电流
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电压转换器


[0001]本专利技术的实施例涉及电子系统，更具体地，涉及用于对数转换或检测的电子电路。

技术介绍

[0002]对数转换器或检测器提供相对于所施加的输入信号的对数而变化的输出信号。
[0003]对数检测器的一种类型是反线性对数检测器，它使用双极晶体管的反线性特性来提供对数转换。在一个示例中，NPN双极晶体管的集电极和基极分别直接连接到n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的栅极和源极。此外，输入电流被施加到NPN双极晶体管的集电极，并且NPN双极型晶体管的基极产生对数电压。尽管这样的电路可以提供对数检测，但NPN双极晶体管的集电极到基极的电压不是非常接近于零，这导致不期望的性能特性，例如对于小的输入电流来说，较差的对数线性动态范围。
[0004]在反线性对数检测器的另一示例中，NPN双极晶体管的集电极和发射极分别直接连接到运算放大器(op
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amp)的反相输入和输出。此外，NPN双极晶体管的基极和运算放大器的非反相输入被接地，同时输入电流被施加到NPN双极型晶体管的集电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种对数电流
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电压转换器，包括：输入端子，被配置为接收输入电流；输出端子，被配置为提供对数输出电压；第一场效应晶体管(FET)，栅极连接到所述输入端子；第一双极晶体管，具有连接到所述输入端子的集电极和连接到所述输出端子的发射极；和堆叠晶体管，连接到所述输出端子和所述第一FET。2.权利要求1所述的对数电流
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电压转换器，其中所述堆叠晶体管是第二双极晶体管，其中所述第二双极性晶体管的基极连接到所述第一FET的源极，并且所述第二双极晶体管的集电极连接到所述输出端子。3.权利要求2所述的对数电流
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电压转换器，还包括耦合到所述第二双极晶体管的基极的第一电流源和耦合到所述输出端子的第二电流源。4.权利要求2所述的对数电流
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电压转换器，还包括连接在所述第二双极晶体管的发射极和接地电压之间的电阻器和电容器的并联组合。5.权利要求4所述的对数电流
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电压转换器，还包括串联连接在所述所述第一双极晶体管的集电极和所述接地电压之间的电阻器和可控电容器。6.权利要求2所述的对数电流
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电压转换器，还包括连接在所述第一FET的源极和所述第二双极晶体管的基极之间的一个或多个跟随器级。7.权利要求1所述的对数电流
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电压转换器，其中所述第一场效应晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管。8.权利要求1所述的对数电流
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电压转换器，其中所述第一场效应晶体管是结型场效应晶体管(JFET)。9.权利要求1所述的对数电流
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电压转换器，其中所述第一场效应晶体管、所述第一双极晶体管和所述堆叠晶体管为n型。10.权利要求1所述的对数电流
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电压转换器，其中所述堆叠晶体管是第二FET，其中所述第二FET的栅极连接到所述第一FET的源极，并且所述第二FET的漏极连接到所述输出端子。11.权利要求1所述的对数电流
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电压转换器，还包括连接在所述第一双极晶体管的集电极和所述第一双极晶体管的发射极之间的可控电容器。12.一种光电流检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：